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最新专利技术
  • 一种存储装置
    一种存储装置_深圳市江波龙电子股份有限公司_202410385146.6
    本申请公开了一种存储装置， 存储装置包括存储电路板、至少一个扩容电路板和辅助电路板；存储电路板上设置有至少一个第一扩容接口；扩容电路板上设置有第二扩容接口；其中， 存储电路板的第一扩容接口通过连接器连接扩容电路板的第二扩容接口， 以将扩容电...
    2026-03-18
  • 一种OTP电路和存储芯片
    一种OTP电路和存储芯片_浙江驰拓科技有限公司_202410371610.6
    本申请涉及电力电子领域， 公开了一种OTP电路， 该OTP电路包括：控制电路、开关管和二极管；开关管的第一端与磁隧道结的第一端、二极管的阳极均连接， 磁隧道结的第二端与位线连接；开关管的第二端与源极线连接， 开关管的控制端与字线连接；控制电...
    2026-03-18
  • 用于铁电存储器单元的非破坏性地读出的存储器器件和方法
    用于铁电存储器单元的非破坏性地读出的存储器器件和方法_IMEC非营利协会_202510365672.0
    本公开涉及一种存储器器件， 其包括铁电存储器单元和连接到该存储器单元的读出电路。本公开还涉及一种用于非破坏性地读出该存储器器件的铁电存储器单元的方法。该存储器器件包括具有铁电电容器的存储器单元。字线和位线分别连接到该存储器单元。该存储器器件...
    2026-03-18
  • 一种用于铁电存储器单元的对称非破坏性读出的方法和存储器器件
    一种用于铁电存储器单元的对称非破坏性读出的方法和存储器器件_IMEC非营利协会_202510367366.0
    本公开提供了一种铁电存储器器件， 其包括具有铁电电容器的存储器单元和连接到该存储器单元的电荷传感器。本公开提供了一种用于非破坏性地读出该存储器单元的方法。该方法包括经由电压线向铁电电容器的电容器板施加电压， 其中该电压的值始终低于改变铁电电...
    2026-03-18
  • 基于铁电存储器的自校准温度补偿网络系统及方法
    基于铁电存储器的自校准温度补偿网络系统及方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202510684889.8
    本发明涉及半导体技术领域， 特别涉及一种基于铁电存储器的自校准温度补偿网络系统及方法， 其中， 系统包括：温度检测模块， 温度检测模块与目标铁电存储器连接， 以检测目标铁电存储器的当前工作温度， 并将当前工作温度转换为当前工作电压；温度补偿...
    2026-03-18
  • 半导体存储装置及其控制方法
    半导体存储装置及其控制方法_华邦电子股份有限公司_202410687785.8
    本发明提供半导体存储装置及其控制方法， 当外部电阻连接多个存储芯片时， 能缩短阻拉校准处理的时间。半导体存储装置， 包括多个存储器芯片， 通过校准垫而连接共同的外部电阻；以及， 控制部， 用于控制使得在对多个存储器芯片中的第1存储器芯片进行...
    2026-03-18
  • 基于SRAM的非易失性存储单元电路、控制方法及存储器
    基于SRAM的非易失性存储单元电路、控制方法及存储器_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410384727.8
    本申请提供一种基于SRAM的非易失性存储单元电路、控制方法及存储器， 存储单元电路主要包括：静态随机存储器SRAM单元电路， 分别连接漏极电压、源极电压、字线、第一位线和第二位线， SRAM单元电路包括存储节点QB；第一控制晶体管分别与第一...
    2026-03-18
  • 一种支持双行读取与异或运算的SRAM阵列电路及存储器
    一种支持双行读取与异或运算的SRAM阵列电路及存储器_安徽大学_202510826949.5
    本发明公开了一种支持双行读取与异或运算的SRAM阵列电路及存储器。阵列电路包括多个SRAM单元、多个耦合电路以及多个读取电路。每个单元包括交叉耦合的两个反相器及分别与两个反相器连接的两个访问晶体管， 连接节点分别为Q、QB。相邻两个SRAM...
    2026-03-18
  • 环路展开型可复用SAR-ADC、CIM电路与芯片
    环路展开型可复用SAR-ADC、CIM电路与芯片_安徽大学_202510852093.9
    本发明属于存储器领域， 具体涉及一种环路展开型可复用SAR‑ADC、CIM电路与芯片。该电路由CDAC阵列、切换电路和多级比较器构成。其中， CDAC阵列用于生成指定大小的参考电压Vref。切换电路用于在不同模式下对多级比较器内部的器件间耦...
    2026-03-18
  • 一种多功能的CIM电路、布尔逻辑运算电路及其芯片
    一种多功能的CIM电路、布尔逻辑运算电路及其芯片_安徽大学_202510832816.9
    本发明属于存储器领域， 具体涉及一种多功能的CIM电路、布尔逻辑运算电路及其芯片。CIM电路的存算阵列由多个D8T单元阵列排布而成；D8T单元由左右镜像布置的两个8T‑SRAM单元构成。8T‑SRAM单元包括由2个PMOS管和2个NMOS管...
