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最新专利技术
  • 一种球阀球体的表面处理工艺
    一种球阀球体的表面处理工艺_前程控股集团有限公司_202511353788.9
    本发明涉及表面处理领域，具体为一种球阀球体的表面处理工艺；该表面处理工艺包括：将球阀球体经过预处理，得到经预处理的球阀球体；将经预处理的球阀球体经过活化，得到经活化的球阀球体；配置化学镀液，将经活化的球阀球体施镀，得到经化学镀的球阀球体；再...
    2026-02-14
  • 一种低应力化学镀镍液及其制备方法
    一种低应力化学镀镍液及其制备方法_深圳市精诚达电路科技股份有限公司_202511378642.X
    本发明涉及化学镀镍技术领域，具体公开了一种低应力化学镀镍液及其制备方法，本发明提供的化学镀镍液通过配方的优化调整，实现了镍层的均匀沉积，其中氨基磺酸镍提供稳定镍源，还原剂与络合剂配合控制沉积速率，柠檬酸氢钠维持镀液的酸碱平衡，复合添加剂中的...
    2026-02-14
  • 一种在石英玻璃上制备非晶硅薄膜的方法及应用
    一种在石英玻璃上制备非晶硅薄膜的方法及应用_深圳清力技术有限公司_202511104738.7
    本发明公开了一种在石英玻璃上制备非晶硅薄膜的方法及应用，属于非晶硅制备技术领域。本发明通过将石英玻璃片在含硅烷的气体流中进行多次PECVD沉积，得到非晶硅薄膜；每次PECVD沉积后均在保护气体流下进行冷却。所述石英玻璃片放置在硅片上，硅片放...
    2026-02-14
  • 一种氮化硅薄膜的沉积方法及薄膜
    一种氮化硅薄膜的沉积方法及薄膜_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511605629.3
    本申请提供了一种氮化硅薄膜的沉积方法及薄膜，该方法包括步骤：S1：提供一硅晶圆并将其置于PECVD设备的真空腔室中，升温至工艺温度；S2：向真空腔室内通入硅源气体和氮源气体，通过控制沉积工艺参数，并通入高频射频功率以激发等离子体，以在硅晶圆...
    2026-02-14
  • 一种基板处理腔室及其柔性接地装置
    一种基板处理腔室及其柔性接地装置_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410815055.1
    一种基板处理腔室及其柔性接地装置，柔性接地装置包含多个柔性编织带，柔性编织带的第一端连接至基板处理腔室内的基板支撑件，柔性编织带的第二端连接至基板处理腔室的腔室主体，柔性编织带中的多条带材相互交错缠绕形成编织结构。本发明使用具有编织结构的接...
    2026-02-14
  • 工艺腔室和半导体工艺设备
    工艺腔室和半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410814821.2
    本申请公开一种工艺腔室和半导体工艺设备，属于半导体加工领域，所述工艺腔室包括腔室本体和加热灯；所述腔室本体内设有承载装置，所述腔室本体包括位于所述承载装置上方和/或下方的透光部，所述加热灯位于所述腔室本体外且位于设置有所述透光部的一侧，所述...
    2026-02-14
  • 承载舟、电池及其制备方法
    承载舟、电池及其制备方法_润马光能科技(金华)有限公司_202511335469.5
    本申请提供了承载舟、电池及其制备方法。承载舟用于承载基片并置于沉积腔内，承载舟包括舟托本体和隔离挡板；舟托本体包括相对设置的舟托前板与舟托后板，沉积腔内的气流自舟托前板指向舟托后板的排布方向流动；隔离挡板设于舟托前板面向舟托后板的一侧，基片...
    2026-02-14
  • 承载装置及半导体工艺设备
    承载装置及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410804514.6
    本申请公开了一种承载装置及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种承载装置，包括：基座组件、多个悬浮轴组件和多个承载件；基座组件包括基座本体和多个转接件，基座本体具有多个承载位和第一通孔；承载件位于承载位上方，且承载件面向承载位一侧设有限位结构...
    2026-02-14
  • 喷淋头及薄膜沉积装置
    喷淋头及薄膜沉积装置_无锡金源半导体科技有限公司_202511748702.2
    本申请涉及半导体加工设备的技术领域，尤其是涉及一种喷淋头及薄膜沉积装置，其包括顶盖，顶盖上设置有进气孔；基座，基座上设置有水平的排气部，排气部上设置有若干第一排气孔；调节板，调节板上设置有若干第二排气孔，第一排气孔与第二排气孔一一对应设置；...
    2026-02-14
  • 一种化学气相沉积炉用供气系统及进气方法
    一种化学气相沉积炉用供气系统及进气方法_山西中电科电子装备有限公司_202511664698.1
    本发明一种化学气相沉积炉用供气系统及进气方法，属于化学气相沉积设备领域；解决了炉体反应腔室内待沉积工件的沉积质量低、反应气体利用率低的问题；技术方案：该系统包括气源柜，气源柜内装配有快充进气管路和多路进气主管路，快充进气管路和每路进气主管路...
    2026-02-14
  • 晶圆载具及炉管沉积设备
    晶圆载具及炉管沉积设备_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202511498729.0
    本申请涉及一种晶圆载具及炉管沉积设备。该晶圆载具包括：支撑组件，包括支撑板以及设于支撑板上环向分布的多根支撑柱，各支撑柱上设有多个沿支撑柱长度方向分布的支撑部，且不同支撑柱上处于同一平面内的各支撑部围成盛放晶圆用的承载区，其中一根支撑柱上的...
