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最新专利技术
  • 测试结构、测试结构的测试方法
    测试结构、测试结构的测试方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410910970.9
    一种测试结构、测试结构的测试方法，其中测试结构包括：至少2个测试阵列单元，每个测试阵列单元中具有不同数量的晶体管；所有测试阵列单元中的晶体管的栅极、源极和衬底电连接；每个测试阵列单元中的晶体管的漏极电连接。通过设置多个测试阵列单元，且将所有...
    2026-01-23
  • 薄膜电阻的制造方法及薄膜电阻结构
    薄膜电阻的制造方法及薄膜电阻结构_无锡华润上华科技有限公司_202410941824.2
    本发明涉及一种薄膜电阻的制造方法及薄膜电阻结构。所述方法包括：在晶圆的第一主面形成第一金属层；形成与所述第一金属层接触的掩蔽层；在所述第一主面形成电阻材料层并进行图案化，图案化后的电阻材料层包括薄膜电阻，且所述薄膜电阻通过所述掩蔽层与所述第...
    2026-01-23
  • 一种含能器件结构及其制备方法
    一种含能器件结构及其制备方法_中国电子科技集团公司信息科学研究院_202511315289.0
    本发明提供一种含能器件结构及其制备方法，该结构包括基座、热激发含能层、加热电极和含能材料层；热激发含能层设置于基座；加热电极设置于热激发含能层；含能材料层分别设置于热激发含能层和加热电极；其中，热激发含能层包括多个不规则的微纳孔隙和填充于微...
    2026-01-23
  • 一种多孔铝基吸液芯及其制造方法和应用
    一种多孔铝基吸液芯及其制造方法和应用_上海格思信息技术有限公司_202511550867.9
    本发明提供了一种多孔铝基吸液芯及其制造方法和应用。该多孔铝基吸液芯包括导热基板和吸液芯结构，吸液芯结构设于导热基板上；吸液芯结构包括微孔基体、宏观通道和纳米表面层；微孔基体的材质为铝合金，相邻的孔隙相互连通形成连续的毛细网络；宏观通道呈周期...
    2026-01-23
  • 半导体单元
    半导体单元_三菱电机株式会社_202510915007.4
    本发明提供一种技术，能兼顾确保用于安装冷却器的螺钉和半导体模块的水平端子之间的绝缘性、与半导体单元的小型化。半导体单元包括：半导体模块(1)，其具有半导体装置、以及与半导体装置电连接并从侧面向水平方向突出的水平端子(7)；基板(3)，其上表...
    2026-01-23
  • 一种光电共封装结构及方法
    一种光电共封装结构及方法_湖北江城实验室_202511559899.5
    本申请实施例公开了一种光电共封装结构及方法，光电共封装结构包括：光芯片、虚拟芯片、电芯片和微流泵。光芯片、虚拟芯片和电芯片，沿垂直方向依次堆叠。虚拟芯片的顶面与电芯片的底面键合，虚拟芯片的底面与光芯片的顶面键合；其中，虚拟芯片包括：第一微流...
    2026-01-23
  • 圆形蛛网式微通道散热器
    圆形蛛网式微通道散热器_上海交通大学_202511538766.X
    本发明属于MEMS散热技术领域，提供了一种圆形蛛网式微通道散热器，包括镂空环形散热器隔板、环形上底板、圆形下底板、侧壁圆形出水口、中心圆形进水口和若干与圆形下盖板相连接的蛛网状铜柱微型阵列。蛛网状铜柱阵列首先将微通道区进行分区，冷却介质可以...
    2026-01-23
  • 一种具有散热系统的多芯片封装结构
    一种具有散热系统的多芯片封装结构_长沙安牧泉智能科技有限公司_202511473405.1
    本发明提供一种具有散热系统的多芯片封装结构，属于封装散热技术领域。封装结构包括基板、芯片组件和散热组件。芯片组件包括第一、第二、第三芯片，第一、第二芯片堆叠布置，第一、第二芯片沿水平方向堆叠，第一芯片位于第二芯片远离第三芯片的一侧，第一、第...
    2026-01-23
  • 一种用于集成电路的高效循环散热装置及使用方法
    一种用于集成电路的高效循环散热装置及使用方法_安徽晶芯科技有限公司_202511462802.9
    本发明公开了一种用于集成电路的高效循环散热装置及使用方法，涉及集成电路散热技术领域，包括液冷板，所述液冷板上分别固定安装有冷却液入口与冷却液出口，还包括行走清洁机构：其设置在液冷板上，且其在液冷板的长度方向上运动；风冷组件：其安装在行走机构...
    2026-01-23
  • 基于微流道结构的散热封装外壳、封装结构及其制造方法
    基于微流道结构的散热封装外壳、封装结构及其制造方法_元启芯(山东)半导体技术有限公司_202511420558.X
    本发明涉及电子技术领域，尤其是一种基于微流道结构的散热封装外壳、封装结构、及其制造方法。所述基于微流道结构的散热封装外壳包括：封装主体，其内部设置有用于安装电子器件的一个或多个电子器件安装腔；微流道网络，其设置在封装主体内处于电子器件安装腔...
