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最新专利技术
  • 一种一体式支撑铜粉柱的生产工艺以及VC均热板
    一种一体式支撑铜粉柱的生产工艺以及VC均热板_东莞市睿嘉新材料有限公司_202510676329.8
    本申请涉及铜粉柱技术加工领域，更具体地说，涉及一种一体式支撑铜粉柱的生产工艺以及VC均热板，包括以下步骤：模具设置有若干个置粉单元，置物单元设置有若干个制粉槽，相邻制粉槽通过通道连接；将铜粉、三氧化二铋、三氧化二锑、银、松香树脂、粘合剂、纳...
    2026-01-03
  • 一种玻尿酸原液控温均质装置
    一种玻尿酸原液控温均质装置_扬州美瑞生物科技有限公司_202510676009.2
    本发明属于玻尿酸原液生产技术领域，具体涉及一种玻尿酸原液控温均质装置，包括搅拌罐、驱动机构和至少一对温控式搅拌机构；驱动机构安装于搅拌罐上，驱动机构包括支架，支架安装于搅拌罐外顶壁，支架上安装有伺服电机，搅拌罐上顶壁中心处转动连接有转轴，伺...
    2026-01-03
  • 智响球盒子玩具
    智响球盒子玩具_林贤峰_202510675972.9
    本发明是以一组小球与动物卡通样盒子箱体为基础元件，1、盒子投入口向下斜对角位置为球组流出口(图②)；2、挡摆条（图③），在箱体盒子出口下面设置一个长条形挡摆，作用是其关闭时挡住球组流出，当球组自重逐渐增加一定量时能压迫其瞬间打开；3、斜坡底...
    2026-01-03
  • 一种高尔夫挥杆轨迹辅助训练器
    一种高尔夫挥杆轨迹辅助训练器_河北体育学院_202510676211.5
    本申请涉及一种高尔夫挥杆轨迹辅助训练器，包括：承载台，所述承载台上设置有驱动轨道，所述驱动轨道上设置有驱动座；支撑架，设置在所述驱动座上，所述支撑架的前端部两侧设置有拼接机构，所述拼接机构的连接端设置有用于挥杆轨迹训练的轨道圆环，所述轨道圆...
    2026-01-03
  • 一种便携式足球训练障碍设置装置
    一种便携式足球训练障碍设置装置_李睿洋_202510676275.5
    本发明属于体育训练设备领域，具体公开了一种便携式足球训练障碍设置装置，包括两个主体、障碍设置机构和驱动机构；所述障碍设置机构包括设置于两个主体之间的壳体，所述壳体的内部设置有齿轮一，所述齿轮一顶部的壳体内活动设置有齿板二，所述齿轮一底部的壳...
    2026-01-03
  • 一种熔融沉积3D打印的医疗支具
    一种熔融沉积3D打印的医疗支具_成都沃索立创科技有限公司_202510676247.3
    本发明涉及一种熔融沉积3D打印的医疗支具，用于医疗的器具，它公开了在医疗支具的全封闭的镂空区域、半封闭的镂空区域、底座承托的镂空区域内都填充有支撑薄片，使医疗支具与支撑薄片一体成形，在医疗支具的非镂空区域阵列设置有水滴形状的通孔。本发明的优...
    2026-01-03
  • 多参数集成与AI融合的产后出血智能监测防控方法及系统
    多参数集成与AI融合的产后出血智能监测防控方法及系统_南方医科大学第五附属医院_202510676244.X
    本申请涉及多参数集成与AI融合的产后出血智能监测防控方法及系统。所述方法包括：获取血流数据；所述血流数据包括失血量和血液流速，所述血流数据通过光纤传感器测量获得；获取生命体征信息；所述生命体征信息包括血压、心率及血氧饱和度，所述生命体征信息...
    2026-01-03
  • 玉米浅埋滴灌水肥一体化装置
    玉米浅埋滴灌水肥一体化装置_内蒙古民族大学_202510676066.0
    本发明公开了玉米浅埋滴灌水肥一体化装置，包括箱体，箱体侧面固定连接有固定壳，固定壳内部转动连接有转动杆，转动杆表面套设有圆盘，圆盘偏心转动连接有连接杆，连接杆转动连接有活塞块，活塞块与水肥管道滑动相连，转动杆贯穿箱体与大齿轮固定相连，大齿轮...
    2026-01-03
  • 基于汉字元素多模态交互的情绪感知与表达系统及方法
    基于汉字元素多模态交互的情绪感知与表达系统及方法_广州智家科技有限公司_202510676481.6
    本发明公开了一种基于汉字元素多模态交互的情绪感知与表达系统及方法，通过设备感知数据与用户主动输入的双源融合，结合多屏动态适配与社交化设计，实现情绪状态的汉字语义化表达。核心创新包括：1) 情绪标签的AI动态生成与用户覆盖机制；2) 跨屏协同...
    2026-01-03
  • 一种智能唾液检测水杯
    一种智能唾液检测水杯_赵晋_202510676588.0
    本发明涉及唾液检测技术领域，且公开了一种智能唾液检测水杯，包括：唾液采集模块、三级过滤模块、低温保持模块、微流控芯片模块、主控模块、报告生产模块，通过非对称导流槽与杯体倾斜设计，达到高效无创采集唾液的目的，其中杯口内壁主槽与副槽形成非对称结...