    2026-02-14
  • 形成氧化镁层的方法和形成镁铟锌氧化物层的方法
    形成氧化镁层的方法和形成镁铟锌氧化物层的方法_ASMIP私人控股有限公司_202510804460.8
    公开了用于形成氧化镁层的方法。所公开的方法包括执行循环沉积过程以形成具有降低的或低的碳杂质浓度的氧化镁层。还公开了用于形成镁铟锌氧化物层的方法，镁铟锌氧化物层包括具有降低的或低的碳杂质浓度的氧化镁组分。
    2026-02-14
  • 通过ALD形成层的方法
    通过ALD形成层的方法_ASMIP私人控股有限公司_202510804414.8
    公开了一种通过原子层沉积在多个衬底上形成氧化物层的方法。该方法包括以下步骤：在处理室中提供多个衬底，多个衬底由衬底舟支撑；以及执行多个沉积循环，每个沉积循环包括：向处理室提供第一前体气体，第一前体气体包括能够形成氧化物的成分；向处理室提供吹...
    2026-02-14
  • 用于供应蒸发的反应物的设备及相关的反应器系统和方法
    用于供应蒸发的反应物的设备及相关的反应器系统和方法_ASMIP私人控股有限公司_202510814421.6
    公开了用于向反应室供应蒸发的反应物的设备。所公开的设备包括与供应容器流体连通的过程控制室，以及与过程控制室流体连通的注入气体源，并且注入气体源配置成能够修改过程控制室内的压力。还公开了包括用于向反应室供应蒸发的反应物的设备的反应器系统。还公...
    2026-02-14
  • 基于化学气相沉积法制备ZnS整流罩的装置及方法
    基于化学气相沉积法制备ZnS整流罩的装置及方法_山东有研国晶辉新材料有限公司_202511327193.6
    本发明属于硫化锌材料技术领域，并具体涉及一种基于化学气相沉积法制备ZnS整流罩的装置及方法，该基于化学气相沉积法制备ZnS整流罩的装置包括沉积炉，所述沉积炉内自下而上分别设置有锌池以及与所述锌池连通的沉积室，所述沉积室外接硫化氢与第一载气气...
    2026-02-14
  • 一种多层涂层刀具及其制备方法
    一种多层涂层刀具及其制备方法_赣州澳克泰工具技术有限公司_202511747564.6
    本申请属于表面防护涂层技术领域，具体涉及一种多层涂层刀具及其制备方法，所述多层涂层刀具包括基体和通过化学气相沉积方法形成于基体表面的多层涂层。多层涂层包括由z个周期涂层自内向外依次堆叠构成的结构层(1≤z≤5且z为整数)；每个周期涂层均包含...
    2026-02-14
  • 含石墨烯氮化硼异质结的高导热高绝缘材料及制备方法
    含石墨烯氮化硼异质结的高导热高绝缘材料及制备方法_广州市先进电科技有限公司_202511387997.5
    本发明公开了一种含石墨烯氮化硼异质结的高导热高绝缘材料及制备方法，涉及导热绝缘复合材料领域。该材料由石墨烯层与六方氮化硼层交替堆叠形成垂直异质结，总层数3‑10层，晶格堆叠角度为0°或60°，面内热导率≥1500W/mK，垂直热导率≥50W...
    2026-02-14
  • 一种硒氧化铋和亚硒酸氧铋二维围栅单晶异质结构及制备方法和应用
    一种硒氧化铋和亚硒酸氧铋二维围栅单晶异质结构及制备方法和应用_北京大学_202511109827.0
    本发明提供一种硒氧化铋和亚硒酸氧铋二维围栅单晶异质结构及制备方法和应用，涉及半导体材料技术领域。本发明制备方法包括如下步骤：S1.对基底进行高温退火处理；S2.以预处理基底为生长基底，硒化铋块体和高纯氧气为原料，进行化学气相沉积得到二维单晶...
    2026-02-14
  • 一种真空镀膜设备门阀便捷维护结构
    一种真空镀膜设备门阀便捷维护结构_碲阳半导体(泰州)有限公司_202511647554.5
    本发明涉及门阀维护技术领域，具体涉及一种真空镀膜设备门阀便捷维护结构，包括机体，机体上设置有相邻的第一腔体和第二腔体，第一腔体和第二腔体之间设有用于通断的门阀，机体的侧壁与门阀对应的位置设有维护窗口，维护窗口处设置有维护门，维护门包括固定于...
    2026-02-14
  • 一种基于洛伦兹力的粒子收集及蒸镀方法和装置
    一种基于洛伦兹力的粒子收集及蒸镀方法和装置_安徽熙泰智能科技有限公司_202511337756.X
    本发明公开了一种基于洛伦兹力的粒子收集及蒸镀方法和装置，涉及硅基OLED领域，方法包括以下步骤：S1：含铁粒子和蒸镀材料气体同时通过蒸发源排出，气流自下向上运行；S2：所述气流通过环形磁场区域，其中，所述含铁粒子受到洛伦兹力的影响偏转出垂直...
    2026-02-14
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