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最新专利技术
  • 快速热处理工艺设备及晶圆位置纠偏方法
    快速热处理工艺设备及晶圆位置纠偏方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410702616.7
    本发明提供了快速热处理工艺设备及晶圆位置纠偏方法；其中，承载环的正面承载有晶圆，背面设有热致变色部；当加热组件对晶圆进行热辐射加热时，承载环中晶圆覆盖区域和未覆盖区域存在温差，导致晶圆覆盖区域的热致变色部未发生变色，晶圆未覆盖区域的热致变色...
    2026-01-29
  • 恒温设备
    恒温设备_沈阳芯源微电子设备股份有限公司_202410699364.7
    本发明提供了一种恒温设备，包括介质导流组件、导热件、热电模块件和热交换件；介质导流组件包括导流件，导流件包括至少一组导流通道，每一组导流通道包括两个分别设置于导流件的两对称换热作用面的子导流通道，两个子导流通道通过设置于子导流通道中部的贯穿...
    2026-01-29
  • 一种半导体处理装置
    一种半导体处理装置_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202410696071.3
    本申请公开了一种半导体处理装置，涉及半导体刻蚀领域，该半导体处理装置中处理腔室的四种进气口分别通过供气柜的四种供气通道供气，供气柜的气体通过中心供气通道和中心进气口流向待处理工件的中心区域、通过中间供气通道和中间进气口流向待处理工件的中间区...
    2026-01-29
  • 一种原子层刻蚀设备
    一种原子层刻蚀设备_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202410688949.9
    本申请提供一种原子层刻蚀设备，原子层刻蚀设备包括：离子源、表面改性系统、载台和运动轨道。载台在运动轨道上沿着第一方向和/或第二方向运动，离子源在向待刻蚀结构发射离子束的同时表面改性系统向待刻蚀结构喷射改性物质，分别在待刻蚀结构的表面形成刻蚀...
    2026-01-29
  • 一种封装结构的清洗方法及清洗装置
    一种封装结构的清洗方法及清洗装置_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410687252.X
    本发明提出一种封装结构的清洗方法及清洗装置。包括：批量清洗工序：将至少两个封装结构放置在第一清洗模块的清洗槽内，对至少两个封装结构进行批量清洗；将经过批量清洗工序清洗后的封装结构放置在第二清洗模块的清洗腔内执行单片清洗工序；其中，每一个第二...
    2026-01-29
  • 一种封装结构的清洗方法及清洗装置
    一种封装结构的清洗方法及清洗装置_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410684008.8
    本发明提出一种封装结构的清洗方法及清洗装置。清洗方法包括如下步骤：向封装结构喷洒清洗液；对封装结构所在的腔室抽气，使腔室内的压力达到预定压力，预定压力为负压保持封装结构静止预定时间，使清洗液进入封装结构的缝隙中对封装结构进行清洗。本发明通过...
    2026-01-29
  • 离子注入角度的监测方法和监测系统、离子注入设备
    离子注入角度的监测方法和监测系统、离子注入设备_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410678903.9
    本发明提供了一种离子注入角度的监测方法和监测系统、离子注入设备。该监测方法中，将检测用离子束调整为非平行的第一离子束和至少两束第二离子束，并同时作用于同一基片上，从而可以在同一基片上同时形成不同注入角度的注入区，相应的可以从该基片上获取不同...
    2026-01-29
  • 晶圆检查方法及半导体工艺设备
    晶圆检查方法及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410650327.7
    本申请公开了一种晶圆检查方法及半导体工艺设备。其中，该方法包括：获取晶圆盒图像；采用改进的最大熵分割法，对所述晶圆盒图像进行图像分割处理，得到晶圆边缘图像；对所述晶圆边缘图像进行分析，得到晶圆检查结果，所述晶圆检查结果包括以下至少一种：晶圆...
    2026-01-29
  • LED晶圆多通道测试数据修正方法及计算机设备
    LED晶圆多通道测试数据修正方法及计算机设备_江西耀驰科技有限公司_202511192568.2
    本发明公开了一种LED晶圆多通道测试数据修正方法及计算机设备，涉及LED技术领域，所述方法包括：通过多通道探针组对晶圆上的所有晶粒进行分别进行测试，以获取晶粒的的测试信息；根据非亮度测试值对晶粒进行筛选以提取基准晶粒；将晶圆划分为至少两个基...
    2026-01-29
  • 硅片检测方法、装置及硅片检测系统
    硅片检测方法、装置及硅片检测系统_广东金湾高景太阳能科技有限公司_202511185950.0
    本申请提供一种硅片检测方法、装置及硅片检测系统，涉及硅片检测技术领域。该方法包括：通过响应于检测指令，控制传送装置，将待检测硅片从上料位置移动至预设检测位置；获取传感器装置采集到的、各扫描窗口对应的待检测硅片的扫描数据，并基于各扫描窗口对应...
