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最新专利技术
  • 一种单晶锰酸锂的包覆改性方法
    一种单晶锰酸锂的包覆改性方法_福建省云智新材料科技有限公司_202510956827.8
    本发明涉及动力电池技术领域，公开了一种单晶锰酸锂的包覆改性方法，取平均粒径6‑8μm的单晶Mn3O4置于气氛炉中，通入含5vol％氢气的氩氢混合气，以5℃/min升温至580℃保温8小时，随后在含2vol％氧气的氮氧混合气中冷却至300℃，...
    2026-02-27
  • 一种化合物碲酸钛铅非线性光学晶体及制备方法和用途
    一种化合物碲酸钛铅非线性光学晶体及制备方法和用途_天津理工大学_202410676101.4
    本发明提供了一种碲酸钛铅二阶非线性光学晶体及其制备方法和用途，属于光学晶体材料技术领域。所述化合物由固相合成法和助熔剂法制备，该制备方法包括采用助熔剂法生长碲酸钛铅非线性光学晶体的步骤。所得产品具有大的倍频效应，大的光学带隙，宽的透过范围，...
    2026-02-27
  • 一种稀土硼酸盐二阶非线性光学晶体及其制备方法和用途
    一种稀土硼酸盐二阶非线性光学晶体及其制备方法和用途_天津理工大学_202410676055.8
    本发明提供了一种稀土硼酸盐二阶非线性光学晶体及其制备方法和用途，属于光学晶体材料技术领域。所述化合物由固相合成法和助熔剂法制备，该制备方法包括采用助熔剂法生长稀土硼酸盐非线性光学晶体的步骤。所得产品具有大的倍频效应，大的光学带隙，短的紫外截...
    2026-02-27
  • 连续直拉单晶全透明内衬石英坩埚及其制备方法与应用
    连续直拉单晶全透明内衬石英坩埚及其制备方法与应用_浙江美晶新材料股份有限公司_202511588573.5
    本发明公开了一种连续直拉单晶全透明内衬石英坩埚及其制备方法与应用，属于石英坩埚技术领域。该内衬石英坩埚包括坩埚本体，坩埚本体包括由内至外依次设置的第一透明层、第二透明层和第三透明层；其中，坩埚本体的总厚度为d，第一透明层和第三透明层的厚度均...
    2026-02-27
  • 卤素钒酸盐非线性光学晶体及其制备方法和应用
    卤素钒酸盐非线性光学晶体及其制备方法和应用_中国科学院理化技术研究所_202511181169.6
    本发明公开一种卤素钒酸盐非线性光学晶体及其制备方法和应用。所述非线性光学晶体的化学式为M4AV5O15X，其中，M选自K或Rb，A选自Cd或Zn，X选自Cl或Br；所述非线性光学晶体为非中心对称结构，属于四方晶系，空间群为P4。所述非线性光...
    2026-02-27
  • 一种钆基蜂巢晶格碳酸盐晶体及其制备方法与应用
    一种钆基蜂巢晶格碳酸盐晶体及其制备方法与应用_南方科技大学_202510959711.X
    本发明涉及绝热去磁制冷材料技术领域，公开了一种钆基蜂巢晶格碳酸盐晶体及其制备方法与应用。所述钆基蜂巢晶格碳酸盐晶体的化学式为Na2Gd(CO3)F3，所述钆基蜂巢晶格碳酸盐晶体属于正交体系，空间群为Pbca，为中心对称结构，晶体的晶胞参数为...
    2026-02-27
  • 碳化硅外延片及其制备方法
    碳化硅外延片及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511177932.8
    本申请涉及半导体技术领域，提供一种碳化硅外延片及其制备方法，碳化硅外延片的制备方法包括：提供碳化硅衬底；在碳化硅衬底上形成第一缺陷阻挡层；在第一缺陷阻挡层上形成第二缺陷阻挡层，第二缺陷阻挡层与第一缺陷阻挡层的化学成分一致；在第二缺陷阻挡层背...
    2026-02-27
  • 使用经由远程外延进行碳化硅层转移的结构制造方法及碳化硅结构
    使用经由远程外延进行碳化硅层转移的结构制造方法及碳化硅结构_半导体元件工业有限责任公司_202510367992.X
    一种使用经由远程外延进行碳化硅(SiC)层转移的结构制造方法及碳化硅结构，该方法包括在供体晶圆的碳面上形成范德华层，在该范德华层上生长外延SiC层，并且将该外延SiC层晶圆键合到支撑基板晶圆。该支撑基板晶圆由多晶SiC制成。该方法还包括将该...
    2026-02-27
  • 多片炉的调试方法
    多片炉的调试方法_天津中环领先材料技术有限公司_202511431878.5
    本申请公开了一种多片炉的调试方法，属于半导体制造技术领域，本申请实施例的多片炉的调试方法中，通过获取满炉工艺与单片工艺的平均功率并得到两者之间的功率偏差，进而将该功率偏差通过预设的换算关系与单片测试的膜厚均值及电阻均值相关联，以预测整炉的膜...
    2026-02-27
  • 一种批量制备单晶氮化硼晶圆的前驱体载具及装置
    一种批量制备单晶氮化硼晶圆的前驱体载具及装置_北京大学_202511614488.1
    本发明涉及一种批量制备单晶氮化硼晶圆的前驱体载具及装置，前驱体载具包括具有柱状结构的前驱体载具本体，所述前驱体载具本体上设置若干沿其轴向延伸的孔道，所述孔道用于放置前驱体容纳管；所述前驱体容纳管包括一端开口的外套管以及置于所述外套管内的一端...
