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最新专利技术
  • 半导体器件形成方法
    半导体器件形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410482536.5
    一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底；形成位于所述基底上的半导体鳍；在所述半导体鳍表面覆盖栅极结构层；形成覆盖所述栅极结构层的掩膜层；在所述掩膜层中形成沟槽；在所述沟槽底部和侧壁上覆盖补偿层；去除所述沟槽底部的补偿层和栅极结构层，形成贯...
    2025-11-22
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410547247.9
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括相互垂直的x方向和y方向以及分别沿所述x方向和y方向延伸的若干第一沟槽和第二沟槽以及若干沿y方向延伸的鳍片结构；第一气隙结构，位于所述第一沟槽和第二沟槽中；...
    2025-11-22
  • MISFET器件及其制备方法
    MISFET器件及其制备方法_武汉大学_202510901830.X
    本申请提供了一种MISFET器件及其制备方法，属于半导体领域。包括：制备P型衬底；对P型衬底进行刻蚀，形成源极凹槽和漏极凹槽；采用MPCVD工艺在源极凹槽和漏极凹槽中制作硼氮共掺杂N型金刚石层；在P型衬底表面形成栅介质层；分别在源极凹槽和漏...
    2025-11-22
  • 基于MOCVD欧姆再生长的GaN毫米波功率器件及制备方法
    基于MOCVD欧姆再生长的GaN毫米波功率器件及制备方法_西安电子科技大学_202511027455.7
    本发明公开了一种基于MOCVD欧姆再生长的GaN毫米波功率器件及制备方法，涉及半导体器件领域，本发明基于改进型光刻掩膜版与器件工艺的巧妙设计，将晶圆表面的硬掩膜面积及其负面影响降至最低，改善了常规MOCVD欧姆再生长n+氮化物表面不平整、实...
    2025-11-22
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_北京中科新微特科技开发股份有限公司_202511047279.3
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括在衬底上形成外延层，在外延层背向衬底的一侧通过离子注入形成第二导电类型的阱区与第一导电类型的源区，阱区包括沿第一方向夹设于源区与外延层之间的沟道区；在外延层背向衬底的一侧形成第一绝缘层；在...
    2025-11-22
  • HEMT器件及其制备方法
    HEMT器件及其制备方法_上海新微半导体有限公司_202511042223.9
    本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，在势垒层位于非栅极区域的部分中掺杂硼离子，可使得异质结界面的应力进一步增大，从而可大大提高沟道层内的二维电子气的浓度，继而降低导通电阻；并且势垒层位于栅极区域的部分中则未掺杂有硼离子或者仅有扩散的少量...
    2025-11-22
  • 一种含有共栅极结构的GaN双向器件
    一种含有共栅极结构的GaN双向器件_润新微电子(大连)有限公司_202511393832.9
    本发明属于半导体技术领域，具体公开一种含有共栅极结构的GaN双向器件，包括主体结构、共栅极结构和外环结构，外环结构沿切割道内圈环绕设置，主体结构包括交替排布的第一主体单元和第二主体单元，第一主体单元包括第一源电极和第一栅结构，第二主体单元包...
    2025-11-22
  • 一种MOSFET结构、功率半导体器件及MOSFET结构的制作方法
    一种MOSFET结构、功率半导体器件及MOSFET结构的制作方法_株洲中车时代半导体有限公司_202410470800.3
    本发明实施例提供了一种MOSFET结构、功率半导体器件及MOSFET结构的制作方法，解决了SiC MOSFET沟槽结构寄生一个PIN体二极管，在芯片反向续流时体二极管开启，引发“双极退化效应”的问题。通过在MOSFET结构的栅极沟槽处设置从...
    2025-11-22
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410535793.0
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底；沟道层结构，悬置于基底上方，在纵向上，沟道层结构包括一个或多个间隔的沟道层；修复层，覆盖沟道层表面；栅极结构，位于基底上且横跨沟道层结构，栅极结构沿栅极结构延伸方向环绕沟道层、且覆盖修复层。本发明...
    2025-11-22
  • 使用相同功函数材料的复合功函数层的形成
    使用相同功函数材料的复合功函数层的形成_台湾积体电路制造股份有限公司_202511016839.9
    本公开涉及使用相同功函数材料的复合功函数层的形成。方法包括在半导体区上形成栅极电介质层，和使用第一含铝前驱物沉积第一含铝功函数层。所述第一含铝功函数层在所述栅极电介质层上方。使用第二含铝前驱物沉积第二含铝功函数层，所述第二含铝前驱物不同于所...
