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最新专利技术
  • 等离子体处理装置
    等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202480019244.6
    等离子体处理装置包括：外侧腔室，外侧腔室包括外侧侧壁，外侧侧壁包括第一外侧透明窗；基板支撑部，配置在外侧腔室的内部空间内；能够更换的内侧腔室，配置在外侧腔室的内部空间内，能够更换的内侧腔室包括：上部板，在基板支撑部的上方沿水平方向延伸；环形...
    2025-11-19
  • 蚀刻方法和等离子体处理装置
    蚀刻方法和等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202480023485.8
    本发明提供一种抑制蚀刻的形状异常的技术。本发明提供一种蚀刻方法。该方法包括：(a)准备基片的工序，基片包括具有凹部的蚀刻对象膜和具有使凹部露出的开口且配置在蚀刻对象膜上的掩模；(b)使用由包含含金属气体的第1处理气体形成的第1等离子体，在凹...
    2025-11-19
  • 处理容器、处理装置及半导体装置的制造方法
    处理容器、处理装置及半导体装置的制造方法_株式会社国际电气_202380095933.0
    提供一种技术，具备：内管，其具有从处理室排出处理气体的开口部、以及在内部配置有向上述处理室供给上述处理气体的第一供给部的第一缓冲部；外管，其配置于上述内管的外侧；以及第二缓冲部，其沿着上述外管隔着上述第一缓冲部而位于与上述开口部相反的一侧，...
    2025-11-19
  • 基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序
    基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序_株式会社国际电气_202380095986.2
    本发明提供一种能够抑制基板处理的偏差的技术。本发明所提供的技术具有第一工序和第二工序，其中，第一工序包含：(a1)将处理气体贮存于贮存部的工序，所述第二工序是在所述第一工序之后执行规定次数的循环的工序，该循环中依次进行以下工序：(b1)将所...
    2025-11-19
  • 包括至少两个芯层的封装基板
    包括至少两个芯层的封装基板_高通股份有限公司_202480019648.5
    一种封装件，该封装件包括基板和联接到该基板的集成器件。该基板包括：(i)第一有芯基板部分，该第一有芯基板部分包括：第一芯层，该第一芯层包括第一腔体；第一集成器件，该第一集成器件位于该第一芯层的该第一腔体中；和第一电介质层，该第一电介质层包封...
    2025-11-19
  • 膏组合物、半导体装置及其制造方法、以及电子部件及其制造方法
    膏组合物、半导体装置及其制造方法、以及电子部件及其制造方法_京瓷株式会社_202480001723.5
    一种膏组合物，其中，所述膏组合物包含银粒子(A)和粘合剂(B)，所述银粒子(A)100质量％中，粒径大于20μm的银粒子(A1)的含量为5质量％以下，所述银粒子(A)和所述粘合剂(B)的总量100质量％中，所述银粒子(A)的含量为95质量％...
    2025-11-19
  • 用于压缩成形的密封树脂的形成装置及形成方法
    用于压缩成形的密封树脂的形成装置及形成方法_雅马哈智能机器株式会社_202380095756.6
    本发明的课题在于提供一种密封树脂的形成装置及形成方法，所述密封树脂可实现能够防止产生成形不良的压缩成形装置及压缩成形方法。作为解决手段，本发明的密封树脂的形成装置(100)是对基础树脂(Rm)进行压片而形成用于工件(W)的压缩成形的密封树脂...
    2025-11-19
  • 打线接合装置、打线接合方法及打线接合程序
    打线接合装置、打线接合方法及打线接合程序_雅马哈智能机器株式会社_202480018388.X
    打线接合装置(1)包括：超声波焊头(30)；焊头支架(20)；接合工具(40)；焊头支架温度传感器(CH0)；焊头支架驱动部(10、12)；焊头温度推定部(90c)，基于焊头支架(20)的温度历程、及接合工具(40)的位置历程中的至少一者，...
    2025-11-19
  • 接合层及接合构造
    接合层及接合构造_TDK株式会社_202480019391.3
    接合层是接合电子部件与基板电极的接合层，至少在与基板电极的接合部处具有较基板电极的宽度窄的宽度。
    2025-11-19
  • 制造工具校准
    制造工具校准_应用材料公司_202480017899.X
    一种用于校准制造系统的方法，包括从多个配方选择包括用于在基板上执行制造工艺的第一工艺参数的校准配方，包括：对于每个配方以及对于两个或更多个基板，接收表示使用所述配方在所述两个或更多个基板上执行的所述制造工艺的表征数据。根据所述基板的第一状态...
