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安全;消防;救生装置及其产品制造技术
  • 一种减速机转向机构
    一种减速机转向机构_江苏双正机械有限公司_202520448791.8
    本实用新型公开了一种减速机转向机构，包括转向架、转向舵架和行走轮，其中：转向架的表面固定安装有行走电机和转向电机，转向舵架转动安装于转向架的底面，转向舵架包括轮叉架、舵轮盘和第二传动轴，行走轮转动安装于轮叉架的表面，且行走轮的表面设有与第二...
    2026-02-08
  • 隧道场效应晶体管及其形成方法
    隧道场效应晶体管及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202011195178.8
    本申请技术方案提供一种隧道场效应晶体管及其形成方法，所述隧道场效应晶体管包括半导体衬底；金属栅结构，位于所述半导体衬底的表面；侧墙，位于所述金属栅结构的侧壁；源极和漏极，分别位于所述金属栅结构两侧的半导体衬底中；重掺杂区，位于所述隧道场效应...
    2026-02-08
  • 正极材料及其制备方法、具备其的二次电池
    正极材料及其制备方法、具备其的二次电池_宁德时代新能源科技股份有限公司_202280063310.0
    正极材料及其制造方法、具备该正极材料的二次电池。正极材料包括：内核，包含富锂锰基正极材料；以及包覆层，包覆在内核外表面，包覆层包括过渡金属氧酸盐和碳的复合材料，过渡金属氧酸盐中的过渡金属选自Ti、Mo、W、V、Ta、Nb或Nd中的至少一种；...
    2026-02-08
  • 一种坐垫骨架结构、车辆座椅及车辆
    一种坐垫骨架结构、车辆座椅及车辆_梅赛德斯-奔驰集团股份公司_202311051780.8
    本发明公开了一种坐垫骨架结构、车辆座椅及车辆，属于车辆座椅技术领域。该坐垫骨架结构可包括：坐垫骨架主体、电子元件、线束及功能端口，其中，坐垫骨架主体通过热塑性材料制成；电子元件和线束集成于坐垫骨架主体内；电子元件与线束电连接；功能端口设置于...
    2026-02-08
  • 一种铝板加工用的金属压延设备
    一种铝板加工用的金属压延设备_安徽汇联智新材料科技有限公司_202511640790.4
    本申请涉及一种铝板加工用的金属压延设备，属于轧制加工的技术领域，其包括水平辊及立辊，立辊设置于水平辊两侧；液压缸与水平辊连接，用于调节水平辊受力；竖轴与套管滑动连接；竖轴及套管的端部分别位于板材的上方和下方，板材沿竖向移动后与竖轴或套管端部...
    2026-02-08
  • 盘盖类产品存储和转运装置及其方法
    盘盖类产品存储和转运装置及其方法_科捷智能科技股份有限公司_202511719789.0
    本申请涉及物流仓储与智能制造自动化搬运领域，具体地提出一种盘盖类产品存储和转运装置及其方法。创新性地提出一种针对盘盖类产品设计的专用叠放与抓取转运机构，从而以较高的自动化与智能化控制手段高效地配合机械手进行取放作业，实现显著地减少人工成本、...
    2026-02-08
  • 一种自装卸式运载机器人
    一种自装卸式运载机器人_南通智客机器人自动化有限责任公司_202610019866.X
    本发明涉及运载机器人技术领域，具体为一种自装卸式运载机器人，包括载物平台以及安装在其下方用于行走的行走轮，且载物平台的前侧面安装有第一摄像头，所述载物平台的前侧下方安装有激光测距仪，且载物平台的上方通过稳定调控组件连接有载物架，而且载物架的...
    2026-02-08
  • 一种基于用户行程期望的增程能量管理方法及相关设备
    一种基于用户行程期望的增程能量管理方法及相关设备_奇瑞汽车股份有限公司_202511763158.9
    本发明公开了一种基于用户行程期望的增程能量管理方法及相关设备，方法先获取车辆实时能耗信息、当前电池荷电状态及用户本次预期行驶里程；接着，依据当前电池荷电状态与实时能耗信息，计算车辆以纯电行驶至低于预设电量平衡点的目标电池荷电状态时的纯电续航...
    2026-02-08
  • 基于无人机多光谱影像的建设工地扬尘污染识别方法及系统
    基于无人机多光谱影像的建设工地扬尘污染识别方法及系统_中化学交通建设集团第三工程有限公司_202511585878.0
    本申请公开了一种基于无人机多光谱影像的建设工地扬尘污染识别方法及系统，涉及无人机、图像数据处理技术，包括：预先根据建设工地的工地范围配置无人机飞行的初始路径；利用所述无人采集所述工地范围内的多波段影像数据；对任意位置的多波段影像数据计算各波...
    2026-02-08
  • 先进半导体装置的浅沟槽隔离中形成自转化支撑板的方法
    先进半导体装置的浅沟槽隔离中形成自转化支撑板的方法_南亚科技股份有限公司_202411361892.8
    本发明提供一种先进半导体装置的浅沟槽隔离中形成自转化支撑板的方法，其中以光刻工艺在硅基板上定义主动区域后，施加额外的光掩膜以在STI刻蚀工艺期间形成支撑板图案层于欲进行STI刻蚀的区域，并形成STI沟槽。经STI刻蚀后，在STI沟槽内形成微...
