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安全;消防;救生装置及其产品制造技术
在浮栅闪存工艺中集成非自对准高压CMOS器件的方法
本发明提供一种在浮栅闪存工艺中集成非自对准高压CMOS器件的方法,该方法包括:提供衬底;形成浮栅材料层;将高压CMOS器件区域内的浮栅材料层图案化,形成具有梯形截面的硬掩膜;利用该硬掩膜对衬底进行倾斜离子注入,以形成轻掺杂漏极区。其中,该梯...
一种集成式方向盘显示机构
本实用新型公开了一种集成式方向盘显示机构,包括基座、轮缘、主体,还包括用于轮缘转动时仍保持方向固定不变的饰盖,所述饰盖与主体相连接,所述饰盖上安装有显示组件,所述基座上连接有传动组件,所述传动组件与轮缘相连接,所述主体的底部与基座相连接,通...
在漏极漂移区域处具有横向电荷平衡的FINFET
本发明实施例涉及在漏极漂移区域处具有横向电荷平衡的FINFET。一种半导体装置(100)包含延伸漏极finFET(102)。所述finFET(102)的漏极漂移区域(128)在所述finFET(102)的漏极接点区域(132)与主体(124...
一种能够多角度监测和机械限位的铰接式车架及自卸车
本发明公开一种能够多角度监测和机械限位的铰接式车架及自卸车,包括前车架、后车架和铰接体,前车架与后车架通过铰接体连接,且可沿X轴和Y轴相对转动,设定铰接体沿车辆前进方向中心轴为X轴、设定铰接体垂直地面方向中心轴为Y轴;还包括X轴机械限位装置...
一种极化结构的氮化镓结势垒肖特基二极管及其制备方法
本发明公开了一种极化结构的氮化镓结势垒肖特基二极管及其制备方法,涉及半导体技术领域,包括:依次层叠设置的衬底、缓冲层、n+‑GaN层、n‑‑GaN漂移层、AlGaN层、i‑GaN层和p‑GaN层;i‑GaN层和p‑GaN层组成的层叠结构与A...
一种导弹贮运发箱装卸装置
本实用新型公开了一种导弹贮运发箱装卸装置,包括用于放置导弹贮运发箱的转运小车、便于转运小车装车的支撑架及置于支撑架一侧且为转运小车提供动力的绞盘组件;所述转运小车包括转运支撑架和设于转运支撑架底部的多个万向轮,转运支撑架底部设有作为钢丝绳固...
沟槽型碳化硅晶体管及其制造方法
本申请公开了一种沟槽型碳化硅晶体管及其制造方法,涉及半导体器件技术领域。沟槽型碳化硅晶体管包括:第一掺杂类型的碳化硅衬底,碳化硅衬底包括第一表面,第一表面上设置有第一掺杂类型的外延层;设置在外延层内的第二掺杂类型的阱区;设置在阱区内的栅极沟...
一种单晶硅棒的掺锑方法、掺锑单晶硅棒及其应用
本发明涉及光伏技术领域,具体而言,涉及一种单晶硅棒的掺锑方法、掺锑单晶硅棒及其应用。一种单晶硅棒的掺锑方法,包括以下步骤:制备熔融硅料,对所述熔融硅料所处环境进行升压处理,采用掺杂装置将锑源加入所述熔融硅料中,得到锑掺杂熔料;对所述锑掺杂熔...
一种具有净化功能的移动式液化气回收设备
本发明公开了一种具有净化功能的移动式液化气回收设备,属于液化气回收技术领域,通过螺杆旋转的过程中能够拉动轴承和滑块移动,使滑块带动两个推板拉动过滤净化箱,使过滤净化箱远离回收罐,在过滤净化箱移动的过程中会带动套筒和排出管座向右移动,随着排出...
摩托车
本申请提供一种摩托车,包括:车体、悬架组件、驱动组件和行走组件;摩托车还包括:投屏仪表,投屏仪表包括通信模组,通信模组包括第一连接模式和第二连接模式,当通信模组处于第一连接模式下,投屏仪表提供无线接入服务,允许移动终端接入投屏仪表,从而使移...