    2025-11-19
  • 改进的工艺腔室清洁
    改进的工艺腔室清洁_应用材料公司_202480018444.X
    提供了一种清洁工艺腔室的方法，所述方法包括：在第一时间段期间从远程等离子体源向快速热处理腔室的内部体积供应等离子体，所述快速热处理腔室包括多个灯，所述多个灯被配置为加热所述快速热处理腔室的内部体积；以及当来自所述远程等离子体源的所述等离子体...
    2025-11-19
  • 高压基板处理装置
    高压基板处理装置_株式会社HPSP_202480018709.6
    本发明提供一种高压基板处理装置，其中，包括：内腔，形成为用于容纳待处理基板、和以高于大气压的第一压力供给的反应气体；外腔，具备：外壳，用于容纳所述内腔；以及外门，可在关闭所述外壳的关闭状态和打开所述外壳的打开状态之间移动，所述外腔形成为用于...
    2025-11-19
  • 用于前体输送的连接器
    用于前体输送的连接器_朗姆研究公司_202480019204.1
    一种用于衬底处理系统的连接器包含主体，其包含：第一主体部，其包含入口和出口，并界定沿第一方向从所述入口延伸至所述出口的第一气流通道。第二主体部包含入口且界定沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的第二气流通道。“T”形导管被布置在所述第一气流通...
    2025-11-19
  • 用于联机、工具上、分布式沉积或光谱监测的微型光谱仪传感器
    用于联机、工具上、分布式沉积或光谱监测的微型光谱仪传感器_应用材料公司_202480019700.7
    本文公开的实施方式包括一种半导体处理工具。在一实施方式中，所述半导体处理工具包含腔室、及与所述腔室整合的诊断装置。在一实施方式中，所述诊断装置包含板、所述板上的光谱仪、及所述板周围的外壳。
    2025-11-19
  • 基板处理模块和基板处理装置
    基板处理模块和基板处理装置_大金优科股份有限公司_202480022908.4
    基板处理模块和基板处理装置具备：第一槽和第二槽，在第一方向排列，能配置基板；第一输送机构，使基板在第一方向移动；以及第二输送机构，使基板在与第一方向交叉的第二方向移动，第一槽和第二槽配置于第一区域，第一输送机构在配置于第一区域的上方的第二区...
    2025-11-19
  • 静电吸盘膜
    静电吸盘膜_栗村化学株式会社_202480017413.2
    本发明涉及一种静电吸盘膜，尤其，涉及包括形成在导电层上的粘合层，并且具有规定范围的电学性质及各层的厚度的静电吸盘膜。本发明的静电吸盘膜的特征在于，包括：基材层；导电层，形成在所述基材层上；以及粘合层，形成在所述导电层上。
    2025-11-19
  • 将半导体晶圆固定在静电吸盘的系统以及利用其的将半导体晶圆固定在静电吸盘的方法
    将半导体晶圆固定在静电吸盘的系统以及利用其的将半导体晶圆固定在静电吸盘的方法_栗村化学株式会社_202480017464.5
    本发明一实施例的将半导体晶圆固定在静电吸盘的系统包括：静电吸盘；半导体粘合用膜，包括基材层、导电层及粘合层，所述导电层形成在所述基材层上，所述粘合层形成在所述导电层上，所述半导体粘合用膜以使得所述基材层朝向所述静电吸盘的方式固定在所述静电吸...
    2025-11-19
  • 静电吸盘装置
    静电吸盘装置_住友大阪水泥股份有限公司_202480019808.6
    一种静电吸盘装置，其具备：静电吸盘部，具有介电基板及吸附电极，该介电基板具有载置板状试样的载置面，该吸附电极配置于介电基板的内部；及基座，从与载置面相反的背面侧支撑静电吸盘部，并能够调整静电吸盘部的温度，静电吸盘部具有环状凸部，该环状凸部从...
    2025-11-19
  • 用于产生静电吸盘(ESC)台面图案的先进方法
    用于产生静电吸盘(ESC)台面图案的先进方法_应用材料公司_202480022572.1
    本文公开的实施方式包括一种静电吸盘(ESC)。在一实施方式中，所述ESC包含具有第一表面的基板，其中所述第一表面具有第一表面粗糙度。所述ESC可进一步包含从所述第一表面向上延伸的多个台面。在一实施方式中，所述多个台面各自包括第二表面，其中所...
    2025-11-19
  • 基板支撑组件
    基板支撑组件_应用材料公司_202480022319.6
    一种用于在处理站中支撑基板的支撑组件包括外壳、销、多个轴承元件及保持构件。所述外壳包括孔、形成在所述外壳外表面上的凹槽，及安置在所述凹槽中与所述孔相交的多个窗口。所述销安置在所述孔中并可在缩回位置与伸出位置之间移动。所述销包括轴，所述轴包括...
    2025-11-19
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