    2026-01-29
  • 一种测试样品及其制造方法
    一种测试样品及其制造方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511185710.0
    一种测试样品及其制造方法，测试样品用于监控金属层间结合力，方法包括：提供衬底和掩膜版，所述掩膜版上具有至少一个图形，每个所述图形对应于一个晶粒；在所述衬底上依次形成底层金属层、钝化层；基于所述掩膜版对所述钝化层进行刻蚀，在所述钝化层中形成与...
    2026-01-29
  • 集成电路的生产协同控制方法、系统及设备
    集成电路的生产协同控制方法、系统及设备_深圳市科路迪机械设备有限公司_202511134934.9
    本发明提供了集成电路的生产协同控制方法、系统及设备，涉及自动化控制技术领域，方法包括：在进行晶圆标准化刻蚀过程中，执行刻蚀跟踪，获得四维参数场；进行微环境动态聚类，分割为K组刻蚀工艺分区分布；进行刻蚀工艺需求分解，得到K组工艺分区需求分布；...
    2026-01-29
  • 半导体装置的检查方法
    半导体装置的检查方法_株式会社东芝_202510099694.7
    提供能够防止由BPD引起的半导体装置的特性的降低的半导体装置的检查方法。实施方式包含下面的工序。准备包含碳化硅的半导体基板。通过透射偏振图像取得装置，生成所述半导体基板的透射偏振图像的图像数据。通过透射偏振图像处理装置对图像数据进行图像处理...
    2026-01-29
  • 测试结构及其形成方法
    测试结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(天津)有限公司_202410705025.5
    一种测试结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，包括第一基底、位于第一基底上的埋氧层以及位于埋氧层上的第二基底，包括第一区和至少一个第二区；在第一区形成第一器件结构；在第二基底上形成介质结构和位于介质结构内的天线结构，天线结构与第一器件结构电...
    2026-01-29
  • 一种芯片键合方法、系统、电子设备及存储介质
    一种芯片键合方法、系统、电子设备及存储介质_广州市艾佛光通科技有限公司_202511268072.9
    本申请提供了一种芯片键合方法、系统、电子设备及存储介质，涉及半导体技术领域。通过获取键合头当前的压力信息和位置信息，并根据这些信息调整键合头的压力输出和升降运动，以使键合头按照预设的降压曲线进行压力释放。该方法有效解决了现有技术中键合压力瞬...
    2026-01-29
  • 键合压盘冷却装置及键合设备
    键合压盘冷却装置及键合设备_智慧星空(上海)工程技术有限公司_202510121322.X
    本申请公开了一种键合压盘冷却装置及键合设备，涉及键合设备相关技术领域。本申请提供的键合压盘冷却装置包括壳体，壳体内形成有安装腔，安装腔内设有吸附组件、加热组件、支撑组件和冷却组件；吸附组件具有在第一方向相对而设的第一侧和第二侧，第一侧用于承...
    2026-01-29
  • 一种Bump芯片抛平方法及Bump芯片
    一种Bump芯片抛平方法及Bump芯片_江西兆驰半导体有限公司_202511588818.4
    本发明公开了一种Bump芯片抛平方法及Bump芯片，涉及半导体技术领域，所述方法包括：建立抛平过程中凸点剖面轮廓的抛物线模型；依据抛物线模型得到凸点穹顶高度h与凸点底面跨度d的关系；得到凸点底面跨度d的范围，并作为焊盘尺寸范围I；依据芯片推...
    2026-01-29
  • 一种改进的键合工艺方法
    一种改进的键合工艺方法_矽赫微科技(上海)有限公司_202511188727.1
    本发明涉及半导体制备与键合工艺领域，提出一种改进的键合工艺方法，其中包括湿法刻蚀、等离子活化和键合等工艺。所述方法包括测量材料表面的氧化膜层厚度；对键合材料的表面进行湿法刻蚀；对键合材料进行等离子活化；对键合材料进行键合操作；以及对键合材料...
    2026-01-29
  • 管芯接合装置和使用管芯接合装置的管芯定位方法
    管芯接合装置和使用管芯接合装置的管芯定位方法_艾塔尔公司_202510544915.7
    本发明涉及使用管芯接合装置的管芯定位方法，装置包括：滑架；线性编码器，包括编码器标尺以及第一和第二编码器头。滑架包括接合头和相机。接合头的中心轴和相机的光轴沿着行进方向彼此相距第一距离。第一和第二编码器头沿着行进方向彼此相距第二距离，第二距...
    2026-01-29
  • 覆晶封装制程
    覆晶封装制程_印能科技股份有限公司_202410695610.1
    一种覆晶封装制程，包含有：制备多个芯片，各该芯片设置多个导电凸块；制备多个线路载板，各该线路载板对应于各该导电凸块分别配置一焊垫；将各该芯片翻覆并对位，各该芯片及各该线路载板运送至一批量式回焊炉内，进行金属熔接作业，制成多个覆晶封装结构；填...
    2026-01-29
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