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安全;消防;救生装置及其产品制造技术
一种复合场限环圆形版图横向功率器件及制备方法
本发明公开了一种复合场限环圆形版图横向功率器件及制备方法,括衬底、埋氧层、有源层、复合场限环、源极金属、栅极金属和漏极金属;横向功率器件的横截面呈圆形或椭圆形,有源层包括从内至外依次同轴布设的半导体漏区、漂移区和半导体阱区;复合场限环具有至...
光电器件、选择开关、深紫外探测器、薄膜晶体管及应用
一种光电器件、选择开关、深紫外探测器、薄膜晶体管及应用,属于半导体器件领域。该薄膜晶体管包括栅绝缘层、作为厚沟道的非晶氧化镓层。并且,该薄膜晶体管还包括:作为薄沟道的界面层,其位于所述栅绝缘层和所述非晶氧化镓层之间。非晶氧化镓层的电阻率高于...
电动汽车的掉头方法、装置、电动汽车及电子设备
本申请涉及电动汽车控制技术领域,特别涉及一种电动汽车的掉头方法、装置、电动汽车及存储介质,其中,方法包括:响应于原地掉头请求,控制电动汽车进入原地掉头模式,以基于电动汽车的垂直载荷分配每个车轮的目标驱动转矩;基于目标驱动转矩,控制电动汽车按...
锗硅异质结双极晶体管结构及其形成方法
一种锗硅异质结双极晶体管结构及其形成方法,其中方法包括:提供衬底,所述衬底包括基底和位于所述基底上的集电区,所述集电区包括第一区和位于所述第一区两侧的第二区;形成位于第一区上的主基区和位于第二区上的外基区,所述外基区位于所述主基区侧壁表面和...
一种氧化镓IGBT器件及其制造方法
本发明提供了一种氧化镓IGBT器件及其制造方法,涉及半导体技术领域,包括依次叠层设置的重掺杂P型衬底、N型氧化镓缓冲层、N型氧化镓漂移区、P型层、N型载流子存储层、P型阱区和掺杂接触区;掺杂接触区包括重掺杂N型区和重掺杂P型区;P型层、N型...
一种多腔体门槛加强梁结构及其加工方法
一种多腔体门槛加强梁结构及其加工方法,该门槛加强梁结构形似“L”字型,包括腔体一、腔体二、腔体三以及腔体四;车体外侧设有两个腔体构成较小日字型结构,车体内侧设有两个腔体构成较大的日字型结构;外侧腔体与内侧腔体总体形成L字型结构;本发明所述门...
一种高压附件集成式支架及车辆底盘
本申请涉及一种高压附件集成式支架及车辆底盘,包括:主体骨架,该主体骨架为矩形框架结构,在主体骨架的两侧延伸有将主体骨架连接在车架上的延伸支架,主体骨架上设有用于连接热管理器和制动储气筒的固定横梁;附件支架,该附件支架位于主体骨架后侧的上方,...
自行车锁结构
本实用新型提供了一种自行车锁结构,包括支架和传动轴,传动轴穿过支架并与支架转动配合,传动轴的一端设置有输出轴,输出轴的一端伸入支架内,输出轴的另一端伸出支架;支架内设置有止动爪和驱动装置,止动爪与传动轴周向固定连接,传动轴允许止动爪沿传动轴...
超级结MOSFET器件及其制造方法
本发明提供一种超级结MOSFET器件及其制造方法。该器件包括衬底、高阻外延层、以及设置在高阻外延层中的第一和第二导电类型的深沟槽柱体区。其核心在于,两种导电类型的深沟槽柱体区均通过独立的刻蚀深沟槽并进行外延填充工艺形成。该制造方法使得两种柱...
外延结构、P型晶体管、集成电路以及电源管理芯片
本发明公开了一种外延结构、P型晶体管、集成电路以及电源管理芯片,其中外延结构包括基体以及在基体上形成的垂直堆叠结构,所述垂直堆叠结构包括依次层叠的第一P型区、P型沟道区以及第二P型区,所述第二P型区的一侧表面与所述基体的一侧表面接触;通过上...
