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最新专利技术
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410720450.1
    一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底和位于衬底上的鳍部，衬底包括基底以及位于基底上的隔离层，鳍部位于基底上，衬底包括第一器件区；在第一器件区的衬底上和第一器件区的鳍部上形成牺牲层，牺牲层顶部高于鳍部的顶部；在牺牲层内形成栅极开口，...
    2025-12-25
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410713233.X
    一种半导体结构及其形成方法，包括：形成位于基底上沿第一方向延伸的介质鳍槽、形成沿第二方向延伸且横穿所述介质鳍槽的隔断槽；形成位于介质鳍槽中第一牺牲层和位于隔断槽中第二牺牲层；进行图形化处理，获得多个鳍，包括：图形化第一牺牲层获得牺牲鳍，图形...
    2025-12-25
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511649809.1
    本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：检测所述第一器件和所述第二器件的栅极结构之间的高度差；在所述半导体结构的表面依次沉积多晶硅层和牺牲层；减薄所述牺牲层至暴露所述第二器件的栅极结构上的多晶硅层的上表面；对所述第二器件中的栅极结构上...
    2025-12-25
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511649237.7
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法，栅极在栅极延伸方向上被切割成多段，相邻段栅极之间形成有栅极隔离结构，通过在侧壁氮化硅及在被暴露出来的衬底上引入水汽，利用疏水性原理，采用自对准工艺在栅极的顶部和栅极隔离结构的顶部形成保护层。在回刻工艺中...
    2025-12-25
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511621739.9
    本发明提供一种半导体器件的形成方法，刻蚀栅极材料层并停止在高阻膜层上，刻蚀高阻膜层以同时形成栅极结构和高阻结构，然后依次形成第一介质层和第二介质层，接着刻蚀第二介质层形成第一接触孔，继续刻蚀第一介质层形成第二接触孔和第三接触孔，第一接触孔位...
    2025-12-25
  • 改善具有位错结构的半导体器件漏电的方法
    改善具有位错结构的半导体器件漏电的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511140724.0
    本申请提供一种改善具有位错结构的半导体器件漏电的方法，包括：提供一衬底，在衬底上形成栅极结构；在栅极结构侧面形成第一侧墙后，在第一侧墙两侧的衬底中形成LDD区；在衬底的PMOS区形成锗硅层；在衬底的NMOS区形成非晶化区域；在NMOS区沉积...
    2025-12-25
  • 集成电路装置的制备方法
    集成电路装置的制备方法_北京大学_202511120299.9
    本申请公开了一种集成电路装置的制备方法，包括：提供基板，基板包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、空穴俘获层、沟道层、势垒层以及空穴提供层；制备间隔窗口，各间隔窗口由空穴提供层延伸到势垒层且相邻两个间隔窗口之间形成半导体器件的栅控结构；制备隔离窗...
    2025-12-25
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_华为技术有限公司_202510751612.2
    在一些示例中，一种方法包括：在衬底上形成第一纳米片层叠层，在所述第一纳米片层叠层上形成第二纳米片层叠层，其中，所述第一叠层和所述第二叠层的所述纳米片层分别包括交替的硅层和硅锗层，其中，所述第一叠层的所述硅层具有第一厚度，所述第二叠层的所述硅...
    2025-12-25
  • 具有金属硅化物的半导体器件及其制造方法
    具有金属硅化物的半导体器件及其制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410708704.8
    本发明提供一种具有金属硅化物的半导体器件及其制造方法，在不影响器件特征尺寸和其他性能的前提下，通过对栅极结构侧壁上的侧墙的部分底部进行侧掏，扩大栅极结构外侧的衬底上的金属硅化物的形成面积和线宽，从而能够获得更小的金属硅化物电阻，减弱金属硅化...
    2025-12-25
  • 半导体器件的制作方法、半导体器件及电子设备
    半导体器件的制作方法、半导体器件及电子设备_华为技术有限公司_202410685521.9
    本申请提供了一种半导体器件的制作方法、半导体器件及电子设备。制作方法包括：去除侧壁结构背离替代栅的部分以形成第二隔离层，层间介电结构背对替代栅的部分伸出第二隔离层。以层间介电结构为掩模版形成第二半导体层，第二半导体层位于层间介电结构的内侧。...
    2025-12-25
  • 二极管功率器件及其制备方法
    二极管功率器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511585962.2
    本申请公开了一种二极管功率器件及其制备方法。该二极管功率器件包括：基底，包括层叠的衬底和外延层，外延层具有第一表面以及由第一表面延伸至内部的多个沟槽；注入区，包括位于外延层中的表层注入区和多个反型区，表层注入区为外延层中通过对部分第一表面进...
