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最新专利技术
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510537903.1
    一种图像传感器包括：第一芯片，第一芯片包括像素阵列区域、焊盘区域以及位于像素阵列区域与焊盘区域之间的芯片间连接区域；第二芯片，第二芯片位于第一芯片的下表面上；多个贯穿通路结构，多个贯穿通路结构在芯片间连接区域中穿透第一芯片而延伸到第二芯片中...
    2026-01-26
  • 一种成像模组的iBGA封装方法及封装结构
    一种成像模组的iBGA封装方法及封装结构_苏州科阳半导体有限公司_202511688537.6
    本发明属于半导体封装技术领域，公开了成像模组的iBGA封装方法，将解析芯片粘贴在基板上，并通过第一引线连接解析芯片的焊盘和基板的金手指；之后粘接金属支架，使解析芯片容置于金属支架和基板间；再将成像芯片粘接在金属支架背离解析芯片的端面；通过第...
    2026-01-26
  • 一种空间错落型多色探测器结构及制备方法
    一种空间错落型多色探测器结构及制备方法_复旦大学_202511476581.0
    本发明公开了一种空间错落型多色探测器结构及制备方法，包括：芯片每个基本单元包含n个探测器光敏元，其中n>3，其特点是光敏元前设置设有滤光膜的滤光片，且n个光敏元采用空间错落的排列结构，所述光敏元n入射面前设置的滤光片上制作波段n的滤光膜；在...
    2026-01-26
  • 一种彩色探测器结构及制备方法
    一种彩色探测器结构及制备方法_复旦大学_202511476526.1
    本发明公开了一种彩色探测器结构及制备方法，其特点是探测器的每个基本单元包含三个光敏元，其排列结构为并列式，探测器制备包括：光敏元3入射面先制作波段3的滤光膜或光敏元3前设置制有波段3的滤光膜的滤光片；光敏元2入射面制作波段2与波段3之和即波...
    2026-01-26
  • 一种红外阵列芯片平面结的成结方法
    一种红外阵列芯片平面结的成结方法_中航凯迈(上海)红外科技有限公司_202511415877.1
    一种红外阵列芯片平面结的成结方法，包括以下步骤：在半导体晶片上制备一层掩蔽层；通过光刻、腐蚀或刻蚀方法，在所述掩蔽层上形成网格阵列结构的扩散窗口，所述扩散窗口的中心距与光电二极管阵列像元要求的中心距一致；对制备有所述掩蔽层的半导体晶片进行反...
    2026-01-26
  • 一种低成本的接触式图像传感器及检测方法
    一种低成本的接触式图像传感器及检测方法_深圳市倍量电子有限公司_202511185435.2
    本发明公开了一种低成本的接触式图像传感器及检测方法，用于钞票鉴伪，并满足钞票鉴伪的分辨率要求，使用直径为2mm所述红外接收二极管代替微小尺寸的透镜和复杂的感光芯片接收图像，所述红外接收二极管交错排列，相邻的所述红外接收二极管之间的排布间距为...
    2026-01-26
  • 背照式图像传感器及其制备方法
    背照式图像传感器及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511914781.X
    本公开涉及一种背照式图像传感器及其制备方法，涉及集成电路技术领域，其中，多个光电二极管结构，沿平行于背面的第一方向间隔分布，且沿靠近衬底的第二方向贯穿P型外延层；底光敏部包括沿第一方向延伸的第一水平部，以及延伸至衬底背面的第一纵向凸出部；中...
    2026-01-26
  • 图像传感器及其制作方法
    图像传感器及其制作方法_豪威科技(上海)有限公司_202511480533.9
    本发明提供了一种图像传感器及其制作方法，包括：提供一衬底，衬底包括像素区和逻辑区，在像素区内形成用于容纳垂直传输栅的沟槽；形成覆盖衬底上表面和沟槽的侧壁和底面的第一多晶硅层。本发明形成第一多晶硅层后，对位于沟槽的侧壁和底面的第一多晶硅层进行...
    2026-01-26
  • 一种基于转角异质结的偏振依赖双极性红外探测器、制备方法、光电流响应极性调控方法
    一种基于转角异质结的偏振依赖双极性红外探测器、制备方法、光电流响应极性调控方法_东南大学_202511503026.2
    本发明公开了一种基于转角异质结的偏振依赖双极性红外探测器、制备方法、光电流响应极性调控方法，包括：衬底和从下至上依次堆叠在所述衬底上的转角范德华异质结和可转移的金属电极；所述转角范德华异质结由p型半导体、n型半导体以及p型半导体依次堆叠形成...
    2026-01-26
  • 光电晶体管
    光电晶体管_台亚半导体股份有限公司_202411245679.0
    本发明提供一种光电晶体管，所述光电晶体管包括基底、收光区、发射极作用区和发射极电极。其中，收光区设置在基底中。发射极作用区设置在收光区的中心区域中，使发射极作用区的轮廓边缘与收光区的轮廓边缘之间的距离最大化。发射极电极电性连接发射极作用区。
    2026-01-26
  • 一种日盲紫外探测器及其制备方法
    一种日盲紫外探测器及其制备方法_北方工业大学_202511338658.8
    本发明提供一种日盲紫外探测器及其制备方法，探测器自下而上包括外延衬底、Ga22O33外延膜、欧姆接触电极和肖特基接触电极；肖特基接触电极由采用MXene材料的肖特基接触层和电极引出层构成，肖特基接触层与Ga22O33外延膜形成肖特基势垒接触...
