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安全;消防;救生装置及其产品制造技术
  • 一种驾驶室以及湿喷机
    一种驾驶室以及湿喷机_江西鑫通机械制造有限公司_202411943641.0
    本申请公开了一种驾驶室以及湿喷机，其包括本体部、顶棚组件、门体合件和座椅组件，所述顶棚组件与所述本体部连接，所述门体合件也与所述本体部连接，所述座椅组件也与所述本体部连接；所述本体部包括第一底板，所述座椅组件包括座椅底座和座椅，所述座椅底座...
    2026-01-24
  • 一种靶向肺癌的双响应级联交联水凝胶及其制备方法
    一种靶向肺癌的双响应级联交联水凝胶及其制备方法_张冀松_202511547281.7
    本发明涉及生物医学材料技术领域，提供了一种靶向肺癌的双响应级联交联水凝胶。该水凝胶包含相A和相B：相A包含透明质酸‑苯硼酸和四臂聚乙二醇‑巯基；相B包含聚乙二醇二丙烯酸酯、光引发剂LAP以及负载Tasquinimod、PD‑L1抗体和MMP...
    2026-01-24
  • 一种常关型场效应晶体管
    一种常关型场效应晶体管_广州华瑞升阳投资有限公司_202511267166.4
    本发明提供一种常关型场效应晶体管，包括：n型半导体层，其材料的禁带宽度＞2.0eV；沟槽栅结构，包括从n型半导体层第1主面向内延伸的多个栅极沟槽，各栅极沟槽中包括栅电极以及对栅电极形成包围的栅介质层和栅顶介质层，栅电极包括p型导电的电极材料...
    2026-01-24
  • 一种复合沟道钝化介质的GaN高电子迁移率晶体管
    一种复合沟道钝化介质的GaN高电子迁移率晶体管_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511511384.8
    本发明公开了一种复合沟道钝化介质的GaN高电子迁移率晶体管。该晶体管包括GaN HEMT完整外延结构、源极金属、漏极金属、复合沟道保护介质、栅极金属；所述的GaN HEMT完整外延结构包括：衬底、成核层及高阻缓冲层、沟道层和势垒层；所述复合...
    2026-01-24
  • 一种耗尽型场效应晶体管元胞结构及制备方法
    一种耗尽型场效应晶体管元胞结构及制备方法_深圳真茂佳半导体有限公司_202511276015.5
    本申请提及一种耗尽型场效应晶体管元胞结构及制备方法，该结构包括具有外延层的衬底，外延层表面延伸形成有耗尽沟道注入层在外延层内，外延层表面定义有中心区域及外围区域。外围区域下方延伸形成有阱区在耗尽沟道注入层中，耗尽沟道注入层及阱区的表面延伸形...
    2026-01-24
  • 一种n型氧化镓薄膜及其制备方法和应用
    一种n型氧化镓薄膜及其制备方法和应用_甬江实验室_202511908696.2
    本申请提供了一种n型氧化镓薄膜及其制备方法和应用。制备方法：提供In掺杂氧化镓靶材，其结构式为(InxxGa1‑x1‑x)22O33, 0＜x≤0.05，其中In掺杂的浓度≤5%摩尔比；将In掺杂氧化镓靶材沉积在衬底上，生长In掺杂氧化镓薄...
    2026-01-24
  • 一种磷化铟高迁移率晶体管的复合势垒外延材料结构及其埋栅控制方法
    一种磷化铟高迁移率晶体管的复合势垒外延材料结构及其埋栅控制方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511511383.3
    本发明公开了一种磷化铟高迁移率晶体管的复合势垒外延材料结构及其埋栅控制方法。由下而上依次包括半绝缘磷化铟衬底、缓冲层、沟道层、隔离层、掺杂层、里势垒层、埋栅停止层、表势垒层、InP腐蚀自停止层、帽层。其埋栅控制方法，先准备4英寸InP晶圆片...
    2026-01-24
  • 购物车
    购物车_旺众有限及股份两合公司_202180074933.3
    本发明涉及一种将弯曲线材(10)与购物车上的杆(5)连接的装置(1, 6, 7)，由此使布置在所述弯曲线材(10)上的折叠装置、尤其是筐折叠板或儿童座椅可折叠地布置在所述购物车上，所述装置包括：用于接收所述弯曲线材(10)的环圈(1, 12...
    2026-01-24
  • 具有灭火功能的储能装置
    具有灭火功能的储能装置_三星SDI株式会社_202520235368.X
    本公开涉及一种具有灭火功能的储能装置，所述储能装置包括：壳体，在所述壳体的内部具有安装空间；多个电池单体，安装在所述壳体的内部；以及灭火单元，延伸到所述壳体的内部并且被配置以供应灭火剂，其中所述灭火单元被配置以当在阈值或更高的温度熔化的同时...
    2026-01-24
  • 一种建筑外墙泡沫防火结构
    一种建筑外墙泡沫防火结构_辽宁弘牧机电设备制造有限公司_202522604127.0
    本实用新型公开了一种建筑外墙泡沫防火结构，涉及建筑外墙技术领域，包括墙体、找平层、泡沫板、网格砂浆层、防水装饰层，位于高度方向上相邻的两层所述泡沫板之间设置有储存箱，所述储存箱的厚度与所述泡沫板厚度相同，所述储存箱内储存能够流动的灭火介质，...
