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最新专利技术
  • 接合装置、接合系统以及接合方法
    接合装置、接合系统以及接合方法_东京毅力科创株式会社_202511100425.4
    本公开涉及一种接合装置、接合系统以及接合方法，使基板彼此的接合精度提高。第一保持部保持第一基板。第二保持部保持第二基板。移动部使第一保持部和第二保持部中的一方接近另一方。光学系统向第一基板和第二基板照射光，利用反射光或透射光来拍摄设置于第一...
    2026-03-16
  • 测温组件、控温组件、静电卡盘组件及半导体处理设备
    测温组件、控温组件、静电卡盘组件及半导体处理设备_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411137727.4
    本发明公开了一种测温组件、控温组件、静电卡盘组件及半导体处理设备，所述测温组件包括：基座，用于承载晶圆；至少一通道，贯穿基座设置；耐等离子体腐蚀的光学窗片，密封设置在通道中；测温光纤，其一端设置在通道内，用于接收晶圆辐射或反射的光信号；另一...
    2026-03-16
  • 一种温度控制方法及相关装置
    一种温度控制方法及相关装置_北京北方华创微电子装备有限公司_202411125191.4
    本说明书实施例提供了一种温度控制方法，该方法在工艺腔室的升温阶段，基于目标模型根据目标参数确定的初始控制参数控制加热部件工作，满足工艺腔室在升温阶段的温度控制需求；若目标参数发生变化，则响应于目标参数的变化信息，基于目标模型根据变化后的目标...
    2026-03-16
  • 半导体处理装置、工艺及半导体设备
    半导体处理装置、工艺及半导体设备_江苏无锡经纬天地半导体科技有限公司_202512056352.X
    本发明属于半导体加工技术领域，公开了半导体处理装置、工艺及半导体设备。半导体处理装置包括处理腔、密封盖、连接机构以及水平调节件。密封盖能够与处理腔进行对接密封；连接机构与密封盖通过连接柱上下连接，连接机构与密封盖之间通过连接柱构建有允许密封...
    2026-03-16
  • 一种晶片清洗装置
    一种晶片清洗装置_北京天科合达半导体股份有限公司_202511942278.5
    本申请公开了一种晶片清洗装置，包括底座，通过驱动件可带动底座旋转，底座中心区域设置有喷水件，且喷水件与底座同步旋转，以便于对晶片进行清洗，底座上设置有至少两组支撑组件，至少两组支撑组件沿底座的径向依次分布，以使不同组的支撑组件能够支撑不同尺...
    2026-03-16
  • 一种新型晶圆的双面刷洗装置
    一种新型晶圆的双面刷洗装置_微成半导体设备(苏州)有限公司_202511873546.2
    本发明公开了一种新型晶圆的双面刷洗装置，包括：旋转盘，其用于带动晶圆旋转，所述旋转盘上设有多个用于支撑所述晶圆边角的支撑组件；刷洗组件，其包括上刷洗臂和下刷洗臂，所述晶圆位于所述上刷洗臂和所述下刷洗臂之间；喷嘴组件，其至少为两个，分别设置在...
    2026-03-16
  • 晶圆的清洗方法、设备、以及晶圆
    晶圆的清洗方法、设备、以及晶圆_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511815254.3
    本公开实施例公开了一种晶圆的清洗方法、设备以及晶圆，晶圆的清洗方法可以包括以下顺序执行的阶段：第一清洗阶段，将清洗液的循环流量控制为第一流量状态，第一流量状态对应的雷诺数大于或等于4000；第二清洗阶段，将清洗液的循环流量控制为第二流量状态...
    2026-03-16
  • 一种磷化铟晶片的雾化清洗方法
    一种磷化铟晶片的雾化清洗方法_广东先导微电子科技有限公司_202511809518.4
    本申请涉及半导体材料技术领域，具体公开了一种磷化铟晶片的雾化清洗方法。雾化清洗方法包括以下步骤：对匀速旋转的磷化铟晶片，依次采用第一酸性溶液、去离子水雾化清洗后氮气吹扫干燥；再经碱性过氧化物溶液、去离子水雾化清洗后氮气吹扫干燥；最后用第二酸...
    2026-03-16
  • 一种改善12英寸硅片抛光前表面粗糙度的工艺方法
    一种改善12英寸硅片抛光前表面粗糙度的工艺方法_山东有研艾斯半导体材料有限公司_202511691415.2
    本发明公开了一种改善12英寸硅片抛光前表面粗糙度的工艺方法，包括以下步骤：(1)将双面研磨后的12英寸硅片放入片盒里，然后将片盒放入含有柠檬酸水溶液的水槽里进行浸泡30~180 min；(2)将浸泡完毕的硅片依次放入活性剂槽、清洗剂槽、2号...