    2026-02-08
  • 保护壳以及具有保护壳的电子装置
    保护壳以及具有保护壳的电子装置_神基科技股份有限公司_202411039743.X
    一种电子装置包含有一运算装置以及一保护壳。保护壳用以固定运算装置。保护壳包含有一保护底板、多个固定角以及一支撑装置。固定角安装于保护底板的多个角隅，以固定运算装置，而支撑装置安装于保护底板相反于运算装置的表面，以保护运算装置。
    2026-02-08
  • 一种电动车用后座储物装置
    一种电动车用后座储物装置_江苏英雄车业有限公司_202520461237.3
    本申请公开了一种电动车用后座储物装置，涉及电动车配件技术领域，包括箱体，所述箱体的上端铰接有箱盖，且箱体的内部设置防撞组件，所述防撞组件包括固定框，所述固定框与箱体的内壁固定连接，且固定框的内壁固定连接有滑动杆。本申请可通过防撞板推动滑动架...
    2026-02-08
  • 一种小型移动式起吊装置
    一种小型移动式起吊装置_重庆湿地环保科技有限公司_202520482932.8
    本实用新型属于吊装设备技术领域，具体涉及一种小型移动式起吊装置，包括可移动的底座，底座上设有Y型起吊架，Y型起吊架包括固定柱，固定柱的顶端可转动连接有旋转柱，旋转柱的长度可伸缩调节；旋转柱的顶端设有左悬臂和右悬臂，左悬臂和右悬臂的顶端均设有...
    2026-02-08
  • 用于Kerberos的权限管理方法、设备及存储介质
    用于Kerberos的权限管理方法、设备及存储介质_中电云计算技术有限公司_202411192336.2
    本发明公开了一种用于Kerberos的权限管理方法、设备及存储介质，涉及用户权限分配领域。该方法的步骤包括：在用户的Ranger权限服务中存储该用户的权限管理信息；监测到用户访问hive数据库时，判断访问的hive数据库是否符合当前用户的权...
    2026-02-08
  • 集成电路设计版图电路面积获取方法、装置及计算机设备
    集成电路设计版图电路面积获取方法、装置及计算机设备_东方晶源微电子科技(北京)有限公司_202211255780.5
    本发明涉及集成电路计算机辅助设计领域，特别涉及一种集成电路设计版图电路面积获取方法、装置及计算机设备。所述集成电路设计版图电路面积获取方法包括以下步骤：获取设计版图的图像面积；在设计版图上界定预设区域并在预设区域内均匀分布预设数量采样点；计...
    2026-02-08
  • 业务表单处理方法、装置、设备及存储介质
    业务表单处理方法、装置、设备及存储介质_中国平安人寿保险股份有限公司_202211634455.X
    本申请实施例提供了一种业务表单处理方法、装置、设备及存储介质，属于数据处理技术领域。该方法包括：显示目标业务表单，目标业务表单包括多个目标字段对象；获取字段更新策略；根据预设的更新频率，对各个目标字段对象的目标字段数据进行提取，并判断目标字...
    2026-02-08
  • 一种废铝运输的转运设备
    一种废铝运输的转运设备_江西保太有色金属集团有限公司_202311001328.0
    本发明公开了废铝处理技术领域的一种废铝运输的转运设备，包括底座，所述底座的两侧安装有行走驱动组件，用于驱动底座移动，所述底座的正面安装有控制器部件，用于接收外部遥控信号并控制转运设备移动行走，底座的顶部安装有导向驱动组件，所述底座的顶部焊接...
    2026-02-08
  • 一种导热增强型光热防覆冰涂层的制备方法
    一种导热增强型光热防覆冰涂层的制备方法_西安理工大学_202511877201.4
    本发明公开了一种导热增强型光热防覆冰涂层的制备方法，具体为：硼酸与尿素混合煅烧生成BN粉末，再与苯甲酸苄酯球磨处理，制得BNNSs；将BNNSs与CNTs经改性、分散、混合后，制得BNNSs@CNTs复合材料；将AOZ溶于二氯甲烷，滴加至B...
    2026-02-08
  • 一种集成双肖特基二极管的垂直沟槽型氮化镓超结MOSFET器件及其制备方法
    一种集成双肖特基二极管的垂直沟槽型氮化镓超结MOSFET器件及其制备方法_山东大学_202511495903.6
    本发明涉及一种集成双肖特基二极管的垂直沟槽型氮化镓超结MOSFET器件及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明将超结结构应用于垂直沟槽MOSFET中，交替排列的p/n‑柱形成了漂移区内的横向电场，刻蚀沟槽填充肖特基金属，同时与n‑柱形成N型...
    2026-02-08
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202011457499.0
    一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括P阱区；栅电极，所述栅电极位于所述衬底上；以及第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域在与所述栅电极相邻的相对侧形成在所述衬底中，所述第一区域包括位于所述衬底中的第一N阱区以及位于所述第一N阱区中...
    2026-02-08
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