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最新专利技术
  • 一种纳米金刚石籽晶种植方法及其在CVD金刚石生长中的应用
    一种纳米金刚石籽晶种植方法及其在CVD金刚石生长中的应用_河南联合精密材料股份有限公司_202511054846.8
    本发明提出了一种纳米金刚石籽晶种植方法及其在CVD金刚石生长中的应用，包括如下步骤：S1、将表面改性的纳米金刚石分散于低沸点有机溶剂形成分散液；S2、将分散液滴加至低温去离子水表面，有机溶剂扩散形成单分子层薄膜；S3、将衬底浸入去离子水中提...
    2026-01-25
  • 铌-钒-硫三元化合物晶体材料、制备方法及应用
    铌-钒-硫三元化合物晶体材料、制备方法及应用_中国科学技术大学_202511447102.2
    本发明公开了铌‑钒‑硫三元化合物磁性晶体材料、制备方法及应用，属于磁性晶体材料的技术领域，其化学通式为：Nb1.4V2.0S6.6；整体的摩尔比为：1.4 : 2.0 : 6.6；制备方法，包括以下几个步骤，(1)原料准备与封装；(2)真空...
    2026-01-25
  • 一种高质量的大尺寸碳化硅晶体生长装置和生长方法
    一种高质量的大尺寸碳化硅晶体生长装置和生长方法_山西烁科晶体有限公司_202511467898.8
    发明提供了一种高质量的大尺寸碳化硅晶体生长装置和生长方法。该装置包括封闭的温区和智能控制系统；温区分隔为上温区和下温区且留有连通口；上温区设有感应线圈一、石墨坩埚一、内埚底设有籽晶，石墨坩埚一上侧设有加热器；下温区设有感应线圈二、与石墨坩埚...
    2026-01-25
  • 一种稀土离子掺杂铁酸钇单晶的制备方法
    一种稀土离子掺杂铁酸钇单晶的制备方法_中国科学院新疆理化技术研究所_202511032495.0
    本发明提出了一种稀土离子掺杂铁酸钇单晶的制备方法，包括以下步骤：根据化学式所示的各元素的化学计量比称量Re2O3、Fe2O3、Y2O3。其中Fe2O3过量5‑8%，以补偿铁离子挥发导致的缺陷；掺杂Nb2O5以补偿掺杂稀土离子导致的半径失配，...
    2026-01-25
  • 控制单晶放肩阶段晶棒温度梯度的热场及单晶炉
    控制单晶放肩阶段晶棒温度梯度的热场及单晶炉_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511391417.X
    本发明属于半导体材料加工设备技术领域，具体涉及一种控制单晶放肩阶段晶棒温度梯度的热场及单晶炉，热场包括可升降式局部热管理系统，固定热场位于石英坩埚上方，可升降式局部热管理系统包括温度检测装置、升降机构、环形温度调节机构及控制模块，环形温度调...
    2026-01-25
  • 控制单晶放肩阶段晶棒温度梯度的方法
    控制单晶放肩阶段晶棒温度梯度的方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511391253.0
    本发明属于半导体材料加工技术领域，具体涉及一种控制单晶放肩阶段晶棒温度梯度的方法，方法包括将放肩过程划分为多个阶段，每个阶段根据肩部直径设定晶棒肩部边缘区域与中心的温差阈值；实时监测晶棒肩部表面的温度分布，得到检测数据；根据检测数据获取晶棒...
    2026-01-25
  • 一种适用于提拉法电阻炉单晶平界面生长的自动翻转方法
    一种适用于提拉法电阻炉单晶平界面生长的自动翻转方法_成都晶九科技有限公司_202410561729.X
    本发明公开了一种适用于提拉法电阻炉单晶平界面生长的自动翻转方法，属于晶体制备技术领域。包括装炉、抽真空、充气、升温化料、升锅位、下沉籽晶、引晶、自动翻转、收尾、出胚等步骤。通过由程序控制渐变提升转速以及提拉速度的自动翻转工艺，解决了原先翻转...
    2026-01-25
  • 一种外延流片及其腐蚀工艺、设备
    一种外延流片及其腐蚀工艺、设备_安徽光智科技有限公司_202511111190.9
    本发明属于镀膜领域，公开了一种外延流片及其腐蚀工艺、设备。所述外延流片的腐蚀工艺包括：将外延流片竖向插接于工装中，外延流片沿工装的周向方向均匀间隔分布；将外延流片浸泡于腐蚀液中，超声振动配合沿竖向方向移动工装并且转动工装进行腐蚀工序；涮洗外...
    2026-01-25
  • 铝钪氮薄膜的制备方法、装置和衬底产品
    铝钪氮薄膜的制备方法、装置和衬底产品_苏州实验室_202510881831.2
    本发明涉及半导体制造领域，提供一种铝钪氮薄膜的制备方法、装置和衬底产品，该方法包括：将衬底固定于腔体内的样品架的中心；移动掩模版至与衬底表面的距离为第一间距；开启射频氮等离子体源，维持腔体内的氮气的电离效率；使掩模版的镂空区域正对于衬底表面...
    2026-01-25
  • 一种在非晶衬底上生长有机半导体单层膜的方法
    一种在非晶衬底上生长有机半导体单层膜的方法_天津大学_202511468961.X
    本发明涉及有机材料技术领域，具体涉及一种在非晶衬底上生长有机半导体单层膜的方法。具体技术方案为：以带有烷基侧链的有机半导体分子为原料，在氢气氛围下，采用物理气相传输法，在低压环境下，非晶衬底与原料的间距为紧密接触，并外延生长有机半导体单层膜...