    2026-03-16
  • 非接触半导体管芯分割工艺
    非接触半导体管芯分割工艺_桑迪士克科技股份有限公司_202510543749.9
    一种非接触半导体管芯分割工艺利用压缩空气将半导体晶圆的第一部分与该半导体晶圆的第二部分分离。在该非接触半导体管芯分割工艺期间，该半导体晶圆被放置在切割带上。沿着该半导体晶圆中的各种划线形成沟道。当该沟道形成时，压缩空气工具沿着该沟道的长度施...
    2026-03-16
  • 一种晶圆填充减薄加工方法
    一种晶圆填充减薄加工方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202511852901.8
    本发明涉及半导体技术领域，具体地说是一种晶圆填充减薄加工方法，包括如下步骤：步骤1，在晶圆边缘切割一圈台阶，台阶的宽度>3~9mm、深度>20~36um；步骤2，在晶圆四周涂覆UV胶，对台阶进行填充，填充的UV胶与晶圆的正面齐平；步骤3，对...
    2026-03-16
  • 沟槽结构的工艺方法及半导体工艺设备
    沟槽结构的工艺方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511794019.2
    本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种沟槽结构的工艺方法及半导体工艺设备。沟槽结构的工艺方法包括：提供步，提供沟槽结构，沟槽结构的表面具有刻蚀损伤层；氧化步，将工艺温度设置为20~40 ℃，通入H2O2，开启紫外光源，并将紫外光源的功...
    2026-03-16
  • 衬底处理装置
    衬底处理装置_株式会社斯库林集团_202511100047.X
    本发明提供一种衬底处理装置，能够以低能量从药液与有机溶剂的混合液中分离出药液。衬底处理装置具备处理单元、回收配管(60a)、及回收单元(6)。处理单元使药液与有机溶剂的混合液作用于衬底的主面。回收配管(60a)具有连接于处理单元的上游端部。...
    2026-03-16
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411171304.4
    本申请实施例提供了一种半导体器件及其制作方法；其中，半导体器件的制作方法包括：提供半导体结构；该半导体结构包括功能结构、隔离层和第一介质层；其中，功能结构具有目标区域，隔离层至少覆盖部分功能结构，第一介质层覆盖功能结构和隔离层；去除部分第一...
    2026-03-16
  • 刻蚀方法及半导体工艺设备
    刻蚀方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511812726.X
    本发明提供了一种刻蚀方法及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域，为解决采用相关技术提供的刻蚀工艺刻蚀得到的深槽结构，其侧壁粗糙度较大的问题而设计。该刻蚀方法包括提供衬底；于衬底进行光刻步和第一刻蚀步，以在衬底形成第一沟槽；常温氧化形成覆盖第一...
    2026-03-16
  • 应用于半导体制作过程中的工艺方法
    应用于半导体制作过程中的工艺方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511784169.5
    本申请公开了一种应用于半导体制作过程中的工艺方法，包括：通过光刻工艺进行刻蚀，去除目标区域的第四缓冲层，目标区域位于期望曝光区域内，第四缓冲层形成于第三缓冲层上，第三缓冲层形成于第二缓冲层上，第二缓冲层形成于第一缓冲层上，第一缓冲层形成于薄...
    2026-03-16
  • 切断结构的制造方法
    切断结构的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511784146.4
    本发明提供一种切断结构的制造方法，包括：提供衬底，衬底上形成有硬掩模层及芯轴结构；在芯轴结构表面形成隔离层；进行切断光刻及刻蚀，去除预定区域内的隔离层及芯轴结构，并在刻蚀中于芯轴侧壁及硬掩模层表面形成保护层；进行湿法清洗，其中中间步骤使用第...
    2026-03-16
  • 一种球形半导体的制造方法
    一种球形半导体的制造方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202411127304.4
    本发明公开了一种球形半导体的制造方法，包括：将原始半导体置于离子束刻蚀机的旋转平台上；对离子束的能量、入射角度和流量进行调整；在调整后的参数条件下，对所述原始半导体进行离子束刻蚀，获得球形半导体。采用本发明的技术方案能够通过离子束刻蚀技术制...
    2026-03-16
  • 一种半导体结构的氧化层掺杂方法
    一种半导体结构的氧化层掺杂方法_杭州富芯半导体有限公司_202511841622.1
    本申请公开了一种半导体结构的氧化层掺杂方法，包括提供半导体基体，所述半导体基体包括衬底和位于衬底上的功能氧化层；形成层叠于所述功能氧化层上的牺牲层；自所述牺牲层背离所述功能氧化层的一侧对所述功能氧化层进行离子注入，以在所述功能氧化层中掺杂氮...
    2026-03-16
  • 用可流动层结构填充衬底上的凹陷特征的方法
    用可流动层结构填充衬底上的凹陷特征的方法_ASMIP私人控股有限公司_202511141706.4
    公开了用于填充衬底上的凹陷特征的方法。所公开的方法包括在衬底上沉积可流动层结构，并将可流动层结构加热至高于可流动层结构的玻璃化转变温度。用于沉积可流动层结构的方法包括采用原子层沉积过程沉积基于氧化铝的可流动层结构。
    2026-03-16
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