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最新专利技术
  • 一种流量预测方法、装置、存储介质和电子设备
    一种流量预测方法、装置、存储介质和电子设备_上海勘测设计研究院有限公司_202510325417.3
    本发明涉及流量预测技术领域，具体涉及一种流量预测方法、装置、存储介质和电子设备。方法包括：获取多个数据源的源数据，源数据包括流量数据和流量相关数据；将源数据分别按照时间维度和空间维度进行分层和特征提取，得到多个层级的数据特征；采用交叉注意力...
    2025-12-31
  • 报文处理系统、方法、介质及终端
    报文处理系统、方法、介质及终端_南京金阵微电子技术有限公司_202510325549.6
    本公开提供报文处理系统、方法、介质及终端。所述报文处理系统包括：报文获取模块，用于获取CPU报文；报文缓存模块，用于缓存所述CPU报文；描述符提取模块，用于提取所述CPU报文中的描述符信息至描述符寄存器；中断上报模块，用于上报搬运中断至内置...
    2025-12-31
  • 一种基于物联网定位技术的智能巡检终端设备
    一种基于物联网定位技术的智能巡检终端设备_葛洲坝通信技术有限公司_202510325852.6
    本发明公开了一种基于物联网定位技术的智能巡检终端设备，包括移动平台，移动平台的两侧安装有防撞机构，移动平台的顶部一侧安装有旋转组件，旋转组件的顶部安装有检测箱，检测箱内设有安装架，安装架上安装有巡检模组，检测箱的顶部安装有高清摄像仪，移动平...
    2025-12-31
  • 媒体数据播放的测试方法、装置、电子设备及可读存储介质
    媒体数据播放的测试方法、装置、电子设备及可读存储介质_北京奇艺世纪科技有限公司_202510326313.4
    本发明实施例提供了一种媒体数据播放的测试方法、装置、电子设备及可读存储介质，该方法包括：在接收到网页端发送的检测指示信息的情况下，解析检测指示信息，得到目标检测计划信息；根据目标检测计划信息获取目标检测脚本；服务端存储有相关联的检测计划信息...
    2025-12-31
  • 基于多特征融合的视频流解码延迟预测与动态质量优化方法
    基于多特征融合的视频流解码延迟预测与动态质量优化方法_浙江工业大学_202510326052.6
    一种基于多特征融合的视频流解码延迟预测与动态质量优化方法，包括以下步骤：步骤1、视频流特征提取；步骤2、视频流解码延迟预测：设计混合模型架构预测解码延迟，即采用LightGBM子模型和LSTM残差补偿子模型；步骤3、视频流质量动态决策：MP...
    2025-12-31
  • 一种像元读出电路及其补偿校正方法、装置、设备及介质
    一种像元读出电路及其补偿校正方法、装置、设备及介质_电子科技大学_202510326906.0
    本发明公开了一种像元读出电路及其补偿校正方法、装置、设备及介质，具体涉及图像传感器技术领域，其技术要点为：像元读出电路包括与像素单元依次连接的像元信号读出单元和输出单元，像素单元与像元信号读出单元之间连接有OOC补偿电流源单元；获取像素单元...
    2025-12-31
  • 一种便于调节的SDH光传输设备辅助装置
    一种便于调节的SDH光传输设备辅助装置_江苏晶众电力科技有限公司_202510324773.3
    本发明涉及SDH光传输设备辅助技术领域，具体为一种便于调节的SDH光传输设备辅助装置，包括固定盒、移动装置和固定板，所述固定板上侧壁中心处设置有转动杆，所述移动装置包括限位盒、移动杆、辅助块和第一电机，所述限位盒上侧壁设置有滑动孔，所述辅助...
    2025-12-31
  • 一种优化无线局域网配置参数的方法及系统
    一种优化无线局域网配置参数的方法及系统_淮阴师范学院_202510325322.1
    本发明公开了一种优化无线局域网配置参数的方法及系统,包括：采集无线局域网络监控的所有配置参数运行传输速率最大带宽所形成数据传输量和实时配置参数运行传输速率最小带宽所形成数据传输量，在所述无线局域网络接上负载监测传感器，实时计算所述配置参数运...
    2025-12-31
  • 一种基于元策略梯度的高速环境网络切换优化系统及方法
    一种基于元策略梯度的高速环境网络切换优化系统及方法_浪潮通信信息系统有限公司_202510326085.0
    本发明公开一种基于元策略梯度的高速环境网络切换优化系统及方法，涉及无线通信技术领域，系统包括：数据收集模块，负责实时收集用户设备的网络环境和设备状态信息，进行预处理和过滤操作后输出；模型训练模块，采用基于元策略梯度的双层优化架构，利用历史数...
    2025-12-31
  • 网关与终端的快速匹配方法和匹配系统
    网关与终端的快速匹配方法和匹配系统_北京理工新源信息科技有限公司_202510325799.X
    本公开涉及网关与终端技术领域，公开了网关与终端的快速匹配方法和匹配系统，方法包括：采用多个网关扫描终端的广播信息，将每个网关扫描到的广播信息存入第一数据队列；若目标信号强度大于历史信号强度，将历史信号强度更新为目标信号强度；若目标信号强度的...
