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最新专利技术
  • 一种晶圆加工设备及上料方法
    一种晶圆加工设备及上料方法_江苏元夫半导体科技有限公司_202511164167.6
    本申请公开了一种晶圆加工设备及上料方法， 该设备包括承载件、上料组件及检测件。承载件的承载面用于承载晶圆， 承载面上具有至少两个吸附区， 至少两个吸附区包括设于承载件的水平中心处的中心吸附区和设于承载件的边缘的外围吸附区；上料组件包括上料部...
    2025-12-01
  • 多区控温静电吸盘和等离子体处理装置
    多区控温静电吸盘和等离子体处理装置_上海谙邦半导体设备有限公司_202511253044.X
    本发明提供一种多区控温静电吸盘和等离子体处理装置， 该多区控温静电吸盘包括网格温控模组和径向分区温控模组中的至少一种；网格温控模组包括呈阵列设置的多个第一独立温控单元；径向分区温控模组包括多个环形的第二独立温控单元；第一独立温控单元和第二独...
    2025-12-01
  • 静电吸盘和等离子体处理装置
    静电吸盘和等离子体处理装置_上海谙邦半导体设备有限公司_202511253079.3
    本发明涉及半导体设备技术领域， 提供一种静电吸盘和等离子体处理装置， 该静电吸盘应用于等离子体处理装置， 静电吸盘包括绝缘基板、加热部和微纳导热部， 绝缘基板具有用于承载晶圆的承载台， 绝缘基板的内部具有容纳腔体， 容纳腔体内存放有隔热流体...
    2025-12-01
  • 一种晶圆吸附设备、方法
    一种晶圆吸附设备、方法_苏州茂特斯科技股份有限公司_202511263491.3
    本发明涉及晶圆制造领域， 尤其涉及一种晶圆吸附设备。用于将转塔下方的晶圆吸附并旋转至下一工位， 其特征在于， 包括转塔， 转塔具有水平设置的旋转轴线， 围绕旋转轴线安装有多个吸嘴；对应任意吸嘴设置有吸附机构， 吸附机构包括开设于任意吸嘴端部...
    2025-12-01
  • 一种晶圆传送装置
    一种晶圆传送装置_北京京仪自动化装备技术股份有限公司_202510854310.8
    本发明提供一种晶圆传送装置， 所述晶圆传送装置包括传送爪、偏移传感器、状态检测传感器和控制器， 传送爪上设有用于放置晶圆的第一区域， 状态检测传感器设在传送爪上且位于第一区域内， 多个偏移传感器均设在传送爪上且位于第一区域的外周侧， 且偏移...
    2025-12-01
  • 一种基于晶圆检测设备的支撑点替换装置
    一种基于晶圆检测设备的支撑点替换装置_法博思(宁波)半导体设备有限公司_202510878906.1
    本发明涉及一种基于晶圆检测设备的支撑点替换装置， 包括固定台， 固定台的顶部形成有圆形定位凹腔， 还包括至少个可拆卸的固定在圆形定位凹腔底面边缘并沿圆周方向等角度均匀分布的支撑座；支撑座上朝向圆形定位凹腔圆心的一侧向外形成有三角形延伸段， ...
    2025-12-01
  • 一种可翻转晶圆夹持装置及控制方法
    一种可翻转晶圆夹持装置及控制方法_拓多科技(苏州)有限公司_202510884827.1
    本申请涉及一种可翻转晶圆夹持装置及控制方法， 该装置包括承载板、定位组件、固定组件和翻转组件。定位组件包括设置在承载板上的定位夹爪以及设置在承载板两侧的定位销组， 定位夹爪可沿承载板轴线往复移动且用于限位夹持住晶圆框架， 定位夹爪与定位销组...
    2025-12-01
  • 一种用于真空机械手抓取晶圆的手指结构及其使用方法
    一种用于真空机械手抓取晶圆的手指结构及其使用方法_苏州赛森电子科技有限公司_202511062501.7
    本申请公开了一种用于真空机械手抓取晶圆的手指结构， 涉及半导体制造技术领域， 包括：第一主体；第一分体和第二分体陶瓷环， 设置于第一分体和第二分体的转轴部位之间， 用于提供低摩擦旋转支撑；限位结构；设置于第一主体与第一分体、第二分体之间， ...
    2025-12-01
  • 一种运动机构
    一种运动机构_上海隐冠半导体技术有限公司_202511157276.5
    本申请提供了一种运动机构， 涉及半导体制造的技术领域。本申请提供的运动机构包括：底板、设于底板的上方的第一运动板、与第一运动板通过第一方向簧片模组相连接的第一驱动机构、设于第一运动板上方的第二运动板以及与第二运动板相连接的第二驱动机构；两个...
    2025-12-01
  • 支撑组件及其安装方法、拆卸方法和半导体处理设备
    支撑组件及其安装方法、拆卸方法和半导体处理设备_研微(江苏)半导体科技有限公司_202511218248.X
    本发明提供了一种支撑组件及其安装方法、拆卸方法和半导体处理设备， 其中支撑组件包括支撑轴和支撑盖， 支撑轴被配置为由驱动部件驱动并用于支撑并带动托盘旋转；支撑轴包括第一端部、与第一端部相对的第二端部以及延伸在第一端部和第二端部之间的主体部，...
