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  • 本发明提供一种超净高纯硝酸生产工艺,属于硝酸生产领域,该超净高纯硝酸生产工艺具体步骤为准备原料;对硝酸进行初步加工、控制室温、对硝酸过滤、收集超纯硝酸;对硝酸蒸馏、对稀释的硝酸蒸馏、超纯硝酸混合高纯水稀释、再次对硝酸进行过滤、对过滤的硝酸二...
  • 本发明公开了一种同步合成两种相态二维碲化亚铜的方法,属于半导体材料制备领域。其是以KCl为传输剂,通过将GaTe和KCl按摩尔比为1 : (0.5‑0.8)加入特定结构的石英管中,并将石英管抽真空至10‑1 Pa后对其进行焰封,使石英管内部...
  • 本发明涉及光电探测器技术领域,具体涉及一种铋氧硒化物纳米片及其制备方法和应用,本发明提供的铋氧硒化物纳米片的制备方法,通过采用化学气相沉积的方法,以Bi2Se3和Bi2O3分别作为前驱体并将Bi2Se3置于Bi2O3上,在通入惰性气氛的条件...
  • 本发明公开了一种Cu3SbSe4纳米片及其制备方法和应用,属于功能纳米材料制备技术领域。制备方法包括以下步骤:将SeO₂与β‑环糊精溶解于去离子水中形成溶液A;将抗坏血酸溶解于去离子水中形成溶液B;在搅拌条件下,将溶液A滴加至溶液B中,室温...
  • 本发明公开了一种应变诱导自驱动制备富边缘Janus二维材料的制备方法及其在电催化析氢中的应用,以二维过渡金属硫化物为前驱体,通过气相原子层取代反应,利用不同取代原子之间的半径差,在非对称材料基面内引入本征拉伸应变;当应变积累至断裂阈值时,材...
  • 本发明公开了一种硫化锂及两步复分解制备方法和在全固态电池中的应用,属于固态电池技术领域。该制备方法采用了一种两步分解合成技术,以碳酸锂和硫氰酸铵为原料,混合均匀后置于高温反应器中,在惰性气体氛围下完成阶梯升温烧结工序,通过精确控制温度与时间...
  • 本发明的目的是提供一种双氧水稳定剂,该双氧水稳定剂包括:N‑[(1S)‑1, 2‑二羧乙基]‑3‑羟基天冬氨酸四钠盐。本发明的双氧水稳定剂可以应用在Elisa检测中,不但可以显著提升双氧水在Elisa底物液中的稳定性,并且无检测干扰,环境友...
  • 本发明提供一种臭氧发生器的放电室,它采用放电层和冷却层交叉叠加式结构,主体封装成长方体型,主体上配置了水、电、气的接口,水路、电路、气路在互相独立的通路里流动。从样机的运行效果来看:紧密接触的冷却层使得放电层温度更低,低温有效缓解臭氧分解并...
  • 本发明提供一种臭氧发生器的放电电极连接片,其特征在于:所述放电电极连接片为一个薄片状花板,花板上具有若干个电极穿设孔,沿电极穿设孔内缘分布若干个向电极穿设孔中心方向延伸的爪片,所述爪片的顶部所在的圆的直径小于电极管的外径,电极管穿过放电电极...
  • 本发明公开了一种废氟化酸的处理方法。该方法将废氟化酸先精馏回收其中的部分HF后,剩余的酸液通过NaF对HF的吸附‑‑解吸循环回收以氢氟酸状态存在的HF;然后再利用NaF与硫酸反应将吸附‑‑解吸循环反应中生成的NaF转化为HF和Na2SO4,...
  • 本发明提供一种超净高纯盐酸生产工艺,属于盐酸生产领域,该超净高纯盐酸生产工艺具体步骤为微滤处理,洗涤,精馏处理,冷却,吸收。本发明本发明提供合理的盐酸生产工艺,利用本发明在生产加工的过程中,通过在步骤五中的设置加压工艺,使材料在0.3‑0....
  • 本发明公开了一种循环利用PET废料与废水的制氢方法和系统,属于制氢技术领域。制氢方法包括将具有三维多孔结构的微反应器下半部分浸入碱性PET解聚液中,碱性PET解聚液基于PET废料与废水和碱催化剂制成,利用光照下微反应器的光热转换能力,驱动溶...
  • 本发明提供一种以煤为触媒的高温变换方法及装置,本方法可以得到高品位的热量,可以将变换潜热拔高,从而得到高品位热量用于应用,同时抑制了低品味热量的产生,同时抑制低品味热量对环境的热污染;可以得到能耐高温,且能够适应温度变化幅度巨大的以煤所为的...
  • 本说明书实施例提供了一种纳米孔薄膜的制备方法,该方法首先在基板表面形成多个纳米级金属团,之后对基板进行等离子体刻蚀,以在基板的目标位置形成纳米孔,所述目标位置包括纳米级金属团所在位置,并且所述等离子体刻蚀采用的刻蚀气体包括含碳气体和含氧气体...
  • 本发明涉及一种功能性纳米粒子的图案化阵列结构的制备方法、用途和设备。功能性纳米粒子的图案化阵列结构的制备方法包括提供基底,所述基底表面具有微结构,所述微结构包括沿Y方向排列的凸台组,且每个凸台组包括沿X方向排列的凸台柱,所述凸台柱顶部具有平...
  • 本发明提供一种非等深硅槽结构的形成方法,包括:提供衬底,在衬底表面形成硬掩膜层并进行图形化处理,以暴露衬底的第一待刻蚀区;在衬底和硬掩膜层表面形成光刻胶层,并对光刻胶层进行光刻处理,以同时暴露衬底的第一待刻蚀区和衬底的第二待刻蚀区上的硬掩膜...
  • 本发明提供一种MEMS器件低应力封装方法及结构,通过将敏感结构贴装在盖板上,ASIC芯片设置在陶瓷管壳内,敏感结构与ASIC芯片以及器件输出口之间的电气连接通过盖板和陶瓷管壳之间的电气连接实现,盖板和陶瓷管壳之间的电气连接是通过共晶焊料共晶...
  • 本发明提供了一种用于微型敏感元件应力隔离的悬臂支撑结构及安装方法,由两个结构单元组成,分别是与敏感元件直接固连的弹性支撑梁和固定弹性支撑梁与封装管壳直接相连的固定端,所述弹性支撑梁为悬臂结构;所述的微型敏感元件上设置固支结构,固支结构上制备...
  • 本发明提供一种悬空二维异质结静电应变调控器件,其包括:作为背栅电极的硅衬底;设置于所述硅衬底上的SiO2介质层,其表面设有圆孔凹槽;环形电极,其环绕所述圆孔凹槽设置于所述SiO2介质层上;悬空的二维异质结,其覆盖于所述圆孔凹槽上方,其中所述...
  • 本发明公开了一种基于非对称多腔室和虚拟阀的微型压电散热器及应用,属于散热器技术领域,包括第一腔体、第二腔体、至少一个压电致动结构件、固支部件、入口结构件或者结构组件以及出口结构件或者结构组件;所述第一腔体与第二腔体形成散热器的基础周框,与所...
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