    2026-03-18
  • 基于RRAM忆阻器件的简化传感器内计算架构电路
    基于RRAM忆阻器件的简化传感器内计算架构电路_上海交通大学_202510929025.8
    一种基于RRAM忆阻器件的简化传感器内计算架构电路， 包括：一个存算单元和一个微型控制器， 其中：存算单元缓存所有传感器阵列采集并经放大器放大后的模拟源数据， 并根据来自微型控制器的请求进行存内原位计算后， 将计算结果转换为数字信号并输出至...
    2026-03-18
  • 分栅式闪存及操作方法
    分栅式闪存及操作方法_兆易创新科技集团股份有限公司_202410363139.6
    本申请公开了一种分栅式闪存及操作方法， 该分栅式闪存包括字线、位线以及存储单元， 存储单元包括衬底、浮栅以及位于衬底与浮栅之间的氧化物材料层， 该操作方法通过在对待读取的存储单元执行读取操作或验证操作之前， 对待读取的存储单元执行去缺陷操作...
    2026-03-18
  • 存储器装置和执行编程操作的方法
    存储器装置和执行编程操作的方法_爱思开海力士有限公司_202510354514.5
    本公开涉及一种存储器装置和执行编程操作的方法， 该存储器装置可以包括：存储器单元阵列， 包括连接到多条字线的存储器单元；外围电路， 被配置为在将编程电压施加到从多个字线中选择的选择字线直到选择字线的电压电平达到目标电平的电压上升时段期间， ...
    2026-03-18
  • 存储器装置及其操作方法、存储器系统
    存储器装置及其操作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410381652.8
    本公开实施例公开了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统， 该存储器装置包括外围电路；外围电路包括页缓存器组、错误位信号生成电路以及多个第一晶体管；页缓存器组包括N个页缓存器， 错误位信号生成电路与页缓存器的感测节点连接；N为大于1的整数；...
    2026-03-18
  • 存储器装置中的多遍编程
    存储器装置中的多遍编程_长江存储科技有限责任公司_202410372170.6
    公开了示例存储器装置、系统和用于存储器装置中的多遍编程的方法。一种示例方法包括基于第一数据生成层级指示符数据， 其中， 将基于第一编程操作和第二编程操作将第一数据存储在存储器装置中。执行编程操作以将层级指示符数据存储在存储器装置的存储器单元...
    2026-03-18
  • 一种动态擦除方法和存储系统
    一种动态擦除方法和存储系统_平头哥(杭州)半导体有限公司_202510780251.4
    本发明实施例公开了一种动态擦除方法和存储系统。本发明实施例的方法为确定目标存储系统的性能需求数据和剩余可写入空间， 根据性能需求数据和剩余可写入空间确定预估擦除时间， 根据预估擦除时间确定目标存储系统对应的擦除策略， 擦除策略包括目标存储系...
    2026-03-18
  • 包括虚设存储器块的存储器件
    包括虚设存储器块的存储器件_三星电子株式会社_202510160074.X
    一种存储器件， 包括存储器单元结构， 该存储器单元结构包括多个存储器块， 其中， 该多个存储器块包括至少一个虚设存储器块和多个主存储器块， 该多个主存储器块中的每一个包括第一类型的串组， 并且， 该至少一个虚设存储器块包括第一类型的串组和第...
    2026-03-18
  • 并发维护及写入操作
    并发维护及写入操作_美光科技公司_202510379033.X
    本申请案涉及并发维护及写入操作。在一些例子中， 存储器系统可正执行维护操作(例如折叠操作)且可(例如从主机系统)接收写入命令。所述存储器系统可暂停所述维护操作且可使用第一类型的写入操作(例如单遍次写入操作)来写入与所述写入命令相关联的数据。...
    2026-03-18
  • 一种硬盘故障检测方法、系统及相关装置
    一种硬盘故障检测方法、系统及相关装置_华为技术有限公司_202410372570.7
    本申请提供一种硬盘故障检测方法、系统及相关装置， 其中， 存储设备包含至少一个多端口设备， 每个多端口设备连接至少一个硬盘， 检测设备对存储设备中的每个多端口设备进行以下处理：对连接同一个多端口设备的每个硬盘进行逐个访问， 在检测到存在硬盘...
    2026-03-18
  • 安全内置自测试(BIST)
    安全内置自测试(BIST)_英特尔公司_202510374168.7
    描述了用于安全内置自测试的技术。一些示例包括：安全测试模式生成器， 用于使用伪随机函数(PRF)电路系统来生成安全测试模式；扫描导出散列引擎， 用于对要被测试的电路的扫描导出进行散列；以及比较电路， 用于将经散列的扫描导出与已知值进行比较以...
    2026-03-18
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