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最新专利技术
  • 氧化镓的异质外延生长方法
    氧化镓的异质外延生长方法_蓝河科技(绍兴)有限公司_202511310068.4
    本发明公开了一种氧化镓的异质外延生长方法， 该氧化镓的异质外延生长方法包括在反应腔室内设置氧电离装置。控制反应腔室内的温度为不超过500℃的第一温度， 压力为不低于100mbar的第一压力， 向反应腔室内通入氧源和镓源， 控制氧源流量不低于...
    2026-02-12
  • 氧化镓的外延生长方法
    氧化镓的外延生长方法_蓝河科技(绍兴)有限公司_202511310061.2
    本发明公开了一种氧化镓的外延生长方法， 包括在反应腔室内设置氧电离装置， 控制氧电离装置的输出功率不低于100瓦， 以在氧化镓衬底上进行氧化镓生长。控制反应腔室内温度为不超过1000℃的第一温度， 压力为不超过200mbar的第一压力， 控...
    2026-02-12
  • 基于MPCVD和MBE的氧化镓结构及其制备方法
    基于MPCVD和MBE的氧化镓结构及其制备方法_武汉大学_202510816147.6
    本申请提供了一种基于MPCVD和MBE的氧化镓结构及其制备方法， 属于半导体领域。所述基于MPCVD和MBE的氧化镓结构的制备方法包括：提供衬底；对衬底进行预处理；采用MBE工艺， 在衬底表面外延得到镓膜；采用MPCVD工艺， 往生长腔内通...
    2026-02-12
  • 气体环境管理系统、方法及碳化硅外延炉
    气体环境管理系统、方法及碳化硅外延炉_浙江求是半导体设备有限公司_202511310193.5
    本申请提供一种气体环境管理系统、方法及碳化硅外延炉， 碳化硅外延炉包括反应舱、上下料舱、中转舱以及上述气体环境管理系统， 气体环境管理系统与碳化硅外延炉的反应舱、气体环境管理系统与碳化硅外延炉的中转舱、气体环境管理系统与碳化硅外延炉的上下料...
    2026-02-12
  • 托盘和半导体设备
    托盘和半导体设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202510887224.7
    本申请公开一种托盘和半导体设备， 属于半导体加工技术领域， 所述托盘包括承载部和环绕所述承载部设置的限位部， 所述承载部具有凹面和环绕所述凹面设置的承载面；所述承载面为平面， 所述承载面用于承载晶圆；所述凹面相对所述承载面凹陷设置；所述限位...
    2026-02-12
  • 一种碳化硅外延设备
    一种碳化硅外延设备_芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司_202511291827.7
    本申请公开一种碳化硅外延设备， 其包括反应腔， 反应腔具有壳体， 其内具有同轴设置的第一石墨筒及第二石墨筒， 第一石墨筒与第二石墨筒间隔设置且第二石墨筒采用孔径介于100‑1000nm多孔石墨材质；喷淋装置， 其设置于壳体的一侧端， 喷淋装...
    2026-02-12
  • 一种具有缓变Sc组分过渡层的大面积多晶金刚石GaN异质结构及其制备方法
    一种具有缓变Sc组分过渡层的大面积多晶金刚石GaN异质结构及其制备方法_湖北九峰山实验室_202510883545.X
    本发明提供一种具有缓变Sc组分过渡层的大面积多晶金刚石GaN异质结构及其制备方法， 上述制备方法包括：对多晶金刚石进行预处理， 得到多晶金刚石衬底；对多晶金刚石衬底进行刻蚀掩膜沉积与图形化， 在多晶金刚石衬底的上部区域形成多个纳米柱状结构；...
    2026-02-12
  • 一种外延炉降温系统、方法及存储介质
    一种外延炉降温系统、方法及存储介质_季华实验室_202511287054.5
    本发明涉及外延炉技术领域， 本发明公开了一种外延炉降温系统、方法及存储介质， 包括：反应室、片盘、冷却室、传送室、进气装置、排气装置和控制装置；控制装置与所述反应室、所述冷却室、所述传送室、所述进气装置和所述排气装置电性连接；所述控制装置用...
    2026-02-12
  • 基于MPCVD工艺的硼氮共掺N型金刚石及其制备方法
    基于MPCVD工艺的硼氮共掺N型金刚石及其制备方法_武汉大学_202510901826.3
    本申请提供了一种基于MPCVD工艺的硼氮共掺N型金刚石及其制备方法。包括采用MPCVD工艺， 往MPCVD生长腔内通入硼源、氮源、碳源及生长气体， 外延得到硼氮共掺N型金刚石。通过采用硼氮共掺杂的掺杂方法制备N型金刚石， 可以提升制备得到的...
    2026-02-12
  • 一种CVD-SiC单晶生长方法及装置
    一种CVD-SiC单晶生长方法及装置_山西烁科晶体有限公司_202511299875.0
    本发明提供了一种CVD‑SiC单晶生长方法及装置。该方法包括以下步骤：在生长腔体设置籽晶， 进行加热， 并通入碳源气体以及第三反应腔体提纯后的硅源气体和氢气， 进行CVD‑SiC单晶生长；将生长腔体尾气通入第一反应腔体进行过滤吸附；将吸附后...
    2026-02-12
  • 一种碳化硅单晶及其PVT长晶方法
    一种碳化硅单晶及其PVT长晶方法_山西烁科晶体有限公司_202511307712.2
    本发明公开了一种碳化硅单晶及其PVT长晶方法， 制备方法包括以下步骤：S1：采用石墨挡板将坩埚内部分为多个装料区， 在每个装料区内装填碳化硅粉料， 装填完成后， 在石墨挡板顶部覆盖多孔石墨片；S2：在装填好碳化硅粉料的坩埚顶部固定籽晶， 采...
