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安全;消防;救生装置及其产品制造技术
  • 一种优化MRI导航系统精度的空间定位不确定性评估方法
    一种优化MRI导航系统精度的空间定位不确定性评估方法_北京工业大学_202411743525.4
    本发明公开了一种优化MRI导航系统精度的空间定位不确定性评估方法，该首先利用3DSlicer软件实现MRI数据的三维重建，获取目标靶点位置的可能区域。通过构建Voronoi图来描述目标对象与周围环境之间的空间关系，并选取认知范围外的参考点建...
    2026-02-08
  • 半导体衬底及其制备方法
    半导体衬底及其制备方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511339371.7
    本公开提供了半导体衬底及其制备方法，所述制备方法包括：对掺杂氮元素的硅基板进行热处理，使所述硅基板中的氮元素向所述硅基板的表面扩散，以由所述氮元素在所述硅基板的所述表面形成具有预定尺寸的形核位点；在所述形核位点上生长多晶硅薄膜，以形成半导体...
    2026-02-08
  • 垂直场效应晶体管和用于构造其的方法
    垂直场效应晶体管和用于构造其的方法_罗伯特·博世有限公司_202080079619.X
    提供了一种垂直场效应晶体管(200, 300, 400, 500, 600)，其具有漂移区域(204)；在所述漂移区域(204)上或在所述漂移区域上方的半导体鳍片(230)，以及在所述半导体鳍片(230)上或在所述半导体鳍片上方的连接端区域...
    2026-02-08
  • 一种轻合金物流车厢
    一种轻合金物流车厢_河南明镁镁业科技有限公司_202411056276.1
    本发明公开了一种轻合金物流车厢，属于物流车厢技术领域。包括拼插板以及边框，所示的边框上设有垂直滑槽以及水平滑槽。四个边框相互垂直围绕成一个矩形框，两个矩形框上下间隔布置形成车厢整体框架，上下两个边框之间通过垂直布置的固定板固定连接。垂直滑槽...
    2026-02-08
  • 半导体器件结构及其制备方法
    半导体器件结构及其制备方法_株洲中车时代半导体股份有限公司_202510664012.2
    本申请实施例涉及半导体技术领域，公开一种半导体器件结构及其制备方法。半导体器件结构包括：基底以及设置其上方的漂移区；多个第一掺杂类型柱和多个栅极结构，多个第一掺杂类型柱位于漂移区中，且沿平行于基底表面的方向间隔设置；漂移区和第一掺杂类型柱掺...
    2026-02-08
  • 双异质结氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法
    双异质结氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法_深圳市汇芯通信技术有限公司_202310209529.3
    本发明公开了一种双异质结氮极性面氮化镓晶体管及其制造方法，其中，双异质结氮极性面氮化镓晶体管包括自下而上依次层叠设置的衬底层、键合层、支撑层、势垒层、材质为GaN的沟道层和材质为AlGaN的阻挡层，支撑层的材质为p‑GaN，沟道层的氮极性面...
    2026-02-08
  • 一种离合传动的座垫锁
    一种离合传动的座垫锁_瑞安市奥雪汽车电器有限公司_202620006471.1
    本实用新型涉及座垫锁，特别涉及一种离合传动的座垫锁，其包括封板、拉索板和卡扣板，所述封板与所述卡扣板配合，所述卡扣板和所述拉索板转动设置，所述卡扣板通过第一复位弹簧与所述拉索板连接，所述拉索板配有驱动块，所述驱动块左右移动设置，所述驱动块设...
    2026-02-08
  • 集成动力轮
    集成动力轮_新世纪产品股份有限公司_202411010002.9
    本发明提供一种集成动力轮，是应用于电动辅助婴儿车，该集成动力轮包含有一车轮本体、一马达、二电池、一控制电路板、一第一轮盖、一第二轮盖以及一盖锁。本发明将马达、电池和控制电路板整合于车轮本体，使得传统非电动婴儿车仅需要更换轮子，即可轻易升级为...
    2026-02-08
  • 超结选通AlGaN GaN HEMT
    超结选通AlGaN GaN HEMT_三菱电机株式会社_202180022980.3
    一种晶体管器件，包括源极(104)和漏极(105)，所述源极和所述漏极位于沿竖直方向(V)的一位置处的水平面处。栅极(111)位于沿所述竖直方向比源极和漏极水平面更高的水平面处。所述源极和漏极水平面下方的第一区域包括第一III族氮化物(II...
    2026-02-08
  • 一种靶向NKG2D配体的嵌合抗原受体、核酸分子、表达载体、巨噬细胞及其制备方法和应用
    一种靶向NKG2D配体的嵌合抗原受体、核酸分子、表达载体、巨噬细胞及其制备方法和应用_中国人民解放军空军军医大学_202511867598.9
    本发明涉及生物医药技术领域，具体公开了一种靶向NKG2D配体的嵌合抗原受体、核酸分子、表达载体、巨噬细胞及其制备方法和应用，所述胞外抗原结合域为NKG2D胞外结构域；所述铰链区为CD28铰链区或CD8a铰链区；所述跨膜/胞内信号传导结构域为...
