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安全;消防;救生装置及其产品制造技术
  • 本发明提供基于边缘计算的电动两轮车多模态极充状态安全调控方法,涉及安全调控技术领域,方法包括:识别电动两轮车极充的场景类型,采集电化学参数与热特征数据,并收集用户行为数据。通过边缘节点对电化学参数和热特征数据进行预处理得到标准化多模态极充数...
  • 同步解除收口控制的群伞及其解除收口控制方法,属于航空航天气动减速技术领域,包括:伞衣,收口时受收口绳约束,呈收束状态;收口绳切割器,固定安装在伞衣底边,底部留有电缆插头,用于在伞包出舱时刻通过电缆接收外部控制系统指令,收口绳切割器延时后执行...
  • 本发明公开了一种搅拌站碱性水高效中和系统,包括碱性水池、输送管件、供气系统、微纳米气泡发生器、反应器以及中性水池,这种微纳米气泡发生器用于将供气系统输送的二氧化碳制成微纳米气泡,并使微纳米气泡与输送管件输送的碱性水混合形成气液混合液,并在微...
  • 本发明涉及涂料技术领域,具体涉及一种石墨烯改性环氧防腐涂料及其制备方法。该涂料由环氧树脂、石墨烯‑超支化环氧树脂、活性稀释剂、助剂组成,其中石墨烯‑超支化环氧树脂通过三步法制备:首先采用11‑氨基十一烷基三乙氧基硅烷和3‑氨基丙基三乙氧基硅...
  • 本实用新型涉及水泵技术领域,且公开了一种具有过滤功能的水泵,包括泵体,所述泵体的表面安装有出水口,所述泵体的表面安装有进水口,所述出水口与进水口表面均固定有法兰一,所述泵体的左侧及上方设置有水管,所述法兰一与法兰二表面设置有无需人员长久扶持...
  • 本实用新型涉及汽车零部件技术领域,提供绕组线圈的温升检测装置和电动助力转向系统。绕组线圈串联采样电阻,温升检测装置包括:电势差检测电路,连接绕组线圈的两端,电势差检测电路用于检测绕组线圈在工作状态下两端的电势差;电流检测电路,连接采样电阻的...
  • 本发明涉及一种塔式起重机,公开了一种塔式起重机及其格构式可拆卸钢梁基础,包括两组格构柱钢梁组件,两组格构柱钢梁组件之间通过螺栓固定安装有塔式起重机连接梁;格构柱钢梁组件包括两根格构柱和通过螺栓固定安装在两根格构柱之间的两根平行设置的主横梁,...
  • 本发明提供互联网商城运营大数据智慧管理平台,属于互联网商城管理技术领域,通过分析用户浏览和支付行为,通过微授权选项采集最小化数据,获取用户反馈数据并进行情感分析后结合操作行为生成匿名虚拟数据集并销毁原始敏感数据,结合时序分析和情感特征提取,...
  • 本发明涉及一种基于帽层设计的氮化镓器件及其制造方法,属于半导体器件技术领域。器件由下到上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插层和AlGaN势垒层,AlGaN势垒层两侧分别设置有源极金属和漏极金属,AlGaN势垒层中部设置有p‑...
  • 本发明涉及一种半导体器件和射频模组。半导体器件的通孔自衬底、半导体叠层方向延伸至贯穿半导体叠层并暴露出源极,且通孔包括位于衬底内且连接第二表面的第一孔段、以及跨设于衬底和半导体叠层内的第二孔段,第二孔段自第一孔段向半导体叠层延伸并贯穿;金属...
  • 本申请涉及一种充电方法、装置、设备、介质和程序产品,所述方法包括:获取为待充电设备充电的至少两个充电枪对应的充电桩的实际充电能力;所述待充电设备通过控制器局域网和/或串行外设接口与所述至少两个充电枪连接;根据各所述充电桩的实际充电能力将总充...
  • 本实用新型涉及矿石开采用运输设备领域,尤其涉及一种矿石开采用运输装置。本实用新型提供一种能够对翻转架进行完全展开,且能够对车厢进行转动倾斜,确保矿石能够顺畅卸出,减少残留,提高卸料速度的矿石开采用运输装置。一种矿石开采用运输装置,包括有安装...
  • 本实用新型涉及矿车驾驶室技术领域,具体是一种顶棚带有气囊保护的矿车驾驶室,包括驾驶室,所述驾驶室的顶部安装固定有顶棚,所述驾驶室内部固定有座椅,所述顶棚的内顶面固定有能够保护驾驶员头部的气囊,顶棚的顶面固定有钢瓶,所述钢瓶与气囊之间连通固定...
  • 本发明涉及一种锂电池硅负极用粘结剂、硅负极极片及锂电池,至少包括A组份和B组份;其中,所述A组份为丙烯酸类多元共聚物;所述B组份为单宁酸;按重量份计,所述A组份为100份,B组份为1‑50重量份。本发明提高了粘结剂的离子传递性能,极大的降低...
  • 本申请公开了用于可再充电锂电池的负极和包括其的可再充电锂电池。用于可再充电锂电池的负极包括集电器和负极活性物质层,所述负极活性物质层设置在集电器上并且包括碳基负极活性物质和导电剂,其中导电剂包括长度为约1μm至约200μm的纤维状导电剂或尺...
  • 实施方式可以提供一种马达,该马达包括:轴;转子,该转子联接至轴;定子,该定子设置在转子的外侧;以及汇流条,该汇流条具有连接至定子的线圈的端子单元并且该汇流条设置在定子上方,其中,端子单元包括多个端子组,所述多个端子组的电路是分离的,并且所述...
  • 本发明提供一种屏蔽栅沟槽型功率器件及其制备方法。其中,所述制备方法在刻蚀形成第一源极结构时,缩短刻蚀时间,使得第一源极结构的高度高于衬底表面,且刻蚀形成的第二源极结构的高度也偏高。基于此,第一源极结构和第二源极结构均高于现有工艺环节中对应的...
  • 一种碳化硅半导体结构,其III‑V族基层与支持基板可以作为供碳化硅外延层或碳化硅外延掺杂层生长成完美单晶的基础生长界面,支持基板例如为蓝宝石基板、氮化铝基板或碳化硅基板,如果支持基板是氮化铝基板,则可以直接生长碳化硅外延层或碳化硅外延掺杂层...
  • 一种集成电路器件,包括沟道区、围绕沟道区的栅极线、与沟道区接触的源/漏区、以及从源/漏区的背面在竖直方向上穿过源/漏区的一部分的背面过孔接触部。源/漏区包括从源/漏区的底表面突出的底部外延层、与沟道区和底部外延层接触的阻挡外延层、以及填充由...
  • 本发明的一种三维模型网格简化效果的判定方法,通过获取减面后的三维模型的反向三角面的总面积、远端偏离点所构成的三角面的总面积、独立三角面的总面积,获取减面效果评价指标,实现对减面后的三维模型的简化效果的评价。本发明能够量化了偏主观的评价效果,...
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