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最新专利技术
  • 一种多波段多窗口协同分区散热的光电器件封装结构
    一种多波段多窗口协同分区散热的光电器件封装结构_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202610028033.X
    本发明涉及一种多波段多窗口协同分区散热的光电器件封装结构，属于光电器件封装技术领域。该结构包括分区散热基板组件、分波段多窗口盖板组件和管壳；分区散热基板组件包括电路板、散热模块和光电探测芯片；电路板划分N个独立区域，各区域开设光电探测芯片安...
    2026-04-25
  • 一种基于玻璃片提升光耦隔离电压的结构
    一种基于玻璃片提升光耦隔离电压的结构_成都市汉桐集成技术股份有限公司_202610321687.1
    本发明涉及光电器件封装技术领域，特别是涉及一种基于玻璃片提升光耦隔离电压的结构，包括管壳、盖板和内瓷片，管壳内部设置有容纳腔，管壳的顶部设置为敞开口结构，盖板适配盖合于管壳顶部的敞开口，以使容纳腔形成密闭空间；内瓷片设置于容纳腔内，内瓷片与...
    2026-04-25
  • 一种太阳能电池以及光伏组件
    一种太阳能电池以及光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511882282.7
    本发明涉及一种太阳能电池以及光伏组件，该太阳能电池中，太阳能电池包括硅基底、第一半导体层和第二半导体层；硅基底包括：第一区域、第二区域、平台区域和斜坡区域；第一半导体层随形沉积于第一区域、平台区域和斜坡区域上；第二半导体层随形沉积于第二区域...
    2026-04-25
  • 背接触太阳能电池及电池组件
    背接触太阳能电池及电池组件_横店集团东磁股份有限公司_202512056185.9
    本公开涉及太阳能电池技术领域，公开了背接触太阳能电池及电池组件。电池中基底层的背光面包括交替的第一区域和第二区域；第一钝化接触结构设置在第一区域；第二钝化接触结构设置在第二区域且覆盖部分的第一钝化接触结构，具有露出部分第一钝化接触结构的第一...
    2026-04-25
  • 发光二极管的键合方法和键合装置
    发光二极管的键合方法和键合装置_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511705664.2
    本公开提供了一种发光二极管的键合方法和键合装置，属于光电子制造技术领域。该键合方法包括：在键合腔内对待键合片与衬底进行第一次压合，控制压合力为第一压力；对所述键合腔抽真空；对所述待键合片与所述衬底进行第二次压合，控制压合力从所述第一压力提升...
    2026-04-25
  • 晶圆的键合装置和键合方法
    晶圆的键合装置和键合方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511733374.9
    本公开提供了一种晶圆的键合装置和键合方法，属于光电子制造技术领域。该键合装置包括：两个压合板和缓冲垫，两个所述压合板的相对两个板面上均设有所述缓冲垫。本公开能改善键合过程中出现压力不均的问题，提升后续工艺良率。
    2026-04-25
  • 一种用于灯具的LED芯片封装器及封装方法
    一种用于灯具的LED芯片封装器及封装方法_宜兴曲荣光电科技有限公司_202511735569.7
    本发明涉及LED芯片封装技术领域，公开了一种用于灯具的LED芯片封装器及封装方法，其中，一种用于灯具的LED芯片封装器，包括点胶机，所述点胶机内安装有固定板，固定板的一侧固定连接有安装架，安装架一侧固定连接有电动推动杆，电动推动杆底部固定连...
    2026-04-25
  • 一种用于高稳定性LED的封装工艺
    一种用于高稳定性LED的封装工艺_深圳市银月光科技有限公司_202610078255.2
    本发明涉及LED封装技术领域，提供了一种用于高稳定性LED的封装工艺，包括在封装载体上安装LED芯片；在LED芯片周向通过点涂方式形成环形限位胶层；对所述限位胶层进行预固化处理，使其沿径向形成交联程度梯度，其中靠近外侧的区域交联程度高于靠近...
    2026-04-25
  • 微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法
    微型发光二极管、微型发光二极管装置、显示器及其方法_奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司_202512054849.8
    本发明涉及用于增强现实或光应用、尤其在机动车领域中的μ‑LED或μ‑LED装置的各个方面。在此，μ‑LED的特征在于在若干微米的范围内的特别小的尺寸。
    2026-04-25
  • 一种具有双重梯度电子限制层的发光二极管外延片及其制备方法
    一种具有双重梯度电子限制层的发光二极管外延片及其制备方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202512016603.1
    本发明公开了一种具有双重梯度电子限制层的发光二极管外延片及其制备方法。该外延片在n型GaN层与有源层之间设有由三层n型AlGaN子层构成的电子限制层。其特征在于具有双重梯度结构：各子层间的平均Al组分和Si掺杂浓度呈阶梯状递增，且每一子层内...