    2026-02-27
  • 材料沉积装置及相关方法
    材料沉积装置及相关方法_ASMIP私人控股有限公司_202510686161.9
    描述了材料沉积装置和相关方法。当前描述的设备和方法允许在沉积和蚀刻步骤期间以变化的衬底旋转速度执行循环沉积‑蚀刻过程。因此，它们允许沉积具有优异均匀性的材料。
    2026-02-27
  • 时空调制氢化物气相外延反应室、设备及方法
    时空调制氢化物气相外延反应室、设备及方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511570210.9
    本发明公开时空调制氢化物气相外延反应室、设备及方法。其中反应室，包括：一个带水冷侧壁，并由法兰限定有腔体的反应室，腔体内部分成上、中、下三个部分；一个金属源反应舟组件，位于反应室腔体的上半部分；一个时空调制反应生长装置，位于反应室腔体的中部...
    2026-02-27
  • 半导体制造装置及半导体制造方法
    半导体制造装置及半导体制造方法_三菱电机株式会社_202510514099.5
    本公开涉及半导体制造装置及半导体制造方法，其目的在于提供一种能够防止形成在基座上表面的外周部的膜附着于基板的上表面的半导体制造装置或半导体制造方法。本公开的半导体制造装置具备：基座、和位于基座的上方的气体导入口。基座具有：载置基板的支架部、...
    2026-02-27
  • 一种锑化镓金属源生长氧化镓薄膜的方法
    一种锑化镓金属源生长氧化镓薄膜的方法_南京邮电大学_202511252099.9
    本发明公开了一种锑化镓金属源生长氧化镓薄膜的方法，以锑化镓作为镓金属源，氧气作为氧源，氩气作为载气，通过低压气相化学反应生长氧化镓外延薄膜；锑化镓的升华温度低，作为金属源参与反应可以有效降低气相生长氧化镓外延薄膜的温度；本方法生长的氧化镓外...
    2026-02-27
  • 一种碳化硅生长设备的清洁方法
    一种碳化硅生长设备的清洁方法_楚赟精工科技(上海)有限公司_202511203713.2
    本发明提供了一种碳化硅生长设备的清洁方法，包括向生长腔室通入含氢气和氟化氢的无氧清洁气体后，再通入甲硅烷。执行交替通入无氧清洁气体和甲硅烷的步骤至少一次后，执行生长碳化硅层的步骤。生长腔室内的预定温度不低于1400摄氏度，并控制高于生长压力...
    2026-02-27
  • 一种MoxB1-xS2薄膜材料及其制备方法和用途
    一种MoxB1-xS2薄膜材料及其制备方法和用途_积石芯材(西安)科技有限公司_202511208413.3
    本发明涉及一种MoxB1‑xS2薄膜材料及其制备方法和用途。制备高掺杂失配杂原子的MoxB1‑xS2薄膜材料的方法包括：提供一蓝宝石基底，作为生长基底；选取Mo源溶液和失配原子B源溶液，将两者混合获得金属元素源溶液；将所述金属元素源溶液均匀...
    2026-02-27
  • 一种高质量氧化镓外延薄膜的制备方法及氧化镓薄膜
    一种高质量氧化镓外延薄膜的制备方法及氧化镓薄膜_北京镓创半导体材料有限公司_202511209588.6
    本申请涉及氧化镓薄膜制备技术领域，尤其是涉及一种高质量氧化镓外延薄膜的制备方法、制备装置、氧化镓外延薄膜及其应用，高质量氧化镓外延薄膜的制备方法包括以下步骤：准备衬底以及多个靶材，进行双阶段分布沉积，第一阶段通过离轴靶材/低功率靶材沉积形成...
    2026-02-27
  • 碳化硅生长用进料装置
    碳化硅生长用进料装置_江苏汉印机电科技股份有限公司_202510991180.2
    本发明公开了碳化硅生长用进料装置，包括进料箱及其内部安装的输送机构，输送机构上设置有可上下移动的坩埚，进料箱内设置有均匀上料组件，均匀上料组件包括导向盘，导向盘上滑动设置有上料管，上料管上转动设置有滑动管，导向盘的底部转动设置有抹平架和搅拌...
    2026-02-27
  • 熔体硅液面高度检测装置及其工作方法
    熔体硅液面高度检测装置及其工作方法_常州臻晶半导体有限公司_202511573941.9
    本发明属于测量技术领域，具体涉及液位测量，尤其涉及一种熔体硅液面高度检测装置及其工作方法，其中熔体硅液面高度检测装置，包括：坩埚，以及设置在所述坩埚上方的炉盖，所述炉盖上倾斜开设有观察孔；所述炉盖上设置有探测机构，所述探测机构从炉盖底面伸出...
    2026-02-27
  • 一种基于连续直拉单晶(CCz)快速收尾方法
    一种基于连续直拉单晶(CCz)快速收尾方法_包头美科硅能源有限公司_202511208357.3
    本发明涉及单晶硅制造技术领域，具体涉及一种基于连续直拉单晶(CCz)快速收尾方法，包括以下步骤：当晶棒长度达到设定目标长度的或指定剩料重量时，触发快速收尾程序；第一阶段降料控温：将颗粒硅下料器的颗粒硅下料速度从常规值匀速降至初始值的50%‑...
    2026-02-27
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