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含锂材料、制备方法、正极极片、二次电池及用电装置
提供了一种含锂材料、制备方法、正极极片、二次电池及用电装置。该含锂材料包括式I所示的组分,其中,M包括镍、钴、锰、铁、钠、钾、钒、钛、铜、钨、锆、钼中的一种或多种;Y包括草酸根、方酸根、碳酸根中的一种或多种;1≤a<2、0.01≤b≤0.2...
覆盖活性物质、覆盖活性物质的制造方法、正极材料以及电池
本公开的覆盖活性物质(100)具备正极活性物质(11)、存在于正极活性物质(11)的表面的碳酸氢锂、和覆盖正极活性物质(11)的表面的至少一部分的覆盖层(12),覆盖层(12)包含含锂氟化物,通过热重‑质谱联用测定存在于正极活性物质(11)...
覆盖活性物质、覆盖活性物质的制造方法、正极材料以及电池
本公开的覆盖活性物质(100)具备正极活性物质(11)、存在于正极活性物质(11)的表面的碳酸锂和覆盖正极活性物质(11)的表面的至少一部分的覆盖层(12),覆盖层(12)包含含锂氟化物,在通过中和滴定测定存在于正极活性物质(11)的表面的...
锂二次电池
本发明涉及一种锂二次电池,其包含正极、负极、设置在正极与负极之间的隔膜以及非水性电解质,其中,正极包含正极活性材料,正极活性材料包含由特定化学式表示的锂镍类氧化物,非水性电解质包含锂盐、有机溶剂、第一添加剂和第二添加剂,第一添加剂包含由特定...
正极活性材料、正极及锂二次电池
本发明涉及一种正极活性材料以及包含其的正极和锂二次电池,其中所述正极活性材料能够同时解决常规二次颗粒问题和单颗粒问题的正极活性材料,其中,所述正极活性材料通过包括如常规的单颗粒等颗粒作为一次颗粒,并包括由多个一次颗粒聚集形成的二次颗粒,从而...
正极活性物质及包括其的锂二次电池
本发明涉及一种正极活性物质及包括其的锂二次电池,更具体而言,本发明涉及一种包含低单位体积能量密度得到改善的锂及富锂锂锰基氧化物并且由此电化学特性得到提高的正极活性物质及包括其的锂二次电池。
钒氧化物复合体以及使用该钒氧化物复合体的电池
本公开的钒氧化物复合体具备含有钒氧化物的粒子、以及将该粒子的表面的至少一部分覆盖的导电性材料。所述粒子的表面上的导电性材料的覆盖率为30%以上。钒氧化物复合体的平均粒径为0.5μm以上且5.0μm以下。
正极材料、包含其的正极和锂二次电池
本发明涉及一种正极材料,其包含多个单颗粒型正极活性材料颗粒,其中所述单颗粒型正极活性材料颗粒包含1至30个一次颗粒,所述一次颗粒的凸度的算术平均值与所述一次颗粒的平均长径比的比值为至少0.63,所述一次颗粒的凸度从通过对所述正极材料的扫描电...
正极材料、包含其的正极和锂二次电池
本发明涉及一种正极材料,其包含多个单颗粒型正极活性材料颗粒,其中所述单颗粒型正极活性材料颗粒包含1至30个一次颗粒,从通过对所述正极材料的扫描电子显微镜(SEM)图像进行图像处理而获得的针对每个一次颗粒单元划分的分割图像测量的所述一次颗粒的...
锂硫电池正极
一种用于锂硫电池的正极材料的制备方法,所述方法包含(i)在氧化石墨烯或还原氧化石墨烯片上使金属离子成核,使得所述金属离子化学键合至所述氧化石墨烯或还原氧化石墨烯片的基面上;(ii)随后,通过向步骤(i)产物中添加多官能配体并任选地将所得混合...
二次电池及其制备方法和用电装置
本申请提供了一种二次电池及其制备方法和用电装置。该二次电池包括正极极片,正极极片包括正极活性材料和添加剂,正极活性材料包括基体材料和至少部分覆盖于基体材料上的包覆层,包覆层包含补锂材料或还原材料,添加剂包含补锂材料或还原材料,包覆层或添加剂...
非水电解质二次电池用正极活性物质及非水电解质二次电池
提供能够实现电池容量的提高的非水电解质二次电池用正极活性物质。一种非水电解质二次电池用正极活性物质,其特征在于,具有含锂复合氧化物,所述含锂复合氧化物包含一次粒子凝聚而成的二次粒子,所述含锂复合氧化物,在二次粒子的截面观察中,在每76.46...
二次电池和用电装置
一种二次电池和用电装置。该二次电池包括正极极片,正极极片包括正极膜层,正极膜层包括补锂组合物,补锂组合物包含补锂剂和还原剂,还原剂的电子电导率大于等于10‑6S/cm。该二次电池具有优异的循环性能,长的使用寿命。
用于制备电极混合物的方法以及用于执行该方法的装置
一种用于制备电极混合物的方法,该电极混合物由多种物质组成,即由质量占比为w1的活性材料、可选的质量占比为w2的添加剂和质量占比为w3的粘结剂组成,其中w1和w3均>0%,w2≥0%,并且w1、w2和w3分别<100%,所述方法包括以下步骤:...
半导体装置及其制造方法
半导体装置具备:第一基板(100),其安装有第一半导体元件(10),具有配置于正面的周围的多个第一正面侧焊盘;第二基板(200),其安装有第一半导体元件(20),具有配置于正面的周围的多个第二正面侧焊盘;第三基板(300),其与第一基板(1...
用于背侧功率递送网络的内插层
在一些实施例中,一种结构包括:有源元件,具有前侧和与前侧相对的背侧,该有源元件具有比背侧更接近前侧的有源电路装置;以及功率再分配元件,具有混合接合到有源元件的背侧的前侧,该功率再分配元件包括在功率再分配元件的前侧上的第一多个触点焊盘和在与功...
埋入式电力轨上的直接接合
集成电路和制造方法包括多个晶体管,晶体管中的每个晶体管包括源极、漏极和位于源极与漏极之间的通道。集成电路还包括多个埋入式电力轨,其包括多个VSS电力轨和多个VDD电力轨;至少一个VSS焊盘和至少一个VDD焊盘;多个过孔,其将至少一个VSS焊...
电路板和包括该电路板的半导体封装
根据实施例的电路板包括:绝缘层;电极部,所述电极部被布置在所述绝缘层上;以及表面处理部,所述表面处理部被布置在所述电极部上。所述电极部包括:第一焊盘,所述第一焊盘被布置在所述绝缘层上;以及第二焊盘,所述第二焊盘被布置在所述绝缘层上并且在水平...
包括背侧电源/接地传输的整合式冷却组件及其制造方法
本揭示内容提供包括背侧电源传输的整合式冷却系统及其制造方法。整合式冷却组件可包括装置及冷板。所述冷板具有第一侧及相对第二侧,所述第一侧具有:凹面;包围所述凹面的侧壁,这些侧壁自所述凹面向下延伸以界定空腔;及数个支撑特征,其安置于所述空腔中。...
硅通孔上的导电垫
提供一种半导体装置。所述半导体装置包含具有前侧及与所述前侧相对的背侧的衬底。通孔完全延伸穿过所述衬底。所述通孔包含延伸超过所述衬底的所述背侧的突出部分。氮化硅碳层安置于所述衬底的所述背侧处且沿着所述通孔的所述突出部分的侧壁。氧化物层安置于所...
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