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最新专利技术
  • 导电插塞及其制备方法
    导电插塞及其制备方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511055335.8
    本申请提供一种导电插塞及其制备方法，其中在制备方法中，在外围引出区的接触孔中分别淀积底层金属层、扩散阻挡层和顶层金属层以制备得到外围引出区的三明治结构形式的导电插塞，本申请通过在底层金属层和顶层金属层之间引入一层较薄的扩散阻挡层，可以有效阻...
    2025-11-23
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511049735.8
    本申请公开了一种半导体器件的形成方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有栅介质层，栅介质层上形成有栅极；通过RTO工艺在栅极和栅介质层暴露的区域形成第一氧化物层；通过ALD工艺在第一氧化物层上形成第二氧化物层；进行halo离子注入，在栅极两侧的...
    2025-11-23
  • 一种具有NRing场限环的耐高压终端器件及其制造方法
    一种具有NRing场限环的耐高压终端器件及其制造方法_电子科技大学重庆微电子产业技术研究院_202511106536.6
    本发明涉及功率半导体技术领域，特别涉及一种具有NRing场限环的耐高压终端器件及其制造方法；所述具有NRing场限环的耐高压终端器件采用单一场限环和场板复合结构，由复合单元构成，所述复合单元包括：背面区域、场限环区域、多重场板区域；本申请在...
    2025-11-23
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510972920.8
    本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，该器件包括：衬底，其上形成有高压器件和低压器件，高压器件的工作电压大于低压器件的工作电压；高压器件的有源区的上表面为台阶型结构，台阶型结构的顶层上形成有第一栅介质层，第一栅介质层上形成有第一栅极；高压...
    2025-11-23
  • 一种半导体功率器件及其制造方法
    一种半导体功率器件及其制造方法_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202510953890.6
    本申请公开了一种半导体功率器件，包括半导体层、多个沟槽、多个埋层和多个掺杂区。半导体层具有第一表面和第二表面。多个沟槽位于半导体层中，自半导体层的第一表面向半导体层内部延伸，并且在半导体层的第一表面上，多个沟槽沿着第一方向延伸。多个埋层位于...
    2025-11-23
  • 超级结器件的多晶硅薄膜的形成方法
    超级结器件的多晶硅薄膜的形成方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510969373.8
    本申请公开了一种超级结器件的多晶硅薄膜的形成方法，包括：在氧化层上形成第一多晶硅层，在形成第一多晶硅层的过程中通入的气体包括硅烷和磷烷，该氧化层形成于晶片上，该晶片用于形成超级结器件；在第一多晶硅层上形成第二多晶硅层，在形成第二多晶硅层的过...
    2025-11-23
  • 一种用于接触自旋量子位栅极阵列的各栅极的方法
    一种用于接触自旋量子位栅极阵列的各栅极的方法_IMEC非营利协会_202510581744.5
    在平坦表面(1)上合成栅极结构(3、4)的阵列，其适合于自旋量子位量子点器件的生产。栅极结构包括交替排列的第一和第二类型的结构。到第一和第二类型的栅极结构的电连接在单独的加工步骤序列中生成。到第一栅极类型的连接包括第一导线(17)的形成，第...
    2025-11-23
  • 插入原子级别氧化物插层的IGZO薄膜晶体管及其制作方法
    插入原子级别氧化物插层的IGZO薄膜晶体管及其制作方法_中国科学院微电子研究所_202511085337.1
    本发明涉及一种插入原子级别氧化物插层的IGZO薄膜晶体管及其制作方法，属于薄膜晶体管技术领域，解决现有高温退火可能导致金属电极扩散、界面缺陷增多及沟道载流子迁移率降低，严重影响器件的稳定性与可靠性的问题。晶体管包括绝缘层衬底；漏极/源极位于...
    2025-11-23
  • 一种集成石墨烯散热通道的SiC VDMOSFET结构及其工艺
    一种集成石墨烯散热通道的SiC VDMOSFET结构及其工艺_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202511453895.9
    本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种集成石墨烯散热通道的SiC VDMOSFET结构及其工艺，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极以及栅极，所述半导体外延层包括N衬底层、N扩散层、P+层、P阱层...
    2025-11-23
  • 半导体管芯及其制造方法
    半导体管芯及其制造方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202510574104.1
    本公开涉及半导体管芯及其制造方法。本申请涉及一种包括半导体主体(10)的半导体管芯(1)，其中半导体主体(10)的背面(10.2)被结构化为具有多个开口(30)，开口(30)沿着第一轴线(41)并且沿着第二轴线(42)被布置成重复图案(40...
    2025-11-23
  • 半导体装置
    半导体装置_三垦电气株式会社_202510572353.7
    本发明提供半导体装置，更稳定地实现高耐压化。在高电位区域与低电位区域之间的耐压改善区域的表面，具有：多个场板(31)，它们各自隔着绝缘层与表面对置形成，在高电位区域与低电位区域之间以相互电容耦合的方式排列形成，并且沿着与排列方向交叉的方向延...
