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最新专利技术
  • 一种PE-poly工艺方法及其应用、TOPCon太阳能电池
    一种PE-poly工艺方法及其应用、TOPCon太阳能电池_深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司_202510995882.8
    本发明公开了一种PE‑poly工艺方法及其应用、TOPCon太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域。本发明发现在TOPcon量产电池线中，碱抛处理由HF清洗结尾切换为HCl清洗结尾后，可以通过优化PE‑poly工艺膜层结构以及磷烷掺杂量，进而有...
    2025-11-23
  • 一种隧穿钝化的背接触晶硅电池及其制备方法
    一种隧穿钝化的背接触晶硅电池及其制备方法_青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司_202510996349.3
    本申请属于光伏技术领域，公开了一种隧穿钝化的背接触晶硅电池及其制备方法，制备方法包括对N型基底硅片进行制绒和抛光；依次沉积第一隧穿氧化层、第一非晶硅层和第一氧化层；进行第一次激光扫描，形成图形化的第一电极区，通过化学腐蚀去除被激光扫描的区域...
    2025-11-23
  • 碲镉汞p-on-n器件元素晶格占位和界面势垒调控装置和方法
    碲镉汞p-on-n器件元素晶格占位和界面势垒调控装置和方法_昆明物理研究所_202511065270.5
    本发明提出了碲镉汞p‑on‑n器件元素替代占位和界面势垒调控装置和方法，该装置由多温区恒温结构、多段加热单元、显示及控制单元、样品承载腔、整体支撑结构、样品承载腔放置台及其支撑杆等部分组成，通过各恒温区温度、温差、距离以及升温速率、降温速率...
    2025-11-23
  • 光伏电池的制备方法及光伏电池
    光伏电池的制备方法及光伏电池_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202511080316.0
    本申请实施例涉及光伏电池领域，提供一种光伏电池的制备方法及光伏电池，其中制备方法包括：提供半成品件，半成品件包括基底，基底具有第一表面和第二表面，第二表面包括交替排布的第一区和第二区；第一掺杂层位于第一表面；隧穿氧化层和第二掺杂层设置在第二...
    2025-11-23
  • 一种雪崩光电探测器的制备方法及雪崩光电探测器
    一种雪崩光电探测器的制备方法及雪崩光电探测器_上海新微技术研发中心有限公司_202511106980.8
    本发明提供了一种雪崩光电探测器的制备方法及雪崩光电探测器，属于半导体技术领域。该方法包括：包括：在衬底上形成第一外延层；在第一外延层上沉积第一保护层，并通过离子注入形成P型阱；去除第一保护层，沉积第二外延层，并在第二外延层上沉积第二保护层；...
    2025-11-23
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_安徽华晟新能源科技股份有限公司_202511120146.4
    本公开提供了一种异质结太阳能电池及其制备方法，所述制备方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的第一侧形成第一功能层，所述第一功能层的材料包括半导体掺杂材料和本征材料；在所述半导体衬底的第二侧形成第二功能层，所述第一功能层的材料包括半导体...
    2025-11-23
  • 一种太阳能电池金属化方法及其应用
    一种太阳能电池金属化方法及其应用_TCL中环新能源科技股份有限公司_202511120374.1
    本发明提供了一种太阳能电池金属化方法及其应用，涉及太阳能电池的技术领域，该太阳能电池金属化方法包括：(a)在第一温度下，对待金属化电池片背面的主栅区域进行一次烧结，形成主栅；(b)在第二温度下，对待金属化电池片背面的正极区域进行二次烧结，形...
    2025-11-23
  • 一种无机钙钛矿薄膜、钙钛矿电池及制备方法
    一种无机钙钛矿薄膜、钙钛矿电池及制备方法_天合光能股份有限公司_202511122308.8
    本发明属于光伏领域，具体涉及到一种无机钙钛矿薄膜、钙钛矿太阳能电池及制备方法。本发明制备无机钙钛矿薄膜的方法包括：(1)共蒸镀第一无机原料和第二无机原料，得到无机骨架层前体；对无机骨架层前体进行第一次退火，形成无机骨架层；(2)在无机骨架层...
    2025-11-23
  • 一种基于异质结材料紫外响应的光电探测器的制备方法
    一种基于异质结材料紫外响应的光电探测器的制备方法_大连民族大学_202511128953.0
    本发明适用于光电响应材料技术领域，提供了一种基于异质结材料紫外响应的光电探测器的制备方法，该方法通过引入稀土离子代替铅离子点位合成双钙钛矿材料Cs2NaCeBr6，通过引入核壳结构将N型半导体材料TiO2包覆于钙钛矿材料表面，通过TiO2的...
    2025-11-23
  • 晶硅底电池的高钝化方法、晶硅底电池及其叠层太阳电池
    晶硅底电池的高钝化方法、晶硅底电池及其叠层太阳电池_淮安捷泰新能源科技有限公司_202511129869.0
    本发明公开了一种晶硅底电池的高钝化方法、晶硅底电池及其叠层太阳电池。高钝化方法包括提供晶硅基底；采用LPCVD进行热氧化，在晶硅基底上制备隧穿氧化硅层；在隧穿氧化硅层之上，依次进行第一本征硅层沉积、富磷层或富硼层沉积、第二本征硅层沉积；高温...
