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最新专利技术
  • 一种系统级封装件、电子器件及系统级封装方法
    一种系统级封装件、电子器件及系统级封装方法_睿成创新(成都)电子技术有限公司_202511191899.4
    本发明涉及集成电路封装领域，特别是涉及一种系统级封装件、电子器件及系统级封装方法，包括第一基板、第二基板、合金盖板及封装电子件；所述第一基板、所述第二基板及所述合金盖板连接成一体结构；所述第一基板的第二表面上包括组件装配区；所述封装电子件包...
    2025-11-27
  • 半导体封装及其制造方法
    半导体封装及其制造方法_三星电子株式会社_202510113376.1
    发明构思涉及半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括第一再分布基板、在第一再分布基板的第一侧上的第一半导体芯片、在第一再分布基板的第二侧上的第一贯穿柱、在第一半导体芯片和第一贯穿柱上的第二再分布基板、在第二再分布基板的第二侧上的第二半导体芯...
    2025-11-27
  • 一种封装结构、电子设备及芯片封装方法
    一种封装结构、电子设备及芯片封装方法_华为技术有限公司_202510922035.9
    本申请提供了一种封装结构、电子设备及芯片封装方法，该封装结构包括：基板、芯片、支撑部和导热盖板；芯片安装于基板表面，导热盖板设置于芯片背离基板的一侧；导热盖板朝向基板的表面具有与芯片相对的填充区域，填充区域有开口朝向基板的容纳槽，芯片与容纳...
    2025-11-27
  • 一种功率模块及电子设备
    一种功率模块及电子设备_苏州悉智科技有限公司_202511026772.7
    本申请涉及半导体器件的技术领域，尤其是涉及一种功率模块及电子设备，其中，功率模块包括基板、电路载体、功率器件、第一功率端子、第二功率端子和塑封体。第一功率端子通过第一电极与功率器件实现电性连接。第二功率端子通过第二电极与功率器件实现电性连接...
    2025-11-27
  • 芯片封装盖、芯片总成及封装盖的制造方法
    芯片封装盖、芯片总成及封装盖的制造方法_长沙瑶华半导体科技有限公司_202511063613.4
    本申请实施例提供一种芯片封装盖、芯片总成及封装盖的制造方法，其中，芯片封装盖包括：盖体；所述盖体上设有开孔；盖体为铜材料制成；导热块，嵌设于开孔内，导热块与盖体接触并固定连接；导热块为金刚石铜块。本申请实施例提供的芯片封装盖、芯片总成及封装...
    2025-11-27
  • 一种扇出型封装结构及其封装方法
    一种扇出型封装结构及其封装方法_成都奕成集成电路有限公司_202511182968.5
    本发明公开了一种扇出型封装结构及其封装方法，扇出型封装结构包括金属散热组件、导热胶、导热介质、塑封料、RDL层、焊球。本申请中，通过将芯片封装在具有凹槽的金属散热组件内，并在芯片侧面和正面形成导热介质填充的导热层，使芯片的六面均与金属散热组...
    2025-11-27
  • 喷雾冷却系统和冷却方法
    喷雾冷却系统和冷却方法_广东省智能科学与技术研究院_202511501304.0
    本发明公开了一种喷雾冷却系统，并公开了一种适用于喷雾冷却系统的冷却方法，喷雾冷却系统的储液箱、第一抽吸泵、喷雾室、分液器和冷凝器依次连接并形成冷却回路，冷却液在冷却回路内循环流动，喷雾室的内腔用于设置半导体器件，喷雾室连接有真空泵，真空泵用...
    2025-11-27
  • 三维蒸气腔元件
    三维蒸气腔元件_广州力及热管理科技有限公司_202410629642.1
    一种三维蒸气腔元件，包含上盖、下板以及多个流道鳍片，上盖具有上表面，下板相对于上盖，当上盖耦合于下板时内部形成密闭气腔，流道鳍片间隔设置于上盖的上表面而形成多个微流道，同时并围设形成开口，并相互贯通。其中，三维蒸气腔元件具有吸热区以及冷凝区...
    2025-11-27
  • 散热基板、功率模块及散热基板的制造方法
    散热基板、功率模块及散热基板的制造方法_长沙瑶华半导体科技有限公司_202511066994.1
    本申请实施例提供一种散热基板及应用该散热基板的功率模块，其中，散热基板包括：导流板；所述导流板上设有微流道；第一散热板，固定于导流板的一侧面；第一散热板形成有导电层；第二散热板，固定于导流板的另一侧面，第二散热板设有分别与微流道连通的进液孔...
    2025-11-27
  • 一种基于玻璃基板的CPU芯片散热结构及其封装方法
    一种基于玻璃基板的CPU芯片散热结构及其封装方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202511138197.X
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种基于玻璃基板的CPU芯片散热结构及其封装方法。包括玻璃基板，所述的玻璃基板内设有与外界相连通的玻璃通道，玻璃基板一侧表面贴装芯片，玻璃基板外侧设有散热器，所述的散热器包括外壳、液冷管道、换热装置，玻...
