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安全;消防;救生装置及其产品制造技术
  • 一种分布式隐私计算大数据处理系统和方法
    一种分布式隐私计算大数据处理系统和方法_河南省信息化集团有限公司_202511629616.X
    本发明涉及隐私计算与大数据处理技术领域，公开了一种分布式隐私计算大数据处理系统和方法，所述系统包括：边缘计算层、隐私计算层和区块链层，所述边缘计算层部署于各数据提供方本地，包括数据清洗模块和动态脱敏模块，所述隐私计算层包括联邦学习模块、同态...
    2026-02-03
  • 一种大型网架空中转体装置
    一种大型网架空中转体装置_中交第三航务工程局有限公司_202520097748.1
    本实用新型公开了一种大型网架空中转体装置，包括起重船，所述起重船的顶部设置有支撑板，所述支撑板的一侧固定连接有第一卷扬机，所述第一卷扬机的表面固定连接有第一钢丝绳，所述第一钢丝绳的一侧固定连接有连接器，所述连接器的底部固定连接有第二钢丝绳。...
    2026-02-03
  • 一种用于车辆的连接梁结构及其车辆
    一种用于车辆的连接梁结构及其车辆_苏州大方特种车股份有限公司_202520399662.4
    本实用新型涉及一种用于车辆的连接梁结构及其车辆，连接梁结构包括连接梁组件、连接座组件、连接块、紧固件，连接梁组件包括第一、第二连接梁；连接座组件包括第一、第二连接座，第一连接座连接在第一、第二连接梁两端之间的位置，第二连接座分别连接在第一、...
    2026-02-03
  • 一种改性木质素衍生硬炭负极材料及其制备与应用
    一种改性木质素衍生硬炭负极材料及其制备与应用_广东工业大学_202410721272.4
    本发明公开了一种改性木质素衍生硬炭负极材料及其制备与应用。该木质素衍生硬炭材料采用氨氧化或季铵化木质素为木质素碳源，将其与分散剂和粘结剂在水溶液中混合、干燥，在惰性气体氛围下，高温下进行分阶段碳化得到硬炭材料。所制备的硬炭负极材料具有较小的...
    2026-02-03
  • 一种出线角度可调的分离式换电连接器
    一种出线角度可调的分离式换电连接器_苏州瑞可达连接系统股份有限公司_202520384646.8
    本实用新型公开了一种出线角度可调的分离式换电连接器。该换电连接器包括 : 具有高压连接器插座部的换电主体以及插装高压线束的高压连接器插头部，插座部的插座壳连接多个插接管以及凸出螺孔块，若干个螺孔块的螺纹联孔的圆心处于插接管的同心圆上；插头部...
    2026-02-03
  • 一种物流用货物分类输送装置
    一种物流用货物分类输送装置_中鼐智能科技(江西)有限公司_202520142588.8
    本实用新型涉及货物分类输送技术领域，且公开了一种物流用货物分类输送装置，包括移动底板，所述移动底板表面的一侧固定有把手，所述移动底板的表面活动设置有篮筐，所述移动底板的表面固定有若干个万向轮，所述篮筐的表面开设有若干个固定槽，所述篮筐的表面...
    2026-02-03
  • 数据处理方法、装置和电子设备
    数据处理方法、装置和电子设备_融合通信技术(天津)有限公司_202211549084.5
    本申请涉及数据识别领域，尤其是一种数据处理方法、装置和电子设备，方法包括：实时获取多个数据包，每一数据包至少包括用户的电话号码、待发送信息与企业的账号，其中，待发送信息为相应的企业向用户发送的具体信息；根据每一数据包的企业的账号，利用企业账...
    2026-02-03
  • 一种日志脱敏方法、装置、电子设备和存储介质
    一种日志脱敏方法、装置、电子设备和存储介质_平安银行股份有限公司_202211103916.0
    本申请实施例提供一种日志脱敏方法、装置、电子设备和存储介质，其中，方法包括：获取日志文件；根据所述日志文件生成哈希码；将所述日志文件进行脱敏，得到脱敏后的日志文件；以所述日志文件的哈希码为索引信息将所述脱敏后的日志文件进行存储。实施上述实施...
    2026-02-03
  • 一种药食同源组合物三维分布的测量方法及装置
    一种药食同源组合物三维分布的测量方法及装置_海南热带海洋学院_202511154259.6
    本发明公开了一种药食同源组合物三维分布的测量方法及装置，属于植物检测技术领域。本发明通过激光剥蚀将组合物切片气化产生气体分子，保留了目标成分的分子结构，根据第一光谱数据判断气化完成时刻，减少气体分子中的杂质气体，接着通过电离室电离气体分子产...
    2026-02-03
  • 一种肖特基二极管及其制备方法
    一种肖特基二极管及其制备方法_广微集成技术(深圳)有限公司_202111521603.2
    本发明公开一种肖特基二极管及其制备方法，肖特基二极管包括衬底；中间层设于衬底的上侧，中间层包括外延层和氧化层，中间层的上部形成有多个沟槽，多个沟槽包括多个位于终端区的终端区沟槽，各沟槽具有对应外延层的第一内壁，第一内壁上设有栅氧化层，栅氧化...