    2026-01-03
  • 一种无人机飞行优化控制方法、系统
    一种无人机飞行优化控制方法、系统_广州大学_202510676480.1
    本发明涉及一种无人机飞行优化控制方法、系统，包括以下步骤：S1、通过引导无人机搭载的3D摄像头和风向传感器对巡检区域进行环境探测，生成三维地形数据及实时风向信息；S2、基于三维地形数据和风向信息，通过终端设备的路径优化算法规划巡检无人机的飞...
    2026-01-03
  • 一种低功率激光辅助氢还原炼铁的方法
    一种低功率激光辅助氢还原炼铁的方法_上海大学_202510676529.3
    本发明公开一种低功率激光辅助氢还原炼铁的方法，通过在真空条件下，采用低功率功率为200W的激光或者太阳能聚焦光束，以10‑90°的角度辐照含铁矿样品，热还原产生单质Fe和其他化合物。在样品台上方放置4‑6块紫铜块收集挥发物，在样品台下方放置...
    2026-01-03
  • 一种复合电子传输层及其制备方法与应用
    一种复合电子传输层及其制备方法与应用_仁烁光能(苏州)有限公司_202510684386.0
    本发明涉及一种复合电子传输层及其制备方法与应用，所述制备方法包括以下步骤：采用原子层沉积法依次沉积第一电子传输层和第二电子传输层，所述第一电子传输层和第二电子传输层的材质不同；所述第一电子传输层和第二电子传输层分别独立地包括金属氧化物且不包...
    2026-01-03
  • 一种提高钙钛矿太阳能电池埋底界面稳定性的方法
    一种提高钙钛矿太阳能电池埋底界面稳定性的方法_河南省科学院材料研究所_202510680501.7
    本发明公开了一种提高钙钛矿太阳能电池埋底界面稳定性的方法，包括以下步骤：选择有机物TFPH，采用梯度浓度的TFPH‑DMF溶液对NiOx进行界面修饰，将有机物TFPH通过旋涂在空穴传输层NiOx上表面形成分子修饰层；本发明TFPH分子通过空...
    2026-01-03
  • 一种多功能胍盐掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种多功能胍盐掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制备方法_昆明理工大学_202510678244.3
    本发明公开了一种多功能胍盐掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制备方法；该电池包含从下至上的ITO导电玻璃基底层、空穴传输层(MeO‑4PACz)、掺缩二胍盐酸盐(BH)的钙钛矿层Cs0.05(FA0.95...
    2026-01-03
  • 一种红外探测器的台面刻蚀方法
    一种红外探测器的台面刻蚀方法_武汉高芯科技有限公司_202510684277.9
    本发明涉及一种红外探测器的台面刻蚀方法，其包括如下步骤：在待刻蚀材料上沉积第一刻蚀掩膜层；在第一刻蚀掩膜层上沉积第二刻蚀掩膜层，且第二刻蚀掩膜层仅覆盖第一刻蚀掩膜层的部分区域；对第一刻蚀掩膜层以及第二刻蚀掩膜层进行同步刻蚀，以形成第一掩膜台...
    2026-01-03
  • 一种单光子雪崩探测器像素结构及其制作方法
    一种单光子雪崩探测器像素结构及其制作方法_南京芯视界微电子科技有限公司_202510680182.X
    本发明涉及一种单光子雪崩探测器像素结构及其制作方法，所述单光子雪崩探测器像素结构包括多个滤光单元，其中，所述每一滤光单元包括：多个SPAD像素，以及位于每一相邻SPAD像素之间的隔离槽结构；其中，多个SPAD像素至少包括深度SPAD像素和色...
    2026-01-03
  • 一种基于沟道区杂质补偿的碳化硅PMOS器件及其制备方法
    一种基于沟道区杂质补偿的碳化硅PMOS器件及其制备方法_东南大学_202510682575.4
    一种基于沟道区杂质补偿的碳化硅PMOS器件及制备方法。器件包括位于第一P型重掺杂区和第二P型重掺杂区之间的沟道在沟道上设有P型掺杂区。方法是在N型衬底依次生长P型缓冲层、P型外延层和N型外延层；分别在N型外延层中进行离子注入，形成第一N型重...
    2026-01-03
  • 一种提高响应速度的VDMOS器件及其制造方法
    一种提高响应速度的VDMOS器件及其制造方法_万芯半导体(宁波)有限公司_202510678624.7
    本申请涉及一种提高响应速度的VDMOS器件及其制造方法，VDMOS器件包括第一金属层、N+衬底层和N‑外延层，N‑外延层上设置有分压场环，分压场环内的有源区设置有多个P型体区且多个P型体区互不连接，多个P型体区上侧设置有栅氧化层，栅氧化层上...
    2026-01-03
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子装置
    一种半导体器件及其制造方法、电子装置_芯联集成电路制造股份有限公司_202510684004.4
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，该半导体器件包括：衬底；位于衬底中的第一导电类型的漂移区；位于漂移区中的第一导电类型的漏区；漏区接触插塞，贯穿漏区并延伸至漂移区中。本申请方案中的漏区接触插塞贯穿漏区并延伸至漂移区中，能够降低...
    2026-01-03
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