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最新专利技术
  • 电网故障场景下多无人机通信感知协同方法
    电网故障场景下多无人机通信感知协同方法_广西大学_202510306443.1
    本发明提供一种电网故障场景下多无人机通信感知协同方法，该方法结合无人机动态拓扑重构与多阶段优化策略，针对电网故障后地面基站受损、灾区大面积停电的应急场景，实现高效的信息获取；通过引入潮流熵分析电网节点脆弱性，优化通信无人机部署，并基于多目标...
    2026-01-23
  • 网络侧移动性管理方法、装置、网关、网管服务器及基站
    网络侧移动性管理方法、装置、网关、网管服务器及基站_北京佰才邦技术股份有限公司_202510305904.3
    本发明提供一种网络侧移动性管理方法、装置、网关、网管服务器及基站，涉及通信技术领域。方法应用于网关，包括：接收核心网设备发送的第一切换请求；第一切换请求携带目标小基站分组对应的第一小区编码和源宏基站的标识信息；根据宏基站与小基站之间的邻区关...
    2026-01-23
  • 一种多源单汇算力路由方法、装置、电子设备及存储介质
    一种多源单汇算力路由方法、装置、电子设备及存储介质_西安电子科技大学_202510306192.7
    本发明公开了一种多源单汇算力路由方法、装置、电子设备及存储介质，主要解决现有技术无法针对低轨卫星网络下多源单汇场景计算算力路由的问题。其实现方案包括：根据低轨卫星网络的拓扑、链路信息、算力信息和当前业务需求筛选出可选目的算力节点，构建算力网...
    2026-01-23
  • 一种平面天线及微波炉
    一种平面天线及微波炉_禾邦电子(苏州)有限公司_202510301599.0
    本发明提供一种平面天线及微波炉，包括：辐射主体和端子，所述辐射主体用于产生定向电磁波，所述辐射主体上设有多个长边和多个切角边，多个所述长边共同控制天线频率和S参数，每一个所述切角边控制天线S参数；所述端子与所述辐射主体连接，由端子馈电到辐射...
    2026-01-23
  • 面向离子工艺系统的射频等离子体综合测试装置及方法
    面向离子工艺系统的射频等离子体综合测试装置及方法_济南东汉半导体设备有限公司_202510305591.1
    本发明公开了一种面向离子工艺系统的射频等离子体综合测试装置及方法，涉及等离子体测试技术领域，该装置包括主机和耦合探头；耦合探头放置在离子工艺系统的射频传输线路上，用于根据电磁场耦合原理，通过电容或电感耦合方式对射频能量进行耦合取样，经耦合获...
    2026-01-23
  • 差分传输线的PCB布线结构和串行数据传输系统
    差分传输线的PCB布线结构和串行数据传输系统_中国电子科技集团公司第二十九研究所_202510302009.6
    本发明提供了一种差分传输线的PCB布线结构和串行数据传输系统，布线结构包括：第一布线段，设置于BGA阵列封装器件管脚扇出过孔位置，该段内，两信号线至少部分采用分离布线，以保持两者至少具有第一间距；所述第一间距大于过孔直径；第二布线段，与第一...
    2026-01-23
  • 一种静音综合机柜
    一种静音综合机柜_浙江融汇通信设备有限公司_202510304518.2
    本发明的一种静音综合机柜，在柜腔一侧壁正对的二号皮带以及一号皮带上共同安装有若干个沙盒，沙盒内开设储沙槽并装有沙子用于降温，由于沙子有比较好的吸热效果，因此，可以作为本申请的一种降温手段，来减少其他降温手段，例如风扇，水冷管道的使用，从而降...
    2026-01-23
  • 一种双梯度协同调控电磁波吸收材料及其制备方法
    一种双梯度协同调控电磁波吸收材料及其制备方法_中国民航大学_202510301520.4
    本发明提供了一种双梯度协同调控电磁波吸收材料的制备方法，包括如下步骤：将磁性金属盐溶解于溶剂中，得到磁性金属盐溶液，将碳纳米材料分散于溶剂中，得到碳纳米分散液；将所述的磁性金属盐溶液和所述的碳纳米分散液进行混合，搅拌均匀后得到混合溶液，将所...
    2026-01-23
  • 沟槽型MOSFET的制备方法
    沟槽型MOSFET的制备方法_上海积塔半导体有限公司_202510307539.X
    本申请涉及一种沟槽型MOSFET的制备方法，包括：先采用热氧化工艺在碳化硅衬底的顶面形成氧化硅层，之后，在氧化硅层中形成沟槽；在沟槽中以及沟槽外侧的部分氧化硅层的顶面形成初始栅电极；以初始栅电极为掩膜，刻蚀氧化硅层直至露出碳化硅衬底的顶面，...
    2026-01-23
  • 沟槽MOSFET器件及其制造方法
    沟槽MOSFET器件及其制造方法_杭州芯迈半导体技术有限公司_202510312225.9
    本发明公开了一种沟槽MOSFET器件及其制造方法，包括在沟槽的沟槽壁及外延层的上表面形成第一介质层；在第一介质层形成的空腔壁表面形成第二介质层；在沟槽的下部形成第一子屏蔽栅；对第二介质层进行蚀刻，以暴露形成于沟槽侧壁上的部分第一介质层；在第...