    2026-02-12
  • 碳化硅晶体生长装置及生长方法
    碳化硅晶体生长装置及生长方法_内蒙古晶环电子材料有限公司_202511299615.3
    本申请提供了一种碳化硅晶体生长装置及生长方法， 属于碳化硅晶体生长技术领域， 解决了现有技术晶体扩径生长气氛的量难以控制的问题。本申请包括坩埚、扩径环、隔断组件以及加热组件， 扩径环设置于籽晶固定区外周侧， 扩径环具有倾斜面， 隔断组件包括...
    2026-02-12
  • 优化长晶界面的装料方法及碳化硅晶体的制备方法
    优化长晶界面的装料方法及碳化硅晶体的制备方法_陕西立创晶源半导体科技有限公司_202511047609.9
    本发明涉及碳化硅的制备技术领域， 公开了优化长晶界面的装料方法及碳化硅晶体的制备方法。优化长晶界面的装料方法， 包括：在石墨坩埚的中下部的中部均匀铺设多根石墨柱， 之后装料至与所述石墨柱的顶部齐平；在下部的装料上均匀铺设多根石墨管， 之后装...
    2026-02-12
  • 用于碳化硅晶体生长的部件及其制备工艺、碳化硅长晶工艺和碳化硅器件
    用于碳化硅晶体生长的部件及其制备工艺、碳化硅长晶工艺和碳化硅器件_江苏集芯先进材料有限公司_202511023386.2
    本申请公开了用于碳化硅晶体生长的部件及其制备工艺、碳化硅长晶工艺和碳化硅器件， 该部件包括：石墨盖；碳化硅晶片， 所述碳化硅晶片位于所述石墨盖的一侧；石墨纸， 所述石墨纸位于所述碳化硅晶片远离所述石墨盖的一侧；碳层， 所述碳层位于所述石墨纸...
    2026-02-12
  • 一种大尺寸碳化硅晶体生长热场的多维度耦合结构的坩埚装置
    一种大尺寸碳化硅晶体生长热场的多维度耦合结构的坩埚装置_哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司_202510974971.4
    本发明涉及晶体生长技术领域， 公开了一种大尺寸碳化硅晶体生长热场的多维度耦合结构的坩埚装置， 包括：坩埚锅体；多维度耦合机构；多维度耦合机构设置在坩埚锅体内部， 本发明中， 通过设置的多维度耦合机构， 实现驱动电机的正反转以及升降架的上下移...
    2026-02-12
  • 一种用于大尺寸AlN单晶生长的PVT装置
    一种用于大尺寸AlN单晶生长的PVT装置_北京大学_202510902378.9
    本发明公开一种用于大尺寸AlN单晶生长的PVT装置， 属于大尺寸氮化铝(AlN)晶体生长技术领域。本发明在坩埚的底部增加设有一导热结构， 所述导热结构位于坩埚内粉体的中心区域， 所述导热结构与坩埚紧密配合可以降低热阻， 且将热量定向传导至粉...
    2026-02-12
  • 重掺单晶棒及其制备方法、重掺外延硅片及其制备方法
    重掺单晶棒及其制备方法、重掺外延硅片及其制备方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510986892.5
    本发明涉及一种重掺单晶棒及其制备方法、重掺外延硅片及其制备方法， 其中重掺单晶棒的制备方法， 采用单晶棒生长设备实现， 重掺单晶棒的制备方法包括以下步骤：提供掺杂有掺杂剂的硅溶液， 其中， 掺杂剂为氮、砷、锑中的至少一种；采用直拉法生长成型...
    2026-02-12
  • 拉晶控制方法、系统及单晶硅棒
    拉晶控制方法、系统及单晶硅棒_宁夏中环光伏材料有限公司_202510947169.6
    本申请实施例提供一种拉晶控制方法、系统及单晶硅棒， 涉及半导体领域， 该方法包括采集放肩阶段的实时数据， 确定放肩阶段的实时数据满足预设条件；在实时数据满足预设条件的前提下， 基于实时数据， 得到放肩控制数据；基于放肩控制数据进行埚升操作。...
    2026-02-12
  • 一种磷锑共掺杂回收料分类工艺方法
    一种磷锑共掺杂回收料分类工艺方法_包头美科硅能源有限公司_202510876625.2
    本发明涉及单晶硅技术领域， 具体涉及一种磷锑共掺杂回收料分类工艺方法， 包括步骤(1)磷锑共掺晶棒拉晶待检验；步骤(2)将磷锑共掺晶棒按照位置进行区分收集， 并开方得到边皮， 每份边皮单独清洗并备注；步骤(3)调整参数；步骤(4)调整磷锑回...
    2026-02-12
  • 提高重掺锑硅单晶氧含量的热场系统、单晶炉及拉晶方法
    提高重掺锑硅单晶氧含量的热场系统、单晶炉及拉晶方法_麦斯克电子材料股份有限公司_202511270976.5
    提高重掺锑硅单晶氧含量的热场系统、单晶炉及拉晶方法， 涉及重掺锑硅单晶拉制技术领域， 包括加热器、热场组件、保温层组件、埚底保温组件和反射保温组件， 热场组件包括同轴设置且底端能够伸入石英坩埚内的内屏和外屏以及套设在加热器外侧的环形内胆， ...
    2026-02-12
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