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  • 本发明公开了一种表面温度均匀性高的硅片承载装置,包括存放槽(1),所述存放槽(1)用于承载硅片并完成等离子体增强化学气相沉积镀膜过程,所述存放槽(1)的内部设置有支点,所述存放槽(1)边缘设置有台阶与挡边,挡边与台阶组合类型包含间断台阶间断...
  • 本申请公开了一种晶圆处理装置,属于半导体加工技术领域,本申请实施例中的晶圆处理装置,包括基座与承载组件,基座具有容置槽,容置槽具有底壁和侧壁,基座具有第一方向,侧壁自底壁所在平面沿第一方向延伸;承载组件设置于容置槽内,承载组件的外周壁与侧壁...
  • 公开了采用包括环状化合物的低温循环沉积过程沉积金属氮化物层的方法。循环沉积过程包括重复执行沉积循环,沉积循环包括将金属前体引入反应室中、将氮反应物引入反应室中和将包含环状化合物的还原剂引入反应室中。还公开了金属氮化物层和包括金属氮化物层的半...
  • 本申请提供一种设有分体基座的半导体生长设备,包括工艺腔室、支撑装置、分体基座、加热装置和腐蚀消耗装置。支撑装置设置于工艺腔室的内侧底部,包括支撑基座。分体基座设于工艺腔室内,包括承载基座,支撑基座围设于承载基座底部,与承载基座可拆卸连接以形...
  • 本申请涉及疏水涂层技术领域,尤其涉及一种疏水涂层及其制备方法、电子部件、电子设备。该疏水涂层,包括沿疏水涂层的厚度方向层叠设置的氧化钛子层以及有机子层。其中,氧化钛子层至少包含O元素和Ti元素,且氧化钛子层中的Ti元素的摩尔分数为75 %~...
  • 本公开提供:包括液态铟前体、液态镓前体和液态锌前体的用于沉积薄膜的前体组合物,通过使用前体组合物的薄膜的制造方法,通过使用前体组合物制造的薄膜以及包括薄膜的电子装置。
  • 本发明公开了一种具有三维互穿网络的金刚石复合材料,所述金刚石复合材料为三明治结构,上下面为CVD多晶金刚石层,中间层衬底为单晶SiC、单晶硅、单晶氧化铝、氧化铝陶瓷、氮化铝陶瓷、氧化锆陶瓷的任一种;金刚石复合材料设有贯穿式微孔阵列,孔径为2...
  • 公开了形成石墨烯硬遮罩膜的方法。一些方法有利地在较低温度下执行。将基板暴露于芳香族前体以形成石墨烯硬遮罩膜。所述基板包含氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、硅(Si)、钴(Co)、钛(Ti)、二氧化硅(SiO2)、铜(Cu)和低介电常数电介...
  • 本发明的一种含碳掩膜沉积方法及基片结构属于气相沉积领域,为了解决刻蚀过程中孔或槽形貌的缺陷,本方法先将反应气体激发成等离子体,通过改变反应条件在所述待刻蚀层上方沉积含有多个子层的第一系列层和含有多个子层的第二系列层,所述第一系列层的子层与第...
  • 本发明公开了刀具涂层领域的一种金刚石刀具复合涂层及其制备方法,所述复合涂层包括过渡层和主涂层;所述过渡层为通过溶胶凝胶法在金刚石刀具表面形成的Fe掺杂SiCN涂层;所述主涂层为通过热丝法化学气相沉积在过渡层表面形成微米晶金刚石主涂层。本发明...
  • 本发明公开了一种用于二维材料转移的方法,包括利用锗(Ge)低熔点特性来实现二维材料(如石墨烯和氮化硼)高效转移的方法,该工艺不仅能够确保材料在转移过程中的洁净度和完整性,还适用于大面积材料的无损转移,为二维材料在电子器件中的应用提供了技术保...
  • 本发明提供了一种刚性基板金属薄膜湿法剥离工艺。本刚性基板金属薄膜湿法剥离工艺包括以下步骤:A、选备基板:选用设定型号的玻璃、陶瓷、碳化硅晶圆中任一一种材料的基板;B、开孔:基板上镀覆金属材料的部位为处理部,在处理部处开孔;C、转移:待接板处...
  • 本发明公开一种基于激光诱导原子交换的硫系光子芯片加工方法和装置,方法包括在介质基底的表面制备硫化物薄膜;将制备有所述硫化物薄膜的介质基底放置到密闭的激光直写加工空间中;控制所述激光直写加工空间的加工参数,对所述硫化物薄膜进行激光诱导原子交换...
  • 本发明公开了一种用于卷对卷真空镀膜的动态静电贴附装置及方法,包括真空腔体,真空腔体内设有磁控溅射蒸发源,磁控溅射蒸发源上方设有绝缘冷却主辊,薄膜自放卷辊引出,经过绝缘冷却主辊绕卷在收卷辊上,绝缘冷却主辊连接至一可控的偏置电源的正输出端/或负...
  • 本发明公开了用于高真空镀膜系统的集成式高效除水除氧装置及方法,装置集成于镀膜腔体内部,包括安装于镀膜腔体的侧壁或顶盖上的集成式吸气剂泵模块,在腔体上方连接可再生吸附盒,内填吸附剂,在腔体内所有挡板和掩膜板的背面,通过磁控溅射镀上一层或多层薄...
  • 本发明涉及蒸镀设备技术领域,公开了镀锂装置,包括真空腔体、输送机构和镀锂机构,真空腔体包括上腔体和下腔体;输送机构包括输送结构和辅助结构,输送结构设置在上腔体内,辅助结构设置在输送结构的一侧,输送结构用于输送基材,辅助结构用于处理基材的表面...
  • 本申请涉及真空腔体水汽捕捉领域,尤其是涉及一种真空腔体水汽捕捉系统,包括腔体,腔体上设有水汽捕捉装置,水汽捕捉装置包括管路机构、分流机构和供能机构,供能机构设置在腔体的一侧,管路机构包括吸附组件,吸附组件设置在腔体的内壁上,且吸附组件至少设...
  • 本申请提供一种磁控溅射电源自适应控制方法、系统、设备及介质,方法包括:针对反应溅射工况下的磁控溅射过程,采集用于表征反应溅射运行状态的多源运行信号;基于多源运行信号,对反应溅射运行状态进行分析,并将其划分为包括稳定运行状态、过渡运行状态及异...
  • 本发明涉及物理气相沉积与工业自动化控制技术领域,具体为一种基于PLC器的金属膜沉积过程控制系统,包括:主动扰动注入模块:用于生成具有预设频率和预设幅值的周期性微扰动信号,生成复合驱动指令,并将所述复合驱动指令发送至沉积过程的执行机构;动态响...
  • 本申请公开了一种屏蔽油油量的确定方法、控制方法、装置及电子设备,属于金属化薄膜蒸镀领域。首先选择预设开口宽度的盖板,蒸镀过程中,盖板开口处用于喷涂装置喷涂屏蔽油,这样后续进行蒸镀金属化薄膜时,屏蔽油处形成屏带,蒸镀完成后,测量盖板开口即屏带...
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