    2025-11-23
  • 汇流条焊接方法及汇流组件
    汇流条焊接方法及汇流组件_横店集团东磁股份有限公司_202511139571.8
    本发明涉及汇流条焊接技术领域，公开了汇流条焊接方法及汇流组件。汇流条焊接方法，包括：翻折汇流条的端部，形成具有第一引流槽的翻折结构；端部搭接在放置有焊料的导电片上，翻折结构位于焊料的一侧，并且第一引流槽的开口朝向焊料；焊接端部；其中，第一引...
    2025-11-23
  • 太阳能电池的制备方法、太阳能电池及生产设备
    太阳能电池的制备方法、太阳能电池及生产设备_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202511141672.9
    本申请公开了一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池及生产设备，制备方法包括：提供一电池片，所述电池片的背光面形成有依次层叠的隧穿氧化层和多晶硅层；对所述电池片的背光面进行蓝光辐照处理；对经过所述蓝光辐照处理的所述电池片的背光面进行红外光辐照处...
    2025-11-23
  • 一种TOPCon太阳能电池及其制备方法
    一种TOPCon太阳能电池及其制备方法_滁州捷泰新能源科技有限公司_202511150458.X
    本发明公开了一种TOPCon太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池领域，在硅片背面形成隧穿氧化层/第一非晶硅层/第一PSG层/第二非晶硅层/第二PSG层的叠层结构，经过磷扩散后形成第一磷掺杂多晶硅层和第二磷掺杂多晶硅层，其中所述第一磷掺杂多...
    2025-11-23
  • 一种背接触太阳能电池及其制备方法
    一种背接触太阳能电池及其制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511153923.5
    本发明公开一种背接触太阳能电池及其制备方法。制备方法可包括：提供电池基体，其中，电池基体包括晶硅基体，以及在晶硅基体背面交替排列的第一导电区域和第二导电区域，以及位于相邻的第一导电区域和第二导电区域之间的隔离区域，第一导电区域与第二导电区域...
    2025-11-23
  • 一种铯铋溴纳米片阵列/氧化锌异质结光电材料及其制备方法和应用
    一种铯铋溴纳米片阵列/氧化锌异质结光电材料及其制备方法和应用_西北工业大学_202511156389.3
    本发明属于光电材料技术领域，具体涉及一种铯铋溴纳米片阵列/氧化锌异质结光电材料及其制备方法和应用。制备方法包括：在基底表面涂覆乙酸锌溶胶后干燥、退火，得到负载氧化锌膜层基底；采用反溶剂法在氧化锌膜层表面生长铯铋溴纳米片阵列层，得到异质结光电...
    2025-11-23
  • 电池制备方法、太阳能电池及光伏组件
    电池制备方法、太阳能电池及光伏组件_安徽阳光光能科技有限公司_202511156860.9
    本申请涉及光伏技术领域，公开了一种电池制备方法、太阳能电池及光伏组件，本申请的电池制备方法包括：提供基底；基底具有第一表面以及远离第一表面的第二表面，第一表面上形成有第一掺杂层；形成覆盖第二表面以及基底的侧壁的第二掺杂层；在覆盖侧壁的第二掺...
    2025-11-23
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_淮安捷泰新能源科技有限公司_202511159458.6
    本申请公开了一种太阳能电池及其制备方法，涉及光伏技术领域。本申请的太阳能电池的制备方法中，通过对激光光斑扫描速度的控制，使得后续在刻蚀曝光区域的第一掺杂硅层和第一介质层时，曝光区域的边缘刻蚀深度会较浅，中部刻蚀深度较深，使得第一沟槽能够具有...
    2025-11-23
  • 太阳能电池的制备方法及太阳能电池生产线
    太阳能电池的制备方法及太阳能电池生产线_拉普拉斯新能源科技股份有限公司_202511174936.0
    本申请实施例涉及光伏技术领域，并提供一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池生产线。该太阳能电池的制备方法包括：对N型硅基底的至少第一面进行制绒；在N型硅基底靠近第一面处形成硼掺杂扩散层，并在硼掺杂扩散层上整面形成第一掩膜层；图案化第一掩膜层；...
    2025-11-23
  • 一种太阳能电池的烧结方法
    一种太阳能电池的烧结方法_泰州中来光电科技有限公司_202511176939.8
    本发明涉及光伏技术领域，公开了一种太阳能电池的烧结方法，其是在硅基体样品表面的同极性副栅两端施加电压或电流，并控制电压或电流的施加时间≤120s、且施加的电压的绝对值≤30V(或者施加的电流的绝对值≤20A)，使副栅上产生大量的焦耳热，来利...
    2025-11-23
  • 一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池
    一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511394356.2
    本发明公开一种背接触太阳能电池的制备方法及背接触太阳能电池。该制备方法可包括：在N型晶硅基体第一主表面的N型区域以及隔离区域形成N型载流子收集层和层叠于N型载流子收集层外侧的含有N型掺杂原子的第一掺杂硅玻璃层；在N型晶硅基体的第一主表面的P...
    2025-11-23
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