半导体结构及其形成方法
在实施例中,示例性方法包括接收结构,结构包括:鳍形有源区域,从衬底突出并且包括沟道区域和源极/漏极区域;以及伪栅极堆叠件,位于沟道区域上方。方法也包括:使源极/漏极区域凹进以形成源极/漏极沟槽;在衬底上方和源极/漏极沟槽中形成介电层;在源极...
一种小型桌上微型高低温试验箱
本实用新型公开了一种小型桌上微型高低温试验箱,涉及桌上型高低温试验箱技术领域,包括,本体,所述本体为桌上型高低温试验箱;所述本体放在桌体上,且桌体的底部设置有支腿;所述支腿的两侧均设置有电动导轨,所述电动导轨的输出端上设置有滑块,所述滑块的...
车门密封帘、其装配方法和车辆
本发明涉及车辆技术领域,具体公开了一种车门密封帘、其装配方法和车辆。车门密封帘的帘本体上设置密封膜,密封膜穿过车门内板的开口后贴合在车门内板远离车门外板的一侧,并且通过在密封膜远离帘本体的一侧粘接磁铁,通过磁铁吸附在车门内板上实现密封膜的固...
一种自行车前叉、强度检测设备和检测方法
本发明涉及自行车强度测试领域,具体是涉及一种自行车前叉、强度检测设备和检测方法,检测设备包括基座,以及弹性安装在基座上的检测台,检测台上设置有插装座,插装座连接外管底端的爪钩,基座上设置有头管夹具,振动模拟单元驱动检测台在竖直方向上往复移动...
一种p型透明功能氧化物薄膜在SiC衬底上高质量室温外延生长方法
本发明提出一种p型透明功能氧化物薄膜在SiC衬底上高质量室温外延生长方法。提出在SiC衬底上实现NiO薄膜高质量室温外延生长的技术路径,提供一种可在室温条件下实现NiO在SiC衬底上高结晶质量、界面良好的异质外延生长方法,以填补该领域的技术...
一种电动两轮车的控制系统及通信架构
本申请公开了一种电动两轮车的控制系统及通信架构,涉及电动车辆控制的技术领域,所述控制系统包括:采样模块,采样模块用于采集电动两轮车的采样数据;车端控制模块,所述车端控制模块与所述采样模块通信连接,用于接收来自所述采样模块的所述采样数据,并根...
一种车架平台及车辆
本申请实施例提供了一种车架平台及车辆,属于车辆零部件技术领域,车架平台包括前段纵梁、动力部件及后段纵梁,动力部件,包括装配壳体及设于所述装配壳体内的动力件,所述装配壳体的一侧与所述前段纵梁连接;后段纵梁,与所述装配壳体背离所述前段纵梁的一侧...
一种外延结构的制备方法、外延结构和半导体器件
本申请提供外延结构的制备方法、外延结构和半导体器件,该制备方法,包括:将衬底的一面置于石墨盘上,在所述衬底的另一面上依次制备形成了成核层、缓冲层、高阻层、沟道层、插入层和势垒层;所述石墨盘的表面设有凸面和凹面,所述凹面设于所述石墨盘的中间区...
针对车辆在未标绘道路上的预测性道路倾斜
一种用于未标绘道路上的预测性车辆道路倾斜控制的系统和方法。车辆内的传感器基于接收的传感器数据来确定未标绘道路的即将到来的横向坡度道路特性,其中所述未标绘道路缺乏已知的横向坡度道路特性。车辆基于未标绘道路的即将到来的横向坡度道路特性来创建道路...
一种极化终端结构的GaN肖特基势垒二极管及其制备方法
本发明公开了一种极化终端结构的GaN肖特基势垒二极管及其制备方法,涉及半导体技术领域,包括:依次层叠设置的衬底、缓冲层、n+‑GaN层、n‑‑GaN漂移层、AlGaN层、i‑GaN层和p‑GaN层;i‑GaN层和p‑GaN层组成的层叠结构与...
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