    2026-01-25
  • 一种应用于分子束外延设备的冷屏结构
    一种应用于分子束外延设备的冷屏结构_中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司_202511023990.5
    本发明属于半导体外延技术领域，具体地说是一种应用于分子束外延设备的冷屏结构，冷屏具有冷屏内、外壳，冷屏内、外壳之间通有液氮；上端收口结构的顶部开设有与冷屏内壳内部连通的开孔A，下端收口结构的底部开设有与冷屏内壳内部连通的开孔B；中部收腰结构...
    2026-01-25
  • 碳化硅晶体生长容器和具有其的碳化硅晶体生长设备
    碳化硅晶体生长容器和具有其的碳化硅晶体生长设备_江苏集芯先进材料有限公司_202511078711.5
    本发明公开了一种碳化硅晶体生长容器和具有其的碳化硅晶体生长设备，所述碳化硅晶体生长容器包括：容器主体；加热装置，所述加热装置位于所述容器主体外；内筒，所述内筒设在所述容器主体内，所述内筒内具有内容纳空间，所述内筒外周面和所述容器主体内周面之...
    2026-01-25
  • 一种碳化硅晶体的快速生长方法以及原料
    一种碳化硅晶体的快速生长方法以及原料_江苏卓远半导体有限公司_202410582607.9
    本发明公开一种碳化硅晶体的快速生长方法，包括如下步骤：将碳化硅原料放入坩埚内，加热坩埚使坩埚内的原料升华后再结晶，得到碳化硅晶体；其中，碳化硅原料放入坩埚后，从坩埚的底部供入气体或液体或两者的混合物，使坩埚内的原料呈漂浮状态。本发明的有益效...
    2026-01-25
  • 一种球形籽晶、球形籽晶制备方法及用于制备单晶叶片的模壳结构
    一种球形籽晶、球形籽晶制备方法及用于制备单晶叶片的模壳结构_成都航宇超合金技术有限公司_202511139151.X
    本发明提供了一种球形籽晶、球形籽晶制备方法及用于制备单晶叶片的模壳结构，涉及单晶叶片技术领域。一种球形籽晶的制备方法，包括以下步骤：S1.制备籽晶串蜡模：根据球形籽晶尺寸制备多个球形籽晶单体蜡模并组合成籽晶串蜡模；S2.制备模壳：将底盘蜡模...
    2026-01-25
  • 一种单晶炉用加料筒稳料装置及其稳料方法
    一种单晶炉用加料筒稳料装置及其稳料方法_乐山市京运通新材料科技有限公司_202511108955.3
    本发明公开了一种单晶炉用加料筒稳料装置及其稳料方法，包括内部容纳加料筒的副室，所述副室的底部设置若干可拆卸式连接的安装管，所述安装管内设置与外部氩气源连通的氩气管路，所述氩气管路的水平延伸线垂直于加料筒的外壁；邻近加料筒的安装管端面设置接近...
    2026-01-25
  • 一种用于半埚料单晶硅的拉晶方法
    一种用于半埚料单晶硅的拉晶方法_乐山市京运通新材料科技有限公司_202511108979.9
    本发明公开了一种用于半埚料单晶硅的拉晶方法，所述半埚料为坩埚内硅料装填量≤500kg，所述拉晶方法在晶体生长的初始阶段(熔接、引晶、放肩)，将埚转设置为0rpm/min；提高炉压至1.5kPa；提前启动转肩点至230~240mm。减少了硅熔...
    2026-01-25
  • 一种单晶炉用副炉室拉晶装置
    一种单晶炉用副炉室拉晶装置_云南嘉泰来新材料有限公司_202511065564.8
    本发明涉及单晶炉拉晶技术领域，具体涉及一种单晶炉用副炉室拉晶装置，包括副炉室本体以及提升组件，副炉室本体的内部安装有多个滑轨，副炉室本体的内侧滑动安装有限位组件，包括导向环，导向环的顶端转动安装有拉晶组件，副炉室本体的内侧转动安装有多个传动...
    2026-01-25
  • 一种单晶炉自动熔接系统及控制方法
    一种单晶炉自动熔接系统及控制方法_云南嘉泰来新材料有限公司_202511065428.9
    本发明涉及单晶炉熔接方法技术领域，具体涉及一种单晶炉自动熔接系统及控制方法，包括传感模块、数据处理单元和执行机构，传感模块包括测温传感器和识别传感器，测温传感器和识别传感器均与数据处理单元电性连接，数据处理单元与执行机构电性连接，本发明为了...
    2026-01-25
  • 锑化铝单晶生长方法
    锑化铝单晶生长方法_中国科学院半导体研究所_202511072245.X
    本发明提供了一种锑化铝单晶生长方法，包括：将装有铝和锑的氮化硼舟置于石英管中，并对石英管抽真空后封管；将封管后的石英管置于水平合成炉中，基于预设的反应参数控制铝和锑进行反应，合成锑化铝多晶；对锑化铝多晶进行表面处理以去除氧化物；将表面处理后...
    2026-01-25
  • 一种表面处理槽和表面处理系统
    一种表面处理槽和表面处理系统_中复神鹰碳纤维股份有限公司_202511070610.3
    本申请涉及一种表面处理槽和表面处理系统，属于碳纤维生产技术领域；表面处理槽包括槽本体和进液口，进液口设于槽本体的一侧壁，槽本体的槽底部设有第一槽底段，第一槽底段设于远离进液口一端，且第一槽底段由靠近进液口一端至远离进液口一端逐渐升高；通过在...
    2026-01-25
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