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最新专利技术
  • 有源芯粒与三维螺旋电感无源芯粒集成的射频芯片及制备方法
    有源芯粒与三维螺旋电感无源芯粒集成的射频芯片及制备方法_武汉大学_202510980972.X
    本发明公开有源芯粒与三维螺旋电感无源芯粒集成的射频芯片及制备方法，包括堆叠集成在一起的射频电路有源芯粒和三维螺旋电感无源芯粒，射频电路有源芯粒包括第一衬底、有源电路和第一电学互连通道区；三维螺旋电感无源芯粒包括第二衬底、三维螺旋电感区和第二...
    2025-11-22
  • 一种集成无源器件及其制造方法、电子器件
    一种集成无源器件及其制造方法、电子器件_京东方科技集团股份有限公司_202410543757.9
    本发明公开了一种集成无源器件及其制造方法、电子器件，集成无源器件包括：衬底、第一电容和第二电容。第一电容位于衬底的一侧。第二电容位于第一电容背离衬底的一侧。第二电容在衬底上的正投影与第一电容在衬底上的正投影至少部分重叠。通过将集成无源器件中...
    2025-11-22
  • 阵列基板及其制造方法、显示装置
    阵列基板及其制造方法、显示装置_合肥鑫晟光电科技有限公司_202511039616.4
    本公开提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置。阵列基板包括：衬底结构；在衬底结构上的有源层；在有源层的远离衬底结构一侧的图案化的第一绝缘层，第一绝缘层具有露出有源层的一部分的第一通孔；在第一通孔中且与有源层接触的第一导电层；和在第一绝缘层...
    2025-11-22
  • 阵列基板及其制造方法、显示装置
    阵列基板及其制造方法、显示装置_合肥鑫晟光电科技有限公司_202511039087.8
    本公开提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置。阵列基板包括：衬底结构；在衬底结构上的有源层；在有源层的远离衬底结构一侧的图案化的第一绝缘层，第一绝缘层具有露出有源层的一部分的第一通孔；在第一通孔中且与有源层接触的第一导电层；和在第一绝缘层...
    2025-11-22
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_武汉华星光电半导体显示技术有限公司_202511037041.2
    本申请实施例提供一种显示面板和显示装置；该显示面板通过使第一栅极层包括存储电容的第一极板，半导体层包括存储电容的第二极板，使得存储电容可以采用第一栅极层和半导体层形成，相应的，无需增加栅极层来形成存储电容，减少显示面板制备过程中需要的掩模板...
    2025-11-22
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_武汉华星光电技术有限公司_202510919714.0
    本申请提供了一种显示面板及显示装置，该显示面板包括位于显示区的第一晶体管和像素电极，第一晶体管包括第一源极和第一漏极，第一源极包括叠设的金属导电部和透明导电部，通过将透明导电部与第一漏极同层设置，可以增大显示面板的开口率，从而可以在提高显示...
    2025-11-22
  • 阵列基板及显示面板
    阵列基板及显示面板_深圳市华星光电半导体显示技术有限公司_202510917200.1
    本申请实施例公开了一种阵列基板及显示面板；阵列基板包括衬底基板和薄膜晶体管层，薄膜晶体管层包括第一有源层、第二有源层和栅极层，第一有源层包括位于非显示区的第一有源部，第二有源层包括位于非显示区的第二有源部和位于显示区的第三有源部，第二有源部...
    2025-11-22
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411414387.5
    一种半导体结构，包括基板、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一源极垫及第二源极垫。第一晶体管及第二晶体管沿着第一方向的第一路径设置于基板上。第一源极垫沿着第一方向的第一路径设置于第一晶体管及第二晶体管之间，且电性连接至第一晶...
    2025-11-22
  • 半导体器件和半桥电路
    半导体器件和半桥电路_英飞凌科技奥地利有限公司_202510564936.5
    提供了半导体器件和半桥电路。半导体器件(500)包括具有第一导电类型的第一掺杂区域(120)的高电压半导体元件(190)。第一掺杂区域(120)至少部分地横向围绕中心部分(110)，其中，中心部分(110)和第一掺杂区域(120)可以形成辅...
    2025-11-22
  • 一种基于pGaN转化UGaN的Cascode器件及其制备方法
    一种基于pGaN转化UGaN的Cascode器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511019561.0
    本发明公开了一种基于pGaN转化UGaN的Cascode器件及其制备方法，属于半导体领域，包括依次堆叠设计的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层，还包括欧姆金属、栅金属、pGaN、UGaN和互连金属；pG...