    2025-11-22
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410504225.4
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件包括：设置在衬底上的半导体层，半导体层形成有包括底壁和侧壁的筒状结构；在衬底上堆叠的第一电极和第二电极；第一电极的第一子电极环绕半导体层的侧壁，第一电极的第二子电极环绕第一子电极；第二电极的第...
    2025-11-22
  • 一种氧化镓垂直沟槽MOSFET器件及其制备方法
    一种氧化镓垂直沟槽MOSFET器件及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511099780.4
    本申请提供一种氧化镓垂直沟槽MOSFET器件及其制备方法，氧化镓垂直沟槽MOSFET器件包括氧化镓衬底，位于氧化镓衬底第一侧的外延层、多个阱区、多个源区、栅介质层、栅极、栅保护层、源极和电场屏蔽层；氧化镓垂直沟槽MOSFET器件具有第一沟槽...
    2025-11-22
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202410913075.2
    本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。一个实施方式的半导体装置具备：半导体部，具有第一半导体层、设置于第一半导体层上的第二半导体层、以及设置于第二半导体层的第一沟槽中的第三半导体层；第一电极，设置于第一半导体层的背面；第一金属膜，在第...
    2025-11-22
  • 包括氧化物半导体的半导体装置及其制造方法
    包括氧化物半导体的半导体装置及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510114329.9
    本公开涉及一种包括氧化物半导体的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：结晶的第一氧化物半导体图案，其具有至少一个刻蚀表面；以及结晶的第二氧化物半导体层，其设置在第一氧化物半导体图案的刻蚀表面上。用于制造半导体装置的方法包括：在衬底之上形成...
    2025-11-22
  • 一种复合间隔层垂直沟道薄膜晶体管及其制备方法
    一种复合间隔层垂直沟道薄膜晶体管及其制备方法_北京理工大学_202510871397.X
    本发明涉及一种复合间隔层垂直沟道薄膜晶体管及其制备方法，包括：衬底，源极，复合间隔层、漏极、有源层、栅极绝缘层和栅极，衬底、源极、复合间隔层、漏极由下至上依次设置，漏极‑复合间隔层侧壁‑源极表面上设置有源层，有源层上设置栅极绝缘层和栅极，所...
    2025-11-22
  • 结晶的氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及其制作方法
    结晶的氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及其制作方法_华南理工大学_202511034243.1
    本发明公开了一种结晶的氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及其制作方法。该结晶的氧化物半导体薄膜的材料包括氧化铟，结晶的氧化物半导体薄膜的材料还包括第一元素和/或第二元素，氧化铟与第一元素组成DxInyO，第一元素包括Ga，Sc和Y中的至少一种，x...
    2025-11-22
  • 薄膜晶体管
    薄膜晶体管_友达光电股份有限公司_202511038580.8
    本发明公开了一种薄膜晶体管，包括半导体层以及位于半导体层的一侧的缓冲层。半导体层包括源极区、漏极区及通道区，其中源极区及漏极区经硼掺杂，通道区位于源极区与漏极区之间。缓冲层包括第一区、第二区及位于第一区与第二区之间的第三区。第一区及第二区经...
    2025-11-22
  • 显示装置
    显示装置_三星显示有限公司_202511047613.5
    本发明公开了显示装置。显示装置包括：基板；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在基板上并且包括无机绝缘材料；氧化物半导体层，所述氧化物半导体层设置在第一绝缘层上；第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在氧化物半导体层上并且包括无机绝缘材料；和第三绝缘层，...
    2025-11-22
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯东方集成电路制造有限公司_202410466516.9
    一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，包括预埋层，预埋层具有第一掺杂离子，衬底露出预埋层表面；形成覆盖衬底的调节层，调节层具有第二掺杂离子，第二掺杂离子与第一掺杂离子反型；形成覆盖调节层的外延层。本发明有利于灵活控制SRP曲线...
    2025-11-22
  • 超结半导体器件的终端结构及超结半导体器件
    超结半导体器件的终端结构及超结半导体器件_无锡旷通半导体有限公司_202511213633.5
    本发明涉及一种超结半导体器件的终端结构及超结半导体器件，包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第二导电类型终端柱、第一场氧层和第二场氧层，第二导电类型终端柱设置在第一导电类型外延层内，多个第一场氧层沿第一方向排布设置所述第一导电类型外延...
    2025-11-22
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