    2025-11-27
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202510219048.X
    本发明提供一种半导体结构及其制造方法。上述半导体结构包括衬底、介电衬层、衬底穿孔、阻挡层、锗化铜层与铜层。衬底包括彼此相对的第一面与第二面。在衬底中具有孔洞。介电衬层位于孔洞的侧壁上。衬底穿孔位于孔洞中。介电衬层位于衬底穿孔与衬底之间。阻挡...
    2025-11-27
  • 光子芯片、光模块、电子设备和光子芯片测试方法
    光子芯片、光模块、电子设备和光子芯片测试方法_北京字跳网络技术有限公司_202511135096.7
    本公开实施例提供了一种光子芯片、光模块、电子设备和光子芯片测试方法，属于芯片技术领域。其中，光子芯片包括芯片本体，所述芯片本体的电连接面设置有多个植球焊盘和多个测试焊盘，每个所述植球焊盘通过所述芯片本体中的金属走线与至少一个所述测试焊盘电连...
    2025-11-27
  • 一种高可靠性和高出流能力的功率模块
    一种高可靠性和高出流能力的功率模块_臻驱科技(上海)股份有限公司_202511280925.0
    本发明提供了一种高可靠性和高出流能力的功率模块。功率模块包括至少一个功率单元，所述功率单元沿第一方向依次层叠设置散热器、覆铜陶瓷基板、硅基芯片和连接层；基板与芯片电连接并与散热器热传导，芯片通过基板与散热器热传导；连接层与芯片电连接，具有导...
    2025-11-27
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411163657.X
    实施方式提供能够抑制开关时的噪声的半导体装置。在实施方式的半导体装置中，第一引线框上的第一晶体管的第一端连接于第一引线框，第二引线框上的第二晶体管的第一端连接于第三引线框，第三引线框上的第三晶体管的第一端以及第二端分别连接于第三引线框以及第...
    2025-11-27
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510581541.6
    本发明得到能抑制组装性的恶化、且能实现小型化的半导体装置。半导体装置包括基座构件(1a)、第一半导体元件(2)和第二半导体元件(3)。第二半导体元件的平面尺寸比第一半导体元件小。第一半导体元件和第二半导体元件在第一方向(DR1)上排列。在基...
    2025-11-27
  • 电子装置及制造电子装置的方法
    电子装置及制造电子装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202510637908.1
    电子装置及制造电子装置的方法。一种电子装置包含衬底，所述衬底包括包含触点第一横向侧和触点第二横向侧的触点。触点第一外部端子从所述触点第一横向侧向外延伸。触点第二外部端子从所述触点第一横向侧向外延伸并通过间隙与所述触点第一外部端子分离。电子组...
    2025-11-27
  • 功率模块以及电子设备
    功率模块以及电子设备_苏州悉智科技有限公司_202510954186.2
    本发明提供了一种功率模块以及电子设备，该功率模块包括基板、若干个端子、封装体以及若干个窗结构。其中，至少一个端子为第一端子结构，第一端子结构与基板电性连接，第一端子结构包括第一区和第二区，第一区在基板所在平面的投影位于基板表面，第二区在基板...
    2025-11-27
  • 一种高散热高机械强度的平板型模块结构及其制备方法
    一种高散热高机械强度的平板型模块结构及其制备方法_金兰功率半导体(无锡)有限公司_202511160525.6
    本发明提供一种高散热高机械强度的平板型模块结构及其制备方法，平板型模块结构包括：IMS框架，IMS框架为顶部敞开的框体结构，IMS框架内形成有安装腔；芯片，芯片设置于安装腔内；铜排，铜排设置于安装腔内并与芯片层叠设置；功率端子，功率端子设置...
    2025-11-27
  • 一种半导体模组、集成模块、控制器及车辆
    一种半导体模组、集成模块、控制器及车辆_比亚迪股份有限公司_202511006509.1
    本申请公开了一种半导体模组、集成模块、控制器和车辆，所述半导体模组包括至少两个半导体器件、控制信号输入部和控制信号输出部，所述半导体器件包括第一电极和第二电极；每个所述半导体器件的第一电极与所述控制信号输入部电连接，每个所述半导体器件的第二...
    2025-11-27
  • 应用于SiP封装的超宽带多层垂直互连结构
    应用于SiP封装的超宽带多层垂直互连结构_中国电子科技集团公司第五十四研究所_202511063369.1
    本发明属于射频前端技术领域，具体为应用于SiP封装的超宽带多层垂直互连结构。该结构利用新颖的TGV技术，在层间cpwg下方嵌入空腔，同时插入高低阻抗线结构，以降低插入损耗，提高回波损耗。所述结构利用HFSS软件进行仿真和优化。仿真得到极优结...
    2025-11-27
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