    2026-04-25
  • 电极结构、发光二极管芯片及电极结构的制备方法
    电极结构、发光二极管芯片及电极结构的制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202511698904.0
    本公开提供了一种电极结构、发光二极管芯片及电极结构的制备方法，属于半导体技术领域。电极结构，包括依次叠设的第一子层、第二子层、第三子层、第四子层、第五子层、第六子层、第七子层、第八子层、第九子层；第一子层为Cr层，第二子层为Al层，第三子层...
    2026-04-25
  • 反极性发光二极管及其制备方法
    反极性发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511758645.6
    本公开提供了一种反极性发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延结构、第一电极、第二电极和金属反射层；所述外延结构包括第一半导体层、第二半导体层以及位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的多量子阱层；所述第一...
    2026-04-25
  • 一种发光器件、灯珠模组及制备方法
    一种发光器件、灯珠模组及制备方法_广东晶科电子股份有限公司_202511948141.0
    本发明公开了一种发光器件、灯珠模组及制备方法，发光器件包括：基板、设于基板的发光二极管及封装结构；基板包括围墙、第一电极结构及设于第一电极结构四周的围白墙结构，发光二极管包括第二电极结构及设于第二电极结构四周的凸起键合层，第一电极结构的位置...
    2026-04-25
  • 一种高效率紫外光源及其封装方法
    一种高效率紫外光源及其封装方法_广东光圣有为科技有限公司_202512016440.7
    本发明公开了一种高效率紫外光源及其封装方法，紫外光源包括基板、紫外LED芯片和光窗；基板的上表面设有内电极层、焊接层，紫外LED芯片焊接在内电极层上；光窗包括透镜、一体式管壳；一体式管壳包括环绕紫外LED芯片设置的围壳、以及位于围壳内侧并环...
    2026-04-25
  • 一种发光元件
    一种发光元件_淮安澳洋顺昌光电技术有限公司_202512024383.7
    本申请公开了一种发光元件，包括LED芯片，具有第一表面，与第一表面相对的第二表面，以及连接第一表面和第二表面的侧壁；波长转换层，至少设于所述LED芯片的第一表面；电极扩大结构，设于所述LED芯片的第二表面；封装层，至少围设于所述LED芯片、...
    2026-04-25
  • 电子装置
    电子装置_新加坡商群丰骏科技股份有限公司_202411431677.0
    本公开的电子装置包括基板、多个发光元件以及多个挡墙。多个发光元件阵列排列于基板上。多个挡墙设置于基板上且围绕多个发光元件设置，其中多个挡墙包括沿第一方向延伸的多个第一挡墙以及沿第二方向延伸的多个第二挡墙，且第一方向垂直于第二方向。在电子装置...
    2026-04-25
  • 一种LED背光源制造生产工艺
    一种LED背光源制造生产工艺_深圳市惠程鑫科技有限公司_202511199109.7
    本申请涉及LED背光源制造技术领域，尤其是一种LED背光源制造生产工艺，S1、目检灯带以及灯珠条，设置定位装置；S2、通过定位装置将灯珠条和灯带精准贴合在一起；S3、将背光电源组件的金属背板、反光板、扩散膜、增光膜关组成部件按设定的次序组装...
    2026-04-25
  • 一种集成Ag反射镜的垂直结构Micro-LED芯片制备方法
    一种集成Ag反射镜的垂直结构Micro-LED芯片制备方法_南昌大学_202511784759.8
    本发明公开了一种集成Ag反射镜的垂直结构Micro‑LED芯片制备方法，包括以下步骤：提供LED外延晶圆，LED外延晶圆包含衬底和GaN基外延层；在GaN基外延层上制备MgO阵列；刻蚀GaN基外延层形成Micro‑LED像素阵列；制备钝化层...
    2026-04-25
  • 微型发光器件及其制作方法
    微型发光器件及其制作方法_厦门思坦集成科技有限公司_202610067936.9
    本申请涉及一种微型发光器件及其制作方法，微型发光器件的方法包括：提供发光阵列结构，发光阵列结构包括衬底和设于衬底一侧上的发光结构；通过掩膜结构对衬底背离发光结构的一侧进行激光照射，掩膜结构具有第一透光区和第二透光区，且第一透光区对激光的透过...
    2026-04-25
  • 原位集成方法及单片集成器件
    原位集成方法及单片集成器件_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202610341636.5
    本发明公开了一种原位集成方法及单片集成器件，原位集成方法包括以下步骤：提供一衬底，在衬底上生长外延结构；刻蚀外延结构；在台阶上制备第一电极；在外延结构上形成钝化层，并对第一钝化层进行开孔；在第二通孔中制备第二电极，以及在钝化层上制备第三电极...
    2026-04-25
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