    2026-02-03
  • 事务安全且存储代价小的对象存储文件管理方法、装置及设备
    事务安全且存储代价小的对象存储文件管理方法、装置及设备_北京酷克数据科技有限公司_202511424404.8
    本申请涉及一种事务安全且存储代价小的对象存储文件管理方法、装置及设备，该方法包括以下步骤：先依文件名编码规则，在文件名中含分片与通道标识，将逻辑连续的多个独立对象存储文件虚拟为单个可追加逻辑文件；再借两张核心元数据表，跟踪文件状态；接着以逻...
    2026-02-03
  • 一种隐私计算任务全生命周期管理系统及方法
    一种隐私计算任务全生命周期管理系统及方法_长春市万易科技有限公司_202511322408.5
    本发明公开一种隐私计算任务全生命周期管理系统及方法，涉及隐私计算技术领域。该平台包括任务创建、任务调度、任务执行、监控和结果审计模块。任务创建模块接收隐私计算任务需求并合规校验，输出任务描述文件；任务调度模块基于动态调度算法匹配实时资源状态...
    2026-02-03
  • 一种生物发酵染菌料制备阿维菌素发酵液的方法
    一种生物发酵染菌料制备阿维菌素发酵液的方法_黑龙江联顺生物科技有限公司_202411002145.5
    本发明涉及一种生物发酵染菌料制备阿维菌素发酵液的方法。本方法包括步骤三级发酵培养，分为一级种子培养、二级种子培养、发酵罐培养，利用发酵染菌料制备阿维菌素发酵液，结合菜籽饼粉与小麦胚粉按一定比例混合并结合前体流加补料的方法进行发酵，即达到了能...
    2026-02-03
  • HEMT器件及其制备方法
    HEMT器件及其制备方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511496881.5
    本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，基于图案化的牺牲层至少在栅极结构与漏极结构之间形成一个与漏极结构接触的电子调节层，且电子调节层被配置为三五族化合物，该电子调节层可产生较高的供体状态界面密度以在电子调节层与势垒层的界面处形成更多的正电...
    2026-02-03
  • 纸袋成型用胶盘升降机构
    纸袋成型用胶盘升降机构_江苏方邦机械有限公司_202520897252.2
    本实用新型的目的在于揭示一种纸袋成型用胶盘升降机构, 涉及纸袋成型技术领域，包括竖直板墙、胶盘、连杆升降组件及把手；所述连杆升降组件安装于胶盘底部；在所述竖直板墙设有第一限位阻挡块，所述连杆升降组件设有第二限位阻挡块；当所述把手处于最高位置...
    2026-02-03
  • 一种消防安全智慧管家运维平台
    一种消防安全智慧管家运维平台_湖北佳狮盾智能技术有限公司_202520404315.6
    本申请涉及一种消防安全智慧管家运维平台，其包括便携式运维平台主机，便携式运维平台主机上设置有显示屏，还包括用于固定于墙面的卡套，便携式运维平台主机与卡套插嵌连接，便携式运维平台主机背离显示屏的一侧设置有磁吸充电触点，卡套上设置有磁吸充电座，...
    2026-02-03
  • 一种塔式浇筑设备塔筒装置
    一种塔式浇筑设备塔筒装置_中国三峡建工(集团)有限公司_202520625435.9
    本实用新型属于大体积混凝土浇筑施工设备领域，具体提供一种塔式浇筑设备塔筒装置，包括塔筒结构，塔筒结构包括底筒节和若干标准筒节，底筒节与基础埋件通过外法兰连接，底筒节上端和标准筒节之间以及相邻的标准筒节之间通过内法兰连接，标准筒节上设有多组锁...
    2026-02-03
  • 半导体装置结构
    半导体装置结构_台湾积体电路制造股份有限公司_202423183191.8
    一种半导体装置结构。所述半导体装置结构包括外延结构以及电性连接到外延结构的半导体纳米结构。所述半导体装置结构还包括延伸跨越半导体纳米结构的金属栅极堆叠，且金属栅极堆叠具有栅极介电层以及栅极电极。所述半导体装置结构还包括在金属栅极堆叠以及外延...
    2026-02-03
  • 一种汽车用导线绝缘端子排
    一种汽车用导线绝缘端子排_深圳班狄电子科技有限公司_202520167395.8
    本实用新型公开了一种汽车用导线绝缘端子排，所属端子排技术领域，包括若干绝缘件，绝缘件的两侧均设置有若干强力磁块，绝缘件的下侧设置有放置槽，放置槽内设置有通电组件，绝缘件的左侧设置有导电组件一，绝缘件的右侧设置有导电组件二，绝缘件的上侧设置有...
    2026-02-03
  • 一种具有三层缓冲层的高可靠性MOS器件结构及制备方法
    一种具有三层缓冲层的高可靠性MOS器件结构及制备方法_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511604527.X
    本发明涉及功率MOSFET器件，特别涉及一种具有三层缓冲层的高可靠性MOS器件结构及制备方法，制备方法包括在N衬底层上依次生长N漂移层、第二缓冲层；通过刻蚀在元胞中间形成第一深槽，在第一深槽底部注入离子形成第三缓冲层；在第一深槽中淀积氧化层...
    2026-02-03
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