    2025-11-22
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202510856578.5
    本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，以利于减小第一晶体管和第二晶体管沿基底厚度方向上的间距，从而降低半导体器件的寄生电阻和寄生电容，利于提高半导体器件的工作性能。所述半导体器件包括：基底、第一晶体管和第二晶体管。其中...
    2025-11-22
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510071297.9
    本公开的实施例提供了一种半导体器件结构及其形成方法。该结构包括：设置在衬底之上的第一半导体层；与第一半导体层相邻设置的源极/漏极区域；设置在第一半导体层之上的栅极间隔件；原生氧化物层，该原生氧化物层设置在栅极间隔件和源极/漏极区域之间并且在...
    2025-11-22
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410533384.7
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底；隔离叠层，位于基底上，隔离叠层包括多个沿纵向相间隔的隔离层；沟道层结构，位于隔离叠层上，沟道层结构包括多个沿纵向相间隔的沟道层，相邻沟道层结构的侧壁围成沿纵向贯穿沟道层结构的凹槽，凹槽沿纵向延伸至...
    2025-11-22
  • 共源共栅功率器件及其电流检测方法
    共源共栅功率器件及其电流检测方法_广东致能半导体有限公司_202511148570.X
    本申请实施例提供了一种共源共栅功率器件及其电流检测方法，包括低压开关器件、耗尽型开关器件和测流电阻，耗尽型开关器件的栅极与低压开关器件的源极电连接，耗尽型开关器件的源极与低压开关器件的漏极电连接；测流电阻电连接于耗尽型开关器件的源极与低压开...
    2025-11-22
  • 半导体装置以及半导体电路
    半导体装置以及半导体电路_株式会社东芝_202511047802.2
    实施方式提供一种可抑制由电流集中引起的破坏的半导体装置以及半导体电路。实施方式的半导体装置具备：具有第一面和与第一面对置的第二面的半导体层，该半导体层包括设于第一面侧的第一沟槽、第二沟槽以及第三沟槽；第一沟槽之中的第一栅极电极；第二沟槽之中...
    2025-11-22
  • 半导体器件和制造半导体器件的方法
    半导体器件和制造半导体器件的方法_株式会社电装_202511048295.4
    在半导体器件中，半导体元件(40)包括半导体衬底(41)、表面电极(42)和保护膜(46)。半导体衬底(41)具有有源区域(410)和外周区域(411)。表面电极(42)包括设置在半导体衬底(41)的前表面(41a)上的基底电极(420)和...
    2025-11-22
  • 一种芯片封装、芯片结构及其制造方法
    一种芯片封装、芯片结构及其制造方法_PEP创新私人有限公司_202511036403.6
    本公开旨在提供一种芯片封装、芯片结构及其制造方法，其中，该芯片封装用于电源模块，其包括至少一个裸片，其具有较薄的厚度，用于减小用作电源模块时的电阻；在所述至少一个裸片上形成的保护层，其具有多个保护层开口；金属单元，所述金属单元包括至少一个金...
    2025-11-22
  • 一种多芯片并联半桥IGBT器件
    一种多芯片并联半桥IGBT器件_南京南瑞半导体有限公司_202511014062.2
    本发明公开了一种多芯片并联半桥IGBT器件，包括基板，所述基板上并列设置第一陶瓷覆铜基板和第二陶瓷覆铜基板，第一陶瓷覆铜基板上设置上桥电路，第二陶瓷覆铜基板上设置下桥电路，上桥电路和下桥电路均包括多组并联连接的芯片，每组芯片包括一个IGBT...
    2025-11-22
  • 改善金属倾覆问题的器件制造工艺
    改善金属倾覆问题的器件制造工艺_上海华力集成电路制造有限公司_202511002346.X
    本申请公开了一种改善金属倾覆问题的器件制造工艺，包括：S1：提供一晶圆，所述晶圆包括衬底，所述衬底上形成有阻挡层和层间介质层，所述晶圆的边缘位置形成有凹槽，所述凹槽底部的衬底露出；S2：沉积栅极金属材料，所述栅极金属材料用于形成金属栅极，且...
    2025-11-22
  • 一种超晶格结构、GaN HEMT器件外延结构及制备方法
    一种超晶格结构、GaN HEMT器件外延结构及制备方法_郑州合晶硅材料有限公司_202511060053.7
    本发明公开了一种超晶格结构、GaN HEMT器件外延结构及制备方法，该超晶格结构，由AlN薄层、AlxGa1‑xN薄层和AlyGa1‑yN薄层周期性的交替堆栈形成，其中X>50，y<50；所述AlN薄层、所述AlxGa1‑xN薄层和所述Al...
    2025-11-22
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