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最新专利技术
  • 一种发光二极管及背光源
    一种发光二极管及背光源_淮安澳洋顺昌光电技术有限公司_202511185906.X
    本发明涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管及背光源。发光二极管至少包括第一导电半导体层、第一发光层、第二发光层和第二导电半导体层；其中，所述第一发光层发射具有第一峰值波长的第一光，第二发光层发射具有第二峰值波长的第二光，第一...
    2026-01-02
  • 一种显示装置及其制作方法
    一种显示装置及其制作方法_海信视像科技股份有限公司_202410614268.8
    本发明公开了一种显示装置及其制作方法，显示装置包括：驱动基板和位于驱动基板上的多个发光芯片。发光芯片包括第一半导体层，第一半导体层为发光芯片的背离驱动基板一侧的膜层，第一半层体层为向背离驱动基板的一侧凸出的凸起结构，凸起结构可以会聚发光芯片...
    2026-01-02
  • 一种电流倍增型多晶硅发光器件
    一种电流倍增型多晶硅发光器件_电子科技大学_202511534787.4
    本发明属于光电传感以及光通信领域，涉及硅基发光器件，具体提供一种电流倍增型多晶硅发光器件，用以解决现有硅基发光器件存在的发光效率低的问题；本发明包括：衬底层、多晶硅层、封装层、金属正极与金属负极，多晶硅层生长于衬底层上，并通过掺杂形成从左至...
    2026-01-02
  • 具有光致空穴补偿结构的深紫外LED器件及其制备方法
    具有光致空穴补偿结构的深紫外LED器件及其制备方法_广东工业大学_202510917669.5
    本发明公开了具有光致空穴补偿结构的深紫外LED器件及其制备方法，所述LED器件从下至上依次为：衬底、缓冲层、电子传输层、有源区、电子阻挡层、空穴注入层、欧姆接触层，n型光吸收层、绝缘层、p型欧姆电极、n型欧姆电极、反射镜电极，电子传输层部分...
    2026-01-02
  • 一种微型LED芯片及其外延层的制备方法
    一种微型LED芯片及其外延层的制备方法_上海显耀显示科技有限公司_202511507891.4
    本申请公开了一种微型LED芯片和及其外延层的制备方法。该微型LED芯片，包括外延层，该外延层从下往上依次包括第一半导体层，有源层和第二半导体层，所述有源层中掺杂了一种或多种掺杂元素，所述一种或多种掺杂元素以均匀掺杂和渐变掺杂相结合的形式或间...
    2026-01-02
  • 一种微型LED显示芯片
    一种微型LED显示芯片_上海显耀显示科技有限公司_202511507886.3
    本申请公开了一种微型LED显示芯片包括发光台面阵列，所述发光台面阵列包括多个发光台面单元，每个所述发光台面单元包括：微发光台面，所述微发光台面从下往上依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；材料层，所述材料层覆盖所述微发光台面的侧壁；和...
    2026-01-02
  • 一种双波长LED芯片
    一种双波长LED芯片_淮安澳洋顺昌光电技术有限公司_202511185904.0
    本发明涉及半导体发光器件技术领域，具体而言，涉及一种双波长LED芯片。双波长LED芯片包括N型半导体层、第一应力缓冲层、第一长波发光阱层、电流扩展层、第二应力缓冲层、第二短波发光阱层和P型半导体层；第一应力缓冲层包括若干层InGaN第一子层...
    2026-01-02
  • 一种发光二极管和发光元件
    一种发光二极管和发光元件_淮安澳洋顺昌光电技术有限公司_202511185903.6
    本发明涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管和发光元件。发光二极管至少包括第一导电半导体层、第一应力缓冲层、第一发光量子阱层、电流扩展层、第二应力缓冲层、第二发光量子阱层和第二导电半导体层；第一发光量子阱层发射具有第一峰值波长...
    2026-01-02
  • 一种微发光组件、微发光二极管及其显示装置
    一种微发光组件、微发光二极管及其显示装置_厦门三安光电有限公司_202510991442.5
    本发明涉及一种微发光组件、微发光二极管及其显示装置，包括：至少一支撑结构，所述支撑结构至少包括若干不同应力方向的介质层交叠而成桥臂结构，相邻所述介质层结构的材料不同；半导体层序列；所述桥臂与所述半导体层序列接触固定，通过将不同应力方向的多层...
    2026-01-02
  • 一种具有AlGaN/InGaN超晶格阱层的量子阱LED及其制备方法
    一种具有AlGaN/InGaN超晶格阱层的量子阱LED及其制备方法_吉林大学_202511556081.8
    一种具有AlGaN/InGaN超晶格阱层的量子阱LED及其制备方法，属于半导体发光器件技术领域。该量子阱LED由衬底、成核层、GaN未掺杂层、n型GaN层、多量子阱有源区、电子阻挡层、p型GaN层、电流扩展层、钝化层和电极组成；多量子阱有源...