    2026-01-23
  • 一种掺氧多晶硅制备方法及其在TOPCon电池制备中的应用
    一种掺氧多晶硅制备方法及其在TOPCon电池制备中的应用_常州大学_202510304426.4
    本发明属于太阳能光伏电池技术领域，尤其涉及一种掺氧多晶硅制备方法及其在TOPCon电池制备中的应用，一种掺氧多晶硅制备方法，包括如下步骤：S1完成隧穿氧化层制备；S2采用LPCVD设备在隧穿氧化层上通过交替进行SiH4...
    2026-01-23
  • 一种微型发光二极管芯片
    一种微型发光二极管芯片_上海显耀显示科技有限公司_202510303980.0
    本发明涉及发光二极管技术领域，提出一种微型发光二极管芯片，包括：多个微型发光台面阵列；其中，一个微型发光台面包括：由下至上依次包括第一外延层、发光层以及第二外延层；其中，第二外延层的表面具有凹坑。本发明通过对第二电极的材料、结构，以及半导体...
    2026-01-23
  • 一种微型发光二极管芯片
    一种微型发光二极管芯片_上海显耀显示科技有限公司_202510303984.9
    本发明涉及发光二极管技术领域，提出一种微型发光二极管芯片，包括：半导体发光台面阵列，包含多个半导体发光台面；顶部电极网，包括由多个沟槽构成的沟槽阵列，位于所述半导体发光台面阵列上，且每个沟槽至少对应一个所述半导体发光台面。本发明通过对顶部电...
    2026-01-23
  • 一种多级熔点焊接层转移LED芯片结构及其制备方法
    一种多级熔点焊接层转移LED芯片结构及其制备方法_华南理工大学_202510303615.X
    本发明公开了一种多级熔点焊接层转移LED芯片结构及其制备方法；包括基板上有序设置有若干数量的焊盘，焊盘的表面分别附着有低熔点焊料层和高熔点焊料层；低熔点焊料层用于完成LED芯片的转移，高熔点焊料层用于完成LED芯片与焊盘的焊接固定。通过基板...
    2026-01-23
  • 一种微型发光二极管芯片及微显示器件
    一种微型发光二极管芯片及微显示器件_上海显耀显示科技有限公司_202510303977.9
    本发明公开一种微型发光二极管芯片，其包括发光台面、钝化层以及反射层，其中钝化层位于发光台面与反射层之间且至少包覆发光台面的侧表面，反射层设置于钝化层的表面，且其朝向钝化层的表面的至少一部分为第一曲面。采用具第一曲面的反射层，能够提升小角度出...
    2026-01-23
  • 基于界面光固化的钝化型聚电解质复合介电薄膜与有机晶体管及其制备方法和用途
    基于界面光固化的钝化型聚电解质复合介电薄膜与有机晶体管及其制备方法和用途_重庆大学_202510303453.X
    本发明涉及一种基于界面光固化的钝化型聚电解质复合介电薄膜与有机晶体管及其制备方法和用途，属于介电材料和光电子器件技术领域。本发明的钝化型聚电解质复合介电薄膜由光固化聚合物钝化介电层和聚电解质介电层相互贴合形成，具有高电容、低漏电特性，可用于...
    2026-01-23
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_武汉华星光电半导体显示技术有限公司_202510309103.4
    本申请提供一种显示面板和显示装置，相邻的两个第一子像素与相邻的两个第二子像素的重心连线组成第一四边形，第三子像素位于第一四边形内，第三子像素的重心位于第一四边形的两条对角线的交点之外，本申请通过对第一子像素、第二子像素和第三子像素中的至少一...
    2026-01-23
  • 显示基板和显示装置
    显示基板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202510307533.2
    提供了一种显示基板和显示装置。显示基板包括：衬底基板；像素限定层，位于衬底基板的一侧，像素限定层包括多个像素限定部，多个像素限定部限定出多个像素开口；发光层，位于像素限定层远离衬底基板的一侧，发光层包括多个发光元件，多个发光元件分别位于多个...
    2026-01-23
  • 一种促进木姜叶柯叶片生长、二氢查尔酮合成、重金属含量下降的方法
    一种促进木姜叶柯叶片生长、二氢查尔酮合成、重金属含量下降的方法_广东省林业科学研究院_202510300946.8
    本发明公开了一种促进木姜叶柯叶片生长、二氢查尔酮合成、重金属含量下降的方法。本发明以富硒酵母作为木姜叶柯的叶面处理剂，可同步促进叶片生长、二氢查尔酮合成及减少叶片中重金属砷和铅含量。其中，幼叶和成熟叶中三叶苷含量分别可提升190％和83％；...
    2026-01-23
  • 一种番薯渣食用菌种植方法
    一种番薯渣食用菌种植方法_青田九济农业开发有限公司_202510297414.3
    本发明公开了一种番薯渣食用菌种植方法，包括以下步骤：S1,番薯渣化学分析，S2,番薯渣物理分析，S3，番薯渣无损干燥，S4,番薯渣超微粉碎，S5,基材选料，S6，基材发酵，S7，基材灭菌，S8，基材调配，S9,制作培养基，S10，种植食用菌...
    2026-01-23
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