    2026-01-24
  • 一种电气工程用墙面电气盒封堵装置
    一种电气工程用墙面电气盒封堵装置_山东智和信能源科技有限公司_202520246670.5
    本实用新型公开了一种电气工程用墙面电气盒封堵装置，包括封板，所述封板上安装有处理仓，所述处理仓内设置有吸尘灭火组件，所述吸尘灭火组件一端连通转接管，所述转接管位于作业盒内，所述作业盒设置在封板另一侧，所述作业盒内设置有隔板，所述隔板外侧设置...
    2026-01-24
  • 一种工程化脑靶向递送细胞的制备及其应用
    一种工程化脑靶向递送细胞的制备及其应用_江苏大学_202511517013.0
    本发明公开了一种工程化脑靶向递送细胞及其制备方法与应用。所述工程化脑靶向递送细胞通过在细胞表面使用修饰剂进行修饰处理制得，所述修饰剂包括阳离子材料，生物碱和/或多糖。本发明的方法旨在克服现有细胞疗法中细胞难以高效穿越血脑屏障(BBB)或有效...
    2026-01-24
  • 一种改善砂型工作面耐高温性能的涂层材料及其制备方法
    一种改善砂型工作面耐高温性能的涂层材料及其制备方法_瑞泰科技股份有限公司_202511479892.2
    本发明公开了一种改善砂型工作面耐高温性能的涂层材料及其制备方法，所述涂层材料按质量百分比计包括如下组分：改性轻质纤维10‑30%、氧化铝空心球10‑30%、球形氧化铝粉40‑60%、脱硅锆微粉5‑15%、糊化淀粉5‑10%、粘结剂3‑15%...
    2026-01-24
  • 一种基于FPGA的柔性可配置数据解析装置及方法
    一种基于FPGA的柔性可配置数据解析装置及方法_西安微电子技术研究所_202511572936.6
    本发明涉及网络报文解析技术领域，公开了一种基于FPGA的柔性可配置数据解析装置及方法，通过RAM存储多个报文解析模板，搭配查找模块对报文帧标识信息的匹配，能够适配多协议报文解析，打破现有FPGA解析多针对单一协议、通用性差的局限。此外，解析...
    2026-01-24
  • 一种基于双通道中空探针的质谱响应实现扫描显微成像的系统及方法
    一种基于双通道中空探针的质谱响应实现扫描显微成像的系统及方法_中国科学院大连化学物理研究所_202410958546.1
    本发明涉及一种基于双通道中空探针的质谱响应实现扫描显微成像的系统及方法，包括操作系统、数据采集单元、位移控制单元、位置调节单元、气氛控制单元、隔振台、法拉第屏蔽箱、高灵敏质谱仪、探针和探针架，本发明利用中空玻璃管制备尖端开口可控的探针，并将...
    2026-01-24
  • 半导体组件
    半导体组件_汉磊科技股份有限公司_202520137456.6
    一种半导体组件，所述半导体组件包含碳化硅磊晶基材、多个阱区、接面场效区、多个源极、多个轻掺杂区、多个重掺杂区、栅极，及漏极电极。特别的是，所述轻掺杂区对应该所述源极设置，每一个该轻掺杂区具有自该碳化硅磊晶基材的顶面向下并位于相应的该源极的侧...
    2026-01-24
  • 一种变压器壳体制备用编码钢印装置
    一种变压器壳体制备用编码钢印装置_南通盛洋电气有限公司_202311324433.8
    本发明公开了一种变压器壳体制备用编码钢印装置，涉及编码钢印装置技术领域，包括底座和连通管，所述底座内设置有加热室，且加热室左右两侧对称开设有连通槽，所述加热室右方设置有进气口，且进气口内固定连接有第一单向阀，所述加热室右下部固定连接有加热板...
    2026-01-24
  • 高效长寿命有机硅气凝胶建筑隔热涂料及其制备方法
    高效长寿命有机硅气凝胶建筑隔热涂料及其制备方法_合盛硅业(鄯善)有限公司_202511604813.6
    本发明涉及建筑隔热涂料领域，公开了高效长寿命有机硅气凝胶建筑隔热涂料及其制备方法，包括以下组分：有机硅树脂基体、多级隔热复合填料、固化剂和助剂；所述多级隔热复合填料由疏水改性纳米二氧化硅气凝胶颗粒和空心玻璃微珠组成，其中所述疏水改性纳米二氧...
    2026-01-24
  • 一种行星变速电机
    一种行星变速电机_温州市方胜汽车部件有限公司_202520044031.0
    本实用新型公开了一种行星变速电机，包括驱动电机、外壳和输出杆，驱动电机与外壳可拆卸连接，驱动电机的传动杆端部开设有斜齿，外壳内设有行星变速结构，传动杆通过斜齿与行星变速结构联动，输出杆设于外壳内一端为连接部，连接部上设有连接杆，行星变速结构...
    2026-01-24
  • 一种功率半导体器件
    一种功率半导体器件_电子科技大学_202511855996.9
    本发明目的是提出一种用以表征功率半导体器件的方式，并依托于此表征方式具体提供一种功率半导体器件，通过在器件元胞内引入斜坡区使器件表面与平面形成一定角度。利用斜坡缩小器件版图上横向尺寸，从而在维持器件耐压的同时降低器件所占面积，进而优化器件比...
    2026-01-24
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