    2025-12-01
  • 芯片生产用顶升机构及其顶升方法
    芯片生产用顶升机构及其顶升方法_常州科瑞尔科技有限公司_202511251787.3
    本发明属于电气元件生产技术领域， 具体涉及专门适合于在半导体处理过程中处理晶片的装置， 尤其涉及一种芯片生产用顶升机构及其顶升方法。其中， 芯片生产用顶升机构， 包括：框架、外套管、内芯杆， 且所述内芯杆的顶部设置有伞骨状顶针以及驱动件。通...
    2025-12-01
  • 一种用于晶圆转移的抓取装置
    一种用于晶圆转移的抓取装置_北京和崎精密科技有限公司_202511255193.X
    本发明涉及半导体加工技术领域， 本发明提供了一种用于晶圆转移的抓取装置， 其包括相对设置的第一抓取组件和第二抓取组件， 以及用于连接第一抓取组件和第二抓取组件的连接组件：第一抓取组件和第二抓取组件中至少一者能够沿连接组件移动， 以在抓取状态...
    2025-12-01
  • 应力隔离结构及制备方法、半导体器件及制备方法和应力隔离晶圆
    应力隔离结构及制备方法、半导体器件及制备方法和应力隔离晶圆_芯联集成电路制造股份有限公司_202511255701.4
    本申请涉及一种应力隔离结构及制备方法、半导体器件及制备方法和应力隔离晶圆， 包括：提供第一晶圆， 第一晶圆包括第一表面和第二表面， 第一表面为与第二晶圆的键合面；从第一表面侧在第一晶圆内形成隔离槽和通槽， 隔离槽和通槽均从第一表面延伸至第一...
    2025-12-01
  • 浅沟槽隔离结构及其工艺方法
    浅沟槽隔离结构及其工艺方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510812814.3
    本发明涉及半导体技术领域， 具体而言， 涉及一种浅沟槽隔离结构及其工艺方法。浅沟槽隔离结构包括沟槽和填充结构；沟槽的底部具有竖直侧壁， 沟槽的顶部为梯形开口， 梯形开口由外而内逐渐扩大， 且梯形开口的倾斜侧壁与竖直侧壁相交；填充结构填充于沟...
    2025-12-01
  • 一种铜互联结构的形成方法
    一种铜互联结构的形成方法_重庆芯联微电子有限公司_202510732762.9
    一种铜互联结构的形成方法， 包括：步骤S1 : 提供半导体衬底， 半导体衬底形成有通孔以及沟槽；步骤S2 : 沉积第一铜金属层， 第一铜金属层覆盖半导体衬底表面并沉积在沟槽以及通孔内；步骤S3 : 在第一铜金属层上沉积铜掺镧合金层， 沟槽内...
    2025-12-01
  • 导电接触孔的制备方法
    导电接触孔的制备方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202510767875.2
    本申请实施例涉及一种导电接触孔的制备方法， 包括：提供半导体结构， 半导体结构包括衬底和待接触结构， 衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面， 待接触结构至少部分凸出于第一表面；在半导体结构上形成介质层， 介质层掩埋待接触结构；去除部分厚度的...
    2025-12-01
  • 一种晶圆级多芯片的金属布线方法和晶圆
    一种晶圆级多芯片的金属布线方法和晶圆_重庆御芯微信息技术有限公司_202511101772.9
    本发明涉及集成电路制造技术领域， 特别是涉及一种晶圆级多芯片的金属布线方法和晶圆， 本发明将金属走线进行分层布设， 并设置预设间距进行隔离；在划片槽的交叉处通过通孔实现不同金属层的金属走线之间的跳线连接， 多层金属走线实现高密度信号传输， ...
    2025-12-01
  • 一种铜互连结构的制造方法及半导体结构
    一种铜互连结构的制造方法及半导体结构_杭州富芯半导体有限公司_202511236085.8
    本申请公开了一种铜互连结构的制造方法及半导体结构， 所述铜互连结构的制造方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成致密度由底部到顶部的逐步增加的低介电常数介质层；在所述介质层中形成铜互连沟槽；在所述沟槽侧壁及底部形成铜阻挡层；在所述铜...
    2025-12-01
  • 划片裂纹扩展阻断方法和裂纹阻挡结构
    划片裂纹扩展阻断方法和裂纹阻挡结构_中国科学院微电子研究所_202510254501.0
    本申请公开了一种划片裂纹扩展阻断方法和裂纹阻挡结构， 属于半导体制造技术领域， 主要目的是阻断划片裂纹扩展。本申请的主要技术方案为：该划片裂纹扩展阻断方法包括：获取待切割件的第一参数信息以及待切割件上作为裂纹阻挡结构的阵列孔的多组第二参数信...
    2025-12-01
  • 用于中小电流负载点电源的HTCC一体化封装结构及加工方法
    用于中小电流负载点电源的HTCC一体化封装结构及加工方法_中国电子科技集团公司第四十三研究所_202510852874.8
    本发明涉及一种用于中小电流负载点电源的HTCC一体化封装结构及加工方法。该封装结构包括：HTCC基板和设置在HTCC基板上方的盖板；盖板与HTCC基板围成密封腔体；密封腔体中安装有芯片铜框；HTCC基板的顶部设置有下沉凹槽；下沉凹槽用于安装...
    2025-12-01
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