    2026-01-26
  • 一种抑制雪崩复合发光串扰的雪崩光电二极管结构
    一种抑制雪崩复合发光串扰的雪崩光电二极管结构_龙岩学院_202511541528.4
    本发明公开一种抑制雪崩复合发光串扰的雪崩光电二极管结构，包括相互隔离的多个像素单元，每个所述像素单元均包括衬底层、结构层、钝化层、复合发光增反层、入射光增透层和复合发光吸收层。其中，复合发光增反层和入射光增透层依次设于进光侧，复合发光吸收层...
    2026-01-26
  • 一种InGaAs单光子雪崩探测器及其制备方法
    一种InGaAs单光子雪崩探测器及其制备方法_中山德华芯片技术有限公司_202511312885.3
    本发明公开了一种InGaAs单光子雪崩探测器及其制备方法，该单光子雪崩探测器包括从下至上生长的InP衬底、InP的buffer缓冲层、i‑InxxGa1‑x1‑xAs缓冲层、i‑In0.530.53Ga0.470.47As吸收层、i‑In0...
    2026-01-26
  • 一种锗硅键合型光电器件及制备方法
    一种锗硅键合型光电器件及制备方法_中国科学院微电子研究所_202410920698.2
    本发明公开一种锗硅键合型光电器件及制备方法，本发明光电器件至少包括锗硅键合衬底，所述锗硅键合衬底为在第一设定压力和第一设定温度下使用非金属快原子束轰击锗衬底和硅衬底形成，使其表面活化增强键合能力，所述光电器件的结构包括锗硅键合型PIN探测器...
    2026-01-26
  • 一种基于n+-Ga2O3/i-Ga2O3/TeO2异质结的高速高透明深紫外光电探测器及其制备方法
    一种基于n+-Ga2O3/i-Ga2O3/TeO2异质结的高速高透明深紫外光电探测器及其制备方法_厦门大学深圳研究院_202511479809.1
    本发明公开了一种基于n++‑Ga22O33/i‑Ga22O33/TeO22异质结的高速高透明深紫外光电探测器及其制备方法，涉及宽禁带半导体深紫外光电探测器领域。其外延结构由下至上包括高透光衬底、TTO层、n++‑Ga22O33层、i‑Ga2...
    2026-01-26
  • 一种灵敏度增强、实现紫外与压力共同监测的AlGaN/GaN薄膜式传感器
    一种灵敏度增强、实现紫外与压力共同监测的AlGaN/GaN薄膜式传感器_江南大学_202511289442.7
    本发明公开了一种灵敏度增强、实现紫外与压力共同监测的AlGaN/GaN薄膜式传感器，该传感器包括沉积在硅衬底上表面的AlGaN/GaN基薄膜，硅衬底的下表面形成有方形凹槽，所述薄膜上与所述方形凹槽相对应的位置为传感器方形薄膜区域，所述方形薄...
    2026-01-26
  • 一种硅基III-V族光电平衡探测器及其制备方法
    一种硅基III-V族光电平衡探测器及其制备方法_湖北理工学院_202510980880.1
    本发明公开了一种硅基III‑V族光电平衡探测器及其制备方法，所述硅基III‑V族光电平衡探测器基于多层绝缘硅衬底制备，包括光输入区、光干涉区、光输出区、光路调整区、光耦合区、III‑V族光电探测区、测试电极区；所述III‑V族光电探测区包括...
    2026-01-26
  • 一种基于二碲化钼/二碲化镍异质结的光电探测器及其制备方法和应用
    一种基于二碲化钼/二碲化镍异质结的光电探测器及其制备方法和应用_广东工业大学_202511828402.5
    本发明属于光电探测技术领域，公开了一种基于二碲化钼/二碲化镍异质结的光电探测器及其制备方法和应用，所述二碲化钼/二碲化镍异质结的光电探测器是通过机械剥离法将单晶二碲化钼剥离到氧化层硅衬底上，得到二碲化钼纳米片；通过化学气相沉积法得到二碲化镍...
    2026-01-26
  • 一种基于叉指掺杂与热调技术的高速光电探测器及制备方法
    一种基于叉指掺杂与热调技术的高速光电探测器及制备方法_哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)_202511559122.9
    本发明提供一种基于叉指掺杂与热调技术的高速光电探测器及制备方法，本发明高速光电探测器包括衬底层、设置在衬底层上表面的基板层，所述基板层上表面设有隔离介质层，所述隔离介质层上表面设有第一偏置电极和第二偏置电极，所述第一偏置电极和第二偏置电极之...
    2026-01-26
  • 一种硒化铅双波段光导型红外探测器及其制备方法
    一种硒化铅双波段光导型红外探测器及其制备方法_中国科学院重庆绿色智能技术研究院_202511488400.6
    本发明公开了一种硒化铅双波段光导型红外探测器的制备方法，包括如下步骤：1)用分子束外延/脉冲激光沉积的生长方法在衬底上制备硒化铅薄膜；2)在硒化铅薄膜的表面光刻单点像元；3)在像元两端溅射电极；4)在没有电极的硒化铅薄膜的表面旋涂沉积量子点...
    2026-01-26
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