    2026-01-02
  • 微型发光二极管及其制备方法
    微型发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511549622.4
    本公开提供了一种微型发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的n型GaN层、浅阱层、多量子阱层和p型含铝半导体层；所述浅阱层包括交替层叠的多个InyGa1‑yN层和多个GaN层，0.01＜Y＜0.1；所述多量...
    2026-01-02
  • 一种基于差异化欧姆接触材料的退火温度卡控方法
    一种基于差异化欧姆接触材料的退火温度卡控方法_微玖(苏州)光电科技有限公司_202511550729.0
    本申请公开了一种基于差异化欧姆接触材料的退火温度卡控方法，针对现有AlGaInP基红光Micro‑LED的N面Au/Ge欧姆接触层退火温度监控不准、温场不均难检测、异常响应滞后的问题，该方法通过七步工艺(两次图形化、两次金属镀膜、两次去胶、...
    2026-01-02
  • 一种基于四元锑化物盖层的量子点及其生长方法
    一种基于四元锑化物盖层的量子点及其生长方法_湖南汇思光电科技有限公司_202511544358.5
    一种基于四元锑化物盖层的量子点及其生长方法，生长方法包括：将衬底去除氧化层，并除气；在衬底上进行第一GaAs缓冲层的生长；在第一GaAs缓冲层上进行AlGaAs缓冲层的生长；在AlGaAs缓冲层上进行第二GaAs缓冲层的生长；在第二GaAs...
    2026-01-02
  • 减少Mini LED焊接中腐蚀结晶的方法及Mini LED模组
    减少Mini LED焊接中腐蚀结晶的方法及Mini LED模组_江西省东都智能装备科技有限公司_202511053301.5
    本发明公开了一种减少Mini LED焊接中腐蚀结晶的方法及Mini LED模组，涉及半导体技术领域，该方法包括：对PCB基板进行等离子清洗；在干燥后PCB基板的焊盘区域喷涂气态助焊剂；对焊盘区域喷涂有气态助焊剂的PCB基板进行多阶式加热，使...
    2026-01-02
  • 一种AlN基外延基底结构及其制备方法和应用
    一种AlN基外延基底结构及其制备方法和应用_北京中博芯半导体科技有限公司_202510992086.9
    本申请公开了一种AlN基外延基底结构及其制备方法和应用，属于半导体技术领域。本申请的AlN基外延基底结构的制备方法包括如下步骤：用沉积法在基材上制备交替层叠设置的AlGaN层和第二AlN层，然后再用沉积法在第二AlN层远离AlGaN层的表面...
    2026-01-02
  • 通过热自分裂工艺制造具有薄膜芯片结构的高输出紫外(UV)LED的方法
    通过热自分裂工艺制造具有薄膜芯片结构的高输出紫外(UV)LED的方法_威弗洛得有限公司_202510691960.5
    本发明涉及通过热自分裂工艺制造具有薄膜芯片结构的高输出紫外(UV)LED的方法。所述方法包括：在由SiC制成的生长基底上依次形成缓冲层和发射层的外延生长步骤；在发射层上形成n欧姆层和/或p欧姆层的第一制备工艺步骤；向生长基底的内部辐射激光以...
    2026-01-02
  • 一种光转换玻纤复合板及其制备方法和应用
    一种光转换玻纤复合板及其制备方法和应用_深圳市华宝新能源股份有限公司_202511575110.5
    本发明涉及一种光转换玻纤复合板及其制备方法和应用，所述光转换玻纤复合板包括光子晶体层和荧光转换层；所述光子晶体层包括光子晶体薄膜；所述荧光转换层包括荧光转换玻纤复合材料，所述荧光转换玻纤复合材料的制备原料包括荧光转换材料。本发明提供的光转换...
    2026-01-02
  • 一种BC太阳能电池及其钝化工艺
    一种BC太阳能电池及其钝化工艺_平煤隆基新能源科技有限公司_202511209162.0
    本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种BC太阳能电池及其钝化工艺，该太阳能电池，包括硅基(7)，该硅基(7)的表面依次形成有SiO2钝化层(2)、Al2O3钝化层(1)及SiNx : H钝化层(3)，且所述SiO2钝化层(2)、Al2O3钝化...
    2026-01-02
  • 太阳电池及其制备方法
    太阳电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202411310827.2
    本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。太阳电池包括衬底、空穴传输层、电子传输层以及种子层。种子层包括第一种子层和/或第二种子层。在太阳电池中引入第一种子层和第二种子层，第一种子层的功函数介于衬底的功函数和空穴传输层的功函数之间，第二种子层的功...
    2026-01-02
  • 太阳电池及其制备方法
    太阳电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202410949144.5
    本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。太阳电池包括衬底、P型掺杂层、N型掺杂层、第一电极以及第二电极；所述P型掺杂层和所述N型掺杂层分别位于所述衬底的正面和背面，所述第一电极与所述P型掺杂层连接，所述第二电极与所述N型掺杂层连接；所述P型掺杂...
    2026-01-02
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