    2025-12-25
  • 半导体结构及其制备方法、半导体器件
    半导体结构及其制备方法、半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511632267.7
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，包括：提提衬底；以及位于衬底的第一表面上沿平行于第一表面的第一方向交替排列的层间介质层、栅沟槽；栅沟槽内包括沿背离衬底的第二方向依次排列的介质叠层、目标功函数层、保护层、阻挡层及金属导电层；...
    2025-12-25
  • 半导体结构
    半导体结构_力晶积成电子制造股份有限公司_202410789386.2
    本发明公开一种半导体结构，包括基底、第一导电层、第二导电层、功函数层、填充层与第一介电层。第一导电层位于基底中。第二导电层位于第一导电层与基底之间。功函数层位于第一导电层上。功函数层的剖面形状为U型且具有凹陷。填充层位于凹陷中。填充层的顶面...
    2025-12-25
  • 晶圆表面薄膜的沉积方法及半导体加工系统
    晶圆表面薄膜的沉积方法及半导体加工系统_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511263209.1
    本申请提供了一种晶圆表面薄膜的沉积方法及半导体加工系统，其中沉积方法包括提供晶圆；对所述晶圆的边缘进行处理，用于去除所述晶圆边缘的羟基；采用原子沉积的方式在晶圆的表面沉积薄膜。本申请提供的晶圆表面薄膜的沉积方法通过在晶圆表面进行薄膜沉积之前...
    2025-12-25
  • 一种具有铁电极化耦合场板的GaN场效应晶体管
    一种具有铁电极化耦合场板的GaN场效应晶体管_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511009841.3
    本发明公开了一种具有铁电极化耦合场板的GaN场效应晶体管，该晶体管包括GaN外延结构以及在GaN外延结构上制备的源极金属、漏极金属、源漏保护介质、栅极金属，以及铁电极化耦合场板；所述GaN外延结构从下到上依次包括：衬底、成核层及高阻缓冲层、...
    2025-12-25
  • 半导体材料及其制备方法
    半导体材料及其制备方法_重庆欣晖材料技术有限公司_202511336061.X
    本公开实施例提供了一种半导体材料及其制备方法，其中，半导体材料包括第一碳化硅层；第一碳化硅层包括孪晶结构和非孪晶结构；孪晶结构嵌入在非孪晶结构中；孪晶结构的生长方向在第一碳化硅层的厚度延伸方向上的投影大于零；孪晶结构的尺寸大于非孪晶结构的晶...
    2025-12-25
  • 半导体结构和半导体结构的制备方法
    半导体结构和半导体结构的制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511202325.2
    本申请提供了一种半导体结构和半导体结构的制备方法。该半导体结构包括基底层、中间层以及外延层，基底层的材料包括硅；中间层位于基底层的一侧，中间层的材料包括AxByP1‑x‑yQ，其中，A的摩尔比沿预定方向逐渐增大，B和P的摩尔比分别沿预定方向...
    2025-12-25
  • 离子调控诱导二维半导体产生铁电性的方法及应用
    离子调控诱导二维半导体产生铁电性的方法及应用_华东师范大学_202511035305.0
    本发明公开了一种离子调控诱导二维半导体产生铁电性的方法及应用，该方法包括步骤：S1，将碱金属和芳香烃化合物加入到醚类溶剂中，溶解后形成混合溶液；S2，对混合溶液进行稀释，获得碱金属‑芳香烃预掺杂溶液；S3，将二维半导体材料完全浸没于S2制备...
    2025-12-25
  • 提升金属-氧化物-半导体晶体管性能的方法
    提升金属-氧化物-半导体晶体管性能的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511140714.7
    本发明提供一种提升金属‑氧化物‑半导体晶体管性能的方法。该方法包括：确定MOS晶体管的沟道长度(Lg)与应力金属栅的厚度(TMG)的比值；并根据晶体管类型，调节该Lg/TMG比值，以在沟道中产生目标类型的应力。本发明关键在于揭示并利用了拉伸...
    2025-12-25
  • 一种碳化硅功率器件
    一种碳化硅功率器件_深圳平湖实验室_202511648669.6
    本申请公开了一种碳化硅功率器件，包括：有源区，形成有碳化硅功率器件的有源结构。终端区围绕有源区的外围设置，终端区包括：碳化硅外延层和叠层设置于碳化硅外延层上的至少一层无机绝缘层。其中，终端区包括至少一个一级沟槽，一级沟槽在厚度方向上贯穿各无...
    2025-12-25
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