一种碳化硅MOSFET器件
一种碳化硅MOSFET器件,涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的漏极金属层、N+衬底层、N‑漂移层、N‑外延层、PW区、N+区、欧姆接触合金层和源极金属层;所述N‑外延层上设有:NN区,设有一对,间隔设置在所述N‑外延层内;PP区,设...
一种大幅度高空作业车副车架
本发明公开了一种大幅度高空作业车副车架,包括:第一和第二固定支腿箱、纵梁结构和回转支撑座,第一和第二固定支腿箱分别焊接于纵梁结构两端,纵梁结构穿过回转支撑座焊接于一体,形成箱型结构,回转支撑座的纵向中心线相对纵梁结构的纵向中心线向右偏移,用...
一种可移动式油库应急救援设备
本发明公开了一种可移动式油库应急救援设备,涉及油库应急救援技术领域,包括运输车,所述运输车的顶部连接有抽污泵,所述运输车的顶部连接有与抽污泵相互连通的储存箱,所述抽污泵的抽油端连接有连接管,所述连接管内连接有固定盘;本发明中储油先经过滤箱内...
多肽修饰靶向肠道的脂质体纳米颗粒及其制备方法和应用
本发明公开了多肽修饰靶向肠道的脂质体纳米颗粒及其制备方法和应用,所述多肽的氨基酸序列选自如SEQ ID NO : 1所示的氨基酸序列,或者与SEQ ID NO : 1所示的氨基酸序列具有至少80%同源性的氨基酸序列。本发明的多肽能够靶向肠道...
辅助靶向治疗神经退行性疾病的中药包覆物及其制备方法
本发明涉及包封含有氢分子和中药活性物质的复合脂质体技术领域,特别涉及一种辅助靶向治疗神经退行性疾病的中药包覆物及其制备方法,具体的,通过包封复合脂质体用于辅助靶向治疗神经退行性疾病。通过传统中药的活性提取物与高浓度氢分子相结合,并利用靶向脂...
双向功率器件
公开了一种双向功率器件,双向功率器件包括:半导体层;位于半导体层中的沟槽;位于所述沟槽侧壁上的栅介质层;位于所述沟槽下部的控制栅;以及位于所述半导体层中且邻近所述控制栅的沟道区;其中,所述控制栅与所述半导体层之间由所述栅介质层隔开。本申请提...
一种中置变速器及车辆
本实用新型涉及变速器技术领域,提供一种中置变速器及车辆。中置变速器包括传动机构(10)、换挡机构(20)以及输出机构(30);传动机构(10)包括第一传动轴(11)、第二传动轴(12)、转动安装于第一传动轴(11)上的多个第一齿轮(13)以...
高压CMOS器件的工艺集成方法及半导体器件
本申请提供一种高压CMOS器件的工艺集成方法及半导体器件,其中在工艺集成方法中,在浮栅材料层形成之前,先形成高压MOS器件区的高压栅介质层和高压阱区,在浮栅材料层形成之后,保留高压MOS器件区的浮栅材料层和ONO介质层,并利用浮栅材料层、O...
具有沟槽栅极结构的碳化硅器件以及制造方法
公开了具有沟槽栅极结构的碳化硅器件以及制造方法。碳化硅器件(500)包括具有沟槽栅极结构(150)的碳化硅本体(100),该沟槽栅极结构(150)从第一表面(101)延伸到碳化硅本体(100)中。本体区(120)与沟槽栅极结构(150)的有...
聚乙二醇修饰的富勒烯衍生物及其制备方法和应用
本公开涉及聚乙二醇修饰的富勒烯衍生物及其制备方法和应用;本公开提供一种聚乙二醇修饰的富勒烯衍生物,其具有富勒烯骨架以及聚乙二醇衍生物,所述富勒烯骨架为含C2n1的一种或多种富勒烯分子,其中2n1为碳原子数,30≤n1≤60,所述聚乙二醇衍生...
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