    2025-11-23
  • 一种新型金刚石结构的MOSFET器件及其制作方法
    一种新型金刚石结构的MOSFET器件及其制作方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511051814.2
    本发明公开了一种新型金刚石结构的MOSFET器件及其制作方法，该器件包括：金刚石衬底及其表面的金刚石P型掺杂层，金刚石P型掺杂层的表面经氢等离子体处理形成氢终端层；源极和漏极，间隔设置于氢终端层的上表面；介质层，包括位于氢终端层远离金刚石衬...
    2025-11-23
  • 半导体元件及其制造方法
    半导体元件及其制造方法_联华电子股份有限公司_202410808818.X
    本发明公开一种半导体元件及其制造方法，其中半导体元件包括 : 基材、栅极结构、源极区、漏极区、栅极接触结构、源极接触结构以及漏极接触结构。栅极结构、源极区和漏极区都位于基材之中。栅极接触结构落着于栅极结构上方的栅极落着区，并与栅极结构电性接...
    2025-11-23
  • 高电子迁移率晶体管装置
    高电子迁移率晶体管装置_英属开曼群岛商海珀电子股份有限公司_202511098898.5
    一种高电子迁移率晶体管装置，包括通道层、阻障层、栅极结构、第一隔离层、第二隔离层、漏极及再生长层。阻障层设于通道层上。栅极结构设于阻障层上，栅极结构包括pGaN层与栅极金属，栅极金属设于pGaN层上，栅极金属有栅极接触顶面。第一隔离层包覆栅...
    2025-11-23
  • 一种基于单场板的HEMT功率器件及制备方法
    一种基于单场板的HEMT功率器件及制备方法_麻省光子技术(香港)有限公司_202511096259.5
    本发明涉及一种基于单场板的HEMT功率器件及制备方法，该基于单场板的HEMT功率器件包括：衬底；外延层；源极欧姆接触电极；漏极欧姆接触电极；绝缘层或先栅层；栅极钝化层；栅极开口，贯穿栅极钝化层达到绝缘层或先栅层；栅极场板，设置在栅极钝化层上...
    2025-11-23
  • 具有阶梯式孔槽的半导体芯片及其制备方法
    具有阶梯式孔槽的半导体芯片及其制备方法_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202510859050.3
    本公开公开了一种具有阶梯式孔槽的半导体芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该半导体芯片包括半导体层和膜叠层；膜叠层位于半导体层的一面，膜叠层背向半导体层的一面具有孔槽，孔槽的槽壁包括依次相连的第一侧壁、台阶壁和第二侧壁，第二侧壁相较于第一...
    2025-11-23
  • 具有栅极电压管理功能的氮化物功率器件
    具有栅极电压管理功能的氮化物功率器件_湖州闪芯微电子科技有限公司_202510716194.3
    本申请涉及半导体功率器件的技术领域，特别涉及一种具有栅极电压管理功能的氮化物功率器件，其包括栅压管理器和主功率晶体管。通过实施本发明在半导体上，所述栅压管理器能够调节外部驱动信号对所述主功率晶体管栅极施加的电压，以避免所述主功率晶体管栅极过...
    2025-11-23
  • 高电子迁移率晶体管以及高电子迁移率晶体管的制造方法
    高电子迁移率晶体管以及高电子迁移率晶体管的制造方法_住友电气工业株式会社_202510537504.5
    本公开提供能降低栅极泄漏的高电子迁移率晶体管以及高电子迁移率晶体管的制造方法。高电子迁移率晶体管具有：基板；半导体层叠体，设于所述基板之上；以及栅电极，与所述半导体层叠体肖特基接触，所述栅电极具有：第一金属层，与所述半导体层叠体直接接触；以...
    2025-11-23
  • 一种双栅结构碲沟道的场效应晶体管及其制备方法
    一种双栅结构碲沟道的场效应晶体管及其制备方法_深圳技术大学_202511092213.6
    本发明公开了一种双栅结构碲沟道的场效应晶体管及其制备方法，该制备方法将二氧化碲生长源和硅片衬底分别装入两个石英舟后置于石英管内，对石英管加热并通入预设气体以制备得到覆盖碲晶体的硅片衬底，通过激光直写光刻及蒸镀工艺在碲晶体两侧分别制备两个金属...
    2025-11-23
  • 高电子迁移率晶体管的制备方法及高电子迁移率晶体管
    高电子迁移率晶体管的制备方法及高电子迁移率晶体管_芯联动力科技(绍兴)有限公司_202511084810.4
    本申请实施例涉及一种高电子迁移率晶体管的制备方法及高电子迁移率晶体管，其中方法包括：提供外延片，外延片包括衬底、沟道层、势垒层、钝化支撑层和栅极材料层；去除部分栅极材料层，形成栅极层，钝化支撑层经由栅极材料层的被去除的部分而暴露；在被暴露的...
    2025-11-23
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