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最新专利技术
  • 一种C波段紧凑型球形微波脉冲压缩装置
    一种C波段紧凑型球形微波脉冲压缩装置_中国科学技术大学_202511084205.7
    本发明属于粒子加速器微波领域， 具体而言， 涉及一种C波段紧凑型球形微波脉冲压缩装置， 包括外壳、双极化模式耦合器、圆波导， 外壳内部设置有球形储能腔， 圆波导与球形储能腔之间通过设置耦合孔连通；双极化模式耦合器包括矩形波导、蝴蝶形匹配节、...
    2025-12-06
  • 一种液态金属轴承X射线球管的阳极转子驱动模块及方法
    一种液态金属轴承X射线球管的阳极转子驱动模块及方法_苏州毫格睿科技有限责任公司_202510978201.7
    本发明涉及X射线球管控制技术领域， 具体涉及一种液态金属轴承X射线球管的阳极转子驱动模块及方法。包括如下过程：在加速阶段， 在预设时间段内， 电源输入模块向阳极定子线圈持续性供电， 以让阳极转子达到目标转速进入运行阶段；在运行阶段， 电源输...
    2025-12-06
  • 一种电子束束斑测试装置、方法、设备及存储介质
    一种电子束束斑测试装置、方法、设备及存储介质_中国科学院电工研究所_202510947571.4
    本发明涉及电子束测量技术领域， 具体涉及一种电子束束斑测试装置、方法、设备及存储介质。装置包括：电流检测组件， 用于接收待测电子束转换为电流信号值；可移动刀口组件， 用于在移动过程中对待测电子束进行遮挡；计算装置， 用于获取可移动刀口组件移...
    2025-12-06
  • 离子植入设备、离子源及操作离子源的方法
    离子植入设备、离子源及操作离子源的方法_应用材料股份有限公司_202511026221.0
    本文提供用于增大离子源的效率的方法， 具体而言， 提供一种离子植入设备、离子源及操作离子源的方法。在一些实施例中， 例如离子源的设备可包含腔室壳体， 腔室壳体具有：第一端壁和第二端壁；以及提取板， 耦合到第一端壁和第二端壁中的至少一个。提取...
    2025-12-06
  • 用于等离子体处理室部件的密封剂涂层
    用于等离子体处理室部件的密封剂涂层_朗姆研究公司_202510657242.6
    提供了一种用于等离子体处理室的部件。提供了一种含金属部件主体。密封剂涂层位于含金属部件主体的表面上， 其中密封剂涂层包括硅酮密封剂、有机密封剂或环氧密封剂中的至少一种， 其中密封剂涂层未被覆盖且直接暴露于等离子体处理室中的等离子体。
    2025-12-06
  • 晶圆处理装置、晶圆处理方法及晶圆处理系统
    晶圆处理装置、晶圆处理方法及晶圆处理系统_深圳市鹏新旭技术有限公司_202510900842.0
    本发明涉及一种晶圆处理装置、晶圆处理方法及晶圆处理系统， 属于半导体技术领域。本发明设置第一加热模块升高基座的温度， 并将晶圆放置在基座上， 基座通过热传导的方式对晶圆加热， 使晶圆与喷淋头在反应腔内保持最大间距， 显著增加了气体副产物的排...
    2025-12-06
  • 半导体加工设备、方法及存储介质
    半导体加工设备、方法及存储介质_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511016435.X
    本发明提供了半导体加工设备、方法及存储介质。所述半导体加工设备包括第一反应腔、气体捕集器、远程等离子体源及控制器。第一反应腔经由第一反应阀连接第一反应源， 并经由第二反应阀连接第二反应源。气体捕集器经由第三反应阀连接第一反应腔。远程等离子体...
    2025-12-06
  • 工件的加工
    工件的加工_北京屹唐半导体科技股份有限公司_202511027778.6
    提供了加工工件的方法。该工件可以包括钌层和铜层。在一个示例性实施方案中， 用于加工工件的方法可以包括在工件支撑件上支撑工件。该方法可以包括在工件上向钌层的至少一部分实施臭氧蚀刻工艺。该方法还可以包括对工件实施氢自由基处理工艺以去除铜层上的至...
    2025-12-06
  • 一种四极溅射离子泵
    一种四极溅射离子泵_聚微银池(苏州)设备科技有限公司_202510937527.5
    本发明公开了一种四极溅射离子泵， 包括磁场单元、抽气单元；其中， 磁场单元包括磁屏蔽腔体， 磁屏蔽腔体内设置磁铁， 在磁屏蔽腔体内形成均匀的磁场；抽气单元包括真空腔体， 真空腔体设于磁屏蔽腔体内；在真空腔体内设置多组并列布置至少3层阳极筒；...
    2025-12-06
  • 离子导引装置以及质谱仪
    离子导引装置以及质谱仪_株式会社岛津制作所_202410510795.4
    本发明技术方案提供了一种离子导引装置， 包括第一电极组和第二电极组。在垂直于所述离子光轴的横截面上， 第一电极组的n个第一片状电极和第二电极组n个第二片状电极彼此交替地环绕设置。第一片状电极和第二片状电极被施加以不同的直流电位， 并且， 在...