    2026-01-23
  • 一种集成金刚石改善肖特基二极管高温特性的结构及其制备方法
    一种集成金刚石改善肖特基二极管高温特性的结构及其制备方法_绍芯实验室_202511300873.9
    本申请涉及一种集成金刚石改善肖特基二极管高温特性的结构及其制备方法，半导体材料采用Si、SiC、GaAs、GaN或Ga2O3，给定一种材料和最大允许的反向漏电流，肖特基接触表面的最大电场强度主要取决于肖特基势垒的高度和温度，电场调制技术和热...
    2026-01-23
  • 芯片散热结构及其制备方法
    芯片散热结构及其制备方法_苏州国显创新科技有限公司_202511746909.6
    本申请提供了一种芯片散热结构及其制备方法，芯片散热结构包括：基板；第一芯片和第二芯片，设置于基板的同一侧，第一芯片的有源面与第二芯片的有源面均朝向基板设置；第一芯片背离基板的一侧表面开设有第一散热通道，第二芯片背离基板的一侧表面开设有第二散...
    2026-01-23
  • 芯片封装结构及其制备方法、电子设备
    芯片封装结构及其制备方法、电子设备_苏州国显创新科技有限公司_202511746638.4
    本申请提供了一种芯片封装结构及其制备方法、电子设备，解决了现有技术中芯片封装结构散热能力较差的问题。其中，芯片封装结构包括：芯片，包括依次叠置的基底、电路层和多个芯片引脚，电路层包括叠置的多个导电层和至少一个绝缘层，绝缘层位于相邻导电层之间...
    2026-01-23
  • 芯片封装及其形成方法
    芯片封装及其形成方法_上海纳矽微电子有限公司_202511630509.9
    本申请公开了一种芯片封装及其形成方法，该封装包括塑封体，散热基板，绝缘基板，第一芯片和第二芯片，其中塑封体具有上表面和下表面，散热基板具有第一表面和第二表面，其中散热基板的第一表面从塑封体的上表面或者下表面暴露。绝缘基板具有第三表面和第四表...
    2026-01-23
  • 一种无陶瓷基板直接液冷绝缘封装的功率模块及其制备方法
    一种无陶瓷基板直接液冷绝缘封装的功率模块及其制备方法_长沙永擎新材料科技有限公司_202511511380.X
    本发明公开了一种无陶瓷基板直接液冷绝缘封装的功率模块及其制备方法，属于功率半导体封装技术领域。该模块包括半导体功率芯片、金属块、多个连接层与金属结构件、绝缘密封结构及密封液冷装置。芯片下表面电极通过第一连接层与金属块相连，金属块直接与绝缘冷...
    2026-01-23
  • 半导体器件和形成用于FCBGA-H封装的具有表面等离子体处理的散热器的方法
    半导体器件和形成用于FCBGA-H封装的具有表面等离子体处理的散热器的方法_星科金朋私人有限公司_202510877094.9
    半导体器件和形成用于FCBGA‑H封装的具有表面等离子体处理的散热器的方法。一种半导体器件具有衬底和布置在衬底上方的电组件。具有等离子体增强表面的散热器布置在电组件上方。TIM布置在电组件和散热器的等离子体增强表面之间。TIM可以沉积在电组...
    2026-01-23
  • 晶圆结构及接触结构的制作方法
    晶圆结构及接触结构的制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511500353.2
    本发明提供一种晶圆结构及接触结构的制作方法，该接触结构的制作方法包括以下步骤：提供一包括器件区及边缘区的半导体结构，器件区中形成有多个器件结构，器件区的上表面高于边缘区的上表面，边缘区上表层形成有边缘缓冲层；依次形成覆盖边缘缓冲层上表面的中...
    2026-01-23
  • 一种多芯片高密度三维互联的板级封装结构及封装方法
    一种多芯片高密度三维互联的板级封装结构及封装方法_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202511473873.9
    本发明提供了一种多芯片高密度三维互联的板级封装结构，其能够避开高深宽比互联微孔制作及其金属化的困难制程，并且适配不同尺寸规格的多芯片封装。其包括：上层芯片组，其包括有上层分布线路层、上层塑封层、上层铜柱、排布设置的若干上层芯片；下层芯片组，...
    2026-01-23
  • 半导体器件及形成方法
    半导体器件及形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510380912.4
    本公开涉及半导体器件及形成方法。在半导体器件的接触结构上形成半导体器件的导电结构之前，执行使用金属前体的预清洁操作以从接触结构的顶表面去除金属氧化物层。针对预清洁操作使用金属前体作为预清洁剂使得能够完全去除原生氧化物(而不仅是诸如氧之类的组...
    2026-01-23
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410912169.8
    一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底；在基底上形成互连线，用于与互连结构电连接；形成覆盖互连线顶面的生长层，生长层的材料与互连结构的材料相同；在生长层上形成互连结构，互连结构通过生长层与互连线电连接。本发明有利于保障半导体结构的性...
    2026-01-23
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