    2025-12-31
  • 一种基于大数据的移动互联网运行数据智能管理系统
    一种基于大数据的移动互联网运行数据智能管理系统_无锡沐滢信息技术有限公司_202510325959.0
    本发明公开了一种基于大数据的移动互联网运行数据智能管理系统，涉及数据管理领域，包括运行智能管理中心，其中设置有数据采集模块、运行监测模块、大数据分析模块、运行协调模块以及智能管理模块；数据采集模块用于采集互联网基站数据、网络设备数据、设备状...
    2025-12-31
  • 一种用于智能工业设备的信号控制系统及其控制调节方法
    一种用于智能工业设备的信号控制系统及其控制调节方法_北方自动控制技术研究所_202510326352.4
    本发明涉及一种用于智能工业设备的信号控制系统及其控制调节方法，所述方法包括：根据设备关键运行状态动态分配信号传输优先级；通过频谱感知生成工厂环境动态全局干扰地图；通过设备间去中心化数据融合实现全局干扰地图更新；根据信号的传输优先级和全局干扰...
    2025-12-31
  • 一种SRAM器件的制备方法及栅极结构
    一种SRAM器件的制备方法及栅极结构_上海积塔半导体有限公司_202510330689.2
    本发明提供一种SRAM器件的制备方法及栅极，栅极制备方法包括：提供衬底，并于衬底的一面形成多晶硅掺杂层，于多晶硅掺杂层上形成未掺杂的多晶硅层，对未掺杂的多晶硅层及多晶硅掺杂层进行刻蚀，得到间隔设置的第一栅极及第二栅极，其中，未掺杂的多晶硅层...
    2025-12-31
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510328126.X
    一种制造半导体结构的方法，包含沉积第一介电层于基板上；沉积第二介电层于第一介电层上；形成电容器于第一介电层与第二介电层中；沉积第一绝缘层于第二介电层与电容器上；形成字元线结构于第一绝缘层上；沉积第二绝缘层于字元线结构上；形成通道洞于第二绝缘...
    2025-12-31
  • 3D-RRAM结构及其制备方法
    3D-RRAM结构及其制备方法_上海积塔半导体有限公司_202510330736.3
    本发明提供一种3D‑RRAM结构及其制备方法，采用后段电容工艺技术，可以作为未来40纳米以下工艺节点Flash嵌入式内存的替代品，其通过在贯穿介质层并裸露出底层金属层表面的凹槽内依次形成下电极层、固体电介质层及上电极层形成3D结构的RRAM...
    2025-12-31
  • 电容器、电容器的制备方法与半导体器件
    电容器、电容器的制备方法与半导体器件_成都高真科技有限公司_202510327956.0
    本申请提供了一种电容器、电容器的制备方法与半导体器件。该电容器包括衬底、第一介质层、导电插塞、底电极、顶电极与顶电极填充层，顶电极包覆底电极，底电极与顶电极之间设有第二介质层；顶电极包括硅氮化钛层。本申请提供的电容器通过提高顶电极的抗氧化能...
    2025-12-31
  • 电容及其形成方法
    电容及其形成方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202510329622.7
    本发明实施例提供一种电容及其形成方法，所述电容的形成方法包括：形成第一电极层、介质层以及第二电极层，所述介质层位于所述第一电极层和所述第二电极层之间，所述介质层内包括Si‑H键和/或N‑H键；所述电容的形成方法还包括：对介质层进行处理，以打...
    2025-12-31
  • 一种场效应晶体管及其制备方法
    一种场效应晶体管及其制备方法_华南师范大学_202510327050.9
    本发明涉及一种场效应晶体管及其制备方法，包括绝缘基底，原位生长于绝缘基底上的二维材料Bi2O2Se沟道层，设置于二维材料Bi2O2Se沟道层上的第一电极...
    2025-12-31
  • 一种半导体器件的制备方法
    一种半导体器件的制备方法_上海积塔半导体有限公司_202510330745.2
    本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供一设有浅沟槽隔离结构的衬底，衬底包括多个被浅沟槽隔离结构隔离的有源区，有源区上设有牺牲氧化层，形成阻挡结构于浅沟槽隔离结构上以阻挡掺杂离子进入浅沟槽隔离结构，阻挡结构包括氮化硅层及位于氮...
    2025-12-31
  • 一种CMOS器件及其制备方法
    一种CMOS器件及其制备方法_上海积塔半导体有限公司_202510330823.9
    本发明提供的一种CMOS器件及其制备方法，通过在N阱区和P阱区的不同位置处分别形成第一沟槽和第二沟槽，并结合多次外延工艺在第一沟槽和第二沟槽内依次形成多个硅锗外延层，其中，在第一沟槽的第二外延层中形成有PMOS晶体管的源极和漏极，在第二沟槽...
    2025-12-31
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