    2025-12-06
  • 飞行时间二次离子质谱聚焦偏移量测量和校准方法及应用
    飞行时间二次离子质谱聚焦偏移量测量和校准方法及应用_中国科学院物理研究所_202510960222.6
    本发明涉及一种飞行时间二次离子质谱聚焦偏移量测量和校准方法及应用。基于微纳加工技术制备验证工件；将验证工件置于飞行时间二次离子质谱ToF‑SIMS系统中， 采集各个点阵阵列的电荷耦合器件CCD光学图像与二次离子图像SI；以各个点阵阵列的CC...
    2025-12-06
  • 基于缓冲气体掺杂的准分子灯气体混合制备方法
    基于缓冲气体掺杂的准分子灯气体混合制备方法_江苏智紫纳米科技有限公司_202510754914.5
    本发明公开了基于缓冲气体掺杂的准分子灯气体混合制备方法， 涉及准分子灯技术领域， 包括混合气体， 所述混合气体包括氪气、氯气、氩气、氖气、氮气， 所述混合气体由氪气、氯气、氩气、氖气、氮气按照一定的气体体积百分比充分混合而成。本发明中， 氩...
    2025-12-06
  • 采用金属顺序渗透合成过程填充衬底上的凹陷特征的方法
    采用金属顺序渗透合成过程填充衬底上的凹陷特征的方法_ASMIP私人控股有限公司_202510503437.5
    公开了采用金属顺序渗透合成过程来填充衬底上的凹陷特征的方法。所公开的方法包括在凹陷特征内形成有机层并将金属物质引入到有机层中以允许形成金属晶种层。随后可以由金属晶种层形成块体金属层以填充凹陷特征。
    2025-12-06
  • 一种晶圆处理方法及晶圆处理系统
    一种晶圆处理方法及晶圆处理系统_浙江旺荣半导体有限公司_202510738659.5
    本发明公开了一种晶圆处理方法及晶圆处理系统。本发明的晶圆处理方法， 包括以下步骤：获取晶圆， 晶圆的正面具有划片道。制备腐蚀液， 使腐蚀液与晶圆的正面进行反应， 以使划片道内的杂质露出。制备清洗液， 将晶圆放入清洗液内冲洗， 以去除腐蚀液。...
    2025-12-06
  • 用于图案化应用的高密度碳膜
    用于图案化应用的高密度碳膜_应用材料公司_202510957492.1
    本公开的实施例总体上涉及用于图案化应用的高透明、高密度的碳膜的沉积。在一个实施例中， 提供一种在基板上形成碳膜的方法。所述方法包括：使含碳氢化合物的气体混合物流入工艺腔室中， 所述工艺腔室具有定位在静电吸盘上的基板， 其中将基板保持在约‑1...
    2025-12-06
  • 一种小尺寸及异形片的多片减薄方法
    一种小尺寸及异形片的多片减薄方法_中锗科技有限公司_202510972651.5
    本发明公开了一种小尺寸及异形片的多片减薄方法， 包括利用FR‑4材料制备一个圆形模具， 模具的直径比减薄机吸盘实际吸附面的直径大8～10mm， 模具的厚度比减薄后目标厚度低50～100μm；在模具上均匀布置直径比待减薄晶片直径大0.1～0....
    2025-12-06
  • 本征非晶硅层的制备方法、掺杂多晶硅层及TBC电池
    本征非晶硅层的制备方法、掺杂多晶硅层及TBC电池_TCL中环新能源科技股份有限公司_202510985321.X
    本发明提供了一种本征非晶硅层的制备方法、掺杂多晶硅层及TBC电池， 涉及太阳能电池技术领域。所述本征非晶硅层的制备方法包括：向具有隧穿氧化层的硅基体通入硅烷， 进行第一次沉积， 形成第一本征非晶硅层；通入氯化氢、氢气和氩气的混合气体， 进行...
    2025-12-06
  • 二维金属氧化物薄膜的制备方法
    二维金属氧化物薄膜的制备方法_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511026513.4
    本发明公开了一种二维金属氧化物薄膜的制备方法， 所述制备方法包括以下步骤：提供生长衬底；利用分子束外延工艺在生长衬底上生长初始薄膜， 所述初始薄膜中存在未完全氧化的金属离子；对初始薄膜进行加热氧化得到二维金属氧化物薄膜， 所述二维金属氧化物...
    2025-12-06
  • 版图修正方法及系统、设备及存储介质、计算机程序产品
    版图修正方法及系统、设备及存储介质、计算机程序产品_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410513477.3
    一种版图修正方法及系统、设备及存储介质、计算机程序产品， 版图修正方法包括：获取已拆分的第一子掩膜版图， 所述第一子掩膜版图中有多个图形；对任意两个相邻的所述图形进行版图拆分限值规则检查， 获取不满足所述版图拆分限值规则的相邻图形， 并将不...
    2025-12-06
  • 减轻未被显影的光阻层损伤的工艺方法
    减轻未被显影的光阻层损伤的工艺方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410514360.7
    本发明提供一种减轻未被显影的光阻层损伤的工艺方法， 在需要对具有图形密集区稀疏区的第一区域的底部抗反射层进行刻蚀时， 在对光阻层进行图形化以将第一区域的底部抗反射层暴露并将第二区域保护起来后， 先在第一区域及第二区域的整个表面形成一层含碳聚...
    2025-12-06
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