    2026-02-08
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_飞锃半导体(上海)有限公司_202310097742.X
    本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体基板，所述半导体基板包括若干交替相间的第一区域和第二区域，所述半导体基板表面包括外延层，所述外延层表面包括电流分散层；第一掺杂区，位于所述第一区域的电流分散层中；第二掺杂区，位...
    2026-02-08
  • 感测型方向盘装置
    感测型方向盘装置_原相科技股份有限公司_202510099256.0
    本发明公开一种感测型方向盘装置，包含一方向盘与安装于所述方向盘的一握持感测模块。所述方向盘包含一左握持区段及一右握持区段。所述握持感测模块包含彼此相向且间隔设置的一第一感测电极与第二感测电极。所述第一感测电极的多个第一部各具有一第一宽度，多...
    2026-02-08
  • 一种驱动机构及潜伏牵引AGV小车
    一种驱动机构及潜伏牵引AGV小车_斯坦德机器人(深圳)有限公司_202520594081.6
    本实用新型公开了一种驱动机构和潜伏牵引AGV小车，驱动机构包括支撑转动组件，其包括回转支承和与回转支承外圈固定连接的支撑板；还包括驱动轮组件，其包括安装支架，安装支架通过两个转轴结构转动连接在支撑板上；分别固定设置在安装支架上的两个驱动一体...
    2026-02-08
  • 一种车轮机构及潜伏牵引AGV
    一种车轮机构及潜伏牵引AGV_斯坦德机器人(深圳)有限公司_202520594793.8
    本实用新型公开了一种车轮机构及潜伏牵引AGV, 车轮机构包括支撑组件；分别能够转动贯穿设置在支撑组件上的转动轮组件和随动组件，其两者啮合连接；设置在支撑组件上且能够对随动组件进行固定限位操作的定向限位组件。本实用新型通过定向限位组件分别对随...
    2026-02-08
  • 一种用于建筑工地的下潜式AGV运输系统及其自动运输方法
    一种用于建筑工地的下潜式AGV运输系统及其自动运输方法_中建八局第三建设有限公司_202511514487.X
    本发明提供了一种用于建筑工地的下潜式AGV运输系统及其自动运输方法，运输系统包括货框、货架、AGV搬运机器人，货框底部设有与货架上端斜梁相匹配的三角定位限位结构，在AGV搬运机器人下潜顶升时实现自导向、自定心与防脱落；货框两侧为可翻转侧框，...
    2026-02-08
  • 抑制Wnt信号通路的融合蛋白及其应用
    抑制Wnt信号通路的融合蛋白及其应用_山东伯桢生物科技有限公司_202610015651.0
    本发明提出了一种抑制Wnt信号通路的融合蛋白及其应用，涉及生物医药领域，该融合蛋白包括：第一肽段，所述第一肽段包含FU1片段；第二肽段，所述第二肽段包含DRPB片段；所述第一肽段与所述第二肽段相连。本发明所制备的融合蛋白可以有效抑制Wnt信...
    2026-02-08
  • 一种覆盖件及工程机械
    一种覆盖件及工程机械_中国铁建重工集团股份有限公司_202520174585.2
    本申请涉及工程机械技术领域，尤其涉及一种覆盖件及工程机械。本申请实施例提供一种覆盖件及工程机械。该装置包括：覆盖件本体，覆盖件本体上设置有检修口；顶盖板，顶盖板用于封闭检修口；磁吸组件，与覆盖件本体和顶盖板中的至少一者连接，以将顶盖板吸附在...
    2026-02-08
  • 一种氧化镓肖特基二极管终端器件及其制备方法
    一种氧化镓肖特基二极管终端器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511583551.X
    本发明公开了一种氧化镓肖特基二极管终端器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：衬底；外延层，位于衬底的上表面；外延层包括单区JTE终端；多个间隔排布的P型微岛JTE终端，位于外延层的上表面；P型微岛JTE终端的侧面与平行于衬底的方向的夹...
    2026-02-08
  • 用于汽车的充电口安装结构及汽车
    用于汽车的充电口安装结构及汽车_蔚来汽车科技(安徽)有限公司_202211333644.3
    本发明公开了一种用于汽车的充电口安装结构及汽车，包括侧围板、充电支架、骨架和密封组件，骨架设在充电支架和侧围板之间，密封组件位于骨架、充电支架和侧围板之间，以用于使骨架、充电支架和侧围板密封配合。该用于汽车的充电口安装结构，侧围板和充电支架...
    2026-02-08
  • 碳化硅LDMOS结构的形成方法、碳化硅LDMOS结构及碳化硅LDMOS器件
    碳化硅LDMOS结构的形成方法、碳化硅LDMOS结构及碳化硅LDMOS器件_上海瞻芯电子科技股份有限公司_202411397957.4
    本申请公开了一种碳化硅LDMOS的结构及其形成方法，包括：形成第一阱区域；形成第二阱区域，第二阱区域与第一阱区域部分重叠，并且第二阱区域的注入深度小于第一阱区域的入深度；成第三区域，第三区域包含于第一阱区域中，且与第二阱区域部分重叠，并且第...
    2026-02-08
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