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最新专利技术
  • 计算机程序、信息处理装置以及信息处理方法
    计算机程序、信息处理装置以及信息处理方法_东京毅力科创株式会社_202480023967.3
    提供一种计算机程序、信息处理装置以及信息处理方法，能够考虑装置固有的热阻、在工艺制程的每个步骤中不同的热通量来决定对于制冷剂的设定温度的补偿值。用于使计算机执行如下处理：关于具备基板载置台和利用从冷却装置供给的制冷剂来冷却基板载置台的冷却基...
    2025-11-27
  • 用于排气处理系统的控制装置和控制方法
    用于排气处理系统的控制装置和控制方法_株式会社荏原制作所_202480025960.5
    本发明关于控制具有多个处理器的排气处理系统的动作的控制装置和控制方法。控制装置(6)控制具有多个处理器(2A至2C)的排气处理系统(1)的动作，具备：多个副控制装置(8A至8C)，与多个处理器(2A至2C)对应，个别地控制多个处理器(2A至...
    2025-11-27
  • 用于减少厚度损失的含硅材料的碳补充
    用于减少厚度损失的含硅材料的碳补充_应用材料公司_202480027575.4
    半导体处理的例示性方法可包括将蚀刻剂前驱物提供到半导体处理腔室的处理区域。结构可设置在处理区域内。结构可包括第一含硅材料。结构可包括第二含硅材料、含氧材料、或两者。方法可包括使结构与蚀刻剂前驱物接触。与蚀刻剂前驱物的接触可从结构蚀刻第二含硅...
    2025-11-27
  • 用于控制旋涂自组装单层(SAM)选择性的方法
    用于控制旋涂自组装单层(SAM)选择性的方法_东京毅力科创株式会社_202480027741.0
    提供了控制在区域选择性沉积(ASD)工艺中使用的自组装单层(SAM)的形成并且因此在ASD工艺中防止缺陷的方法的各种实施例。在所披露的实施例中，SAM结构经由旋涂工艺形成，该旋涂工艺包括：(a) 旋转涂布步骤，该旋转涂布步骤用于用含有SAM...
    2025-11-27
  • 通过在印刷电路面板上支撑微电子管芯来单切微电子器件封装件的方法以及相关结构
    通过在印刷电路面板上支撑微电子管芯来单切微电子器件封装件的方法以及相关结构_微芯片技术股份有限公司_202380097167.1
    方法可涉及在印刷电路面板上支撑多个微电子管芯。多个微电子管芯中的相应微电子管芯可电连接到印刷电路面板的至少一个过孔。微电子器件封装件可从印刷电路面板单切，相应微电子器件封装件包括多个微电子管芯中的至少一个微电子管芯和印刷电路面板的一部分。结...
    2025-11-27
  • 用于制造装备的综合建模平台
    用于制造装备的综合建模平台_应用材料公司_202480027230.9
    一种方法包括以下步骤：由处理设备，经由图形用户界面(GUI)，接收用于以第一腔室数据模式检视与第一工艺腔室相关联的数据的第一用户输入。该第一腔室数据模式的数据包括在该第一工艺腔室中执行的工艺操作的数据。该方法进一步包括以下步骤：回应于接收该...
    2025-11-27
  • 用于减少飞溅的流体曝气器
    用于减少飞溅的流体曝气器_应用材料公司_202480027237.0
    本文的实施例提供了一种半导体基板清洁腔室。清洁腔室包括部分限定清洁体积的侧壁、在侧壁内设置的基座、及在基座上方设置的清洁臂。清洁臂包括在清洁臂的喷嘴端上设置的喷嘴组件。喷嘴组件包括外壳、及在外壳内设置并且具有气体端口的主体，该气体端口穿过该...
    2025-11-27
  • 用于监测等离子体自由基物质通量的方法及系统
    用于监测等离子体自由基物质通量的方法及系统_应用材料公司_202480027252.5
    一种监测处理腔室中的基于等离子体的制程的方法包括：在基于等离子体的制程期间量测与处理腔室相关联的第一位置处的第一温度；以及基于第一温度来决定表示与基于等离子体的制程相关联的第一自由基物质通量的值。方法包括经训练的机器学习模型以决定表示自由基...
    2025-11-27
  • 基板清洁改进
    基板清洁改进_应用材料公司_202480027538.3
    提供了一种基板清洁装置，所述基板清洁装置包括：轴，所述轴具有外部主体和内部容积，所述轴具有在第一方向上的长度；以及垫载体组件，所述垫载体组件包括：壳体，所述壳体在相对于所述轴的所述外部主体的固定位置连接至所述外部主体，所述壳体具有内部容积；...
    2025-11-27
  • 高压基板处理装置
    高压基板处理装置_株式会社HPSP_202480028063.X
    本发明提供一种高压基板处理装置，其中，包括：内腔，被形成为容纳待处理基板；外腔，具备：外壳，用于容纳所述内腔；外门，被形成为在封闭所述外壳的关闭状态和开放所述外壳的打开状态之间移动；以及紧固模块，被形成为在所述关闭状态下用于紧固所述外壳与所...
    2025-11-27
  • 高压基板处理装置
    高压基板处理装置_株式会社HPSP_202480028065.9
    本发明提供一种高压基板处理装置，其中，包括：内腔，被形成为用于容纳待处理基板；外腔，具备：外壳，用于容纳所述内腔；外门，被形成为在封闭所述外壳的关闭状态和开放所述外壳的打开状态之间移动；以及紧固模块，被形成为在所述关闭状态下用于紧固所述外壳...
    2025-11-27
  • 用于流动调节的系统、方法和装置
    用于流动调节的系统、方法和装置_朗姆研究公司_202480028190.X
    一种多站式半导体处理装置包含处理站(“站”)以及与这些站流体连接的流体输送系统。流体输送系统包含第一至第四通路及流量调节器。第一通路接收输入供给的流体。第二通路将输入供给的流体的第一部分转移到流体连接这些站中的第一站的第三通路，且将输入供给...
    2025-11-27
  • 基板收纳容器
    基板收纳容器_未来儿股份有限公司_202380097566.8
    基板收纳容器(1)具备：容器主体(2)；盖体(3)；以及侧方基板支承部(5)，在基板收纳空间(27)内以成对的方式分别固定配置在一对的侧壁(25、26)，在盖体(3)未封闭容器主体开口部(21)时能够以使多个基板(W)中的相邻的基板(W)彼...
    2025-11-27
  • 装载端口
    装载端口_昕芙旎雅有限公司_202480020732.9
    [问题]提供一种在确保安全的同时能够以足够的精度判定基板的容纳状态的技术。[方案]装载端口(1)包括：安装部(20)，其上安装有容纳多个矩形基板(W)的容纳容器(9)；映射传感器(61)，其在沿安装在安装座(20)上的容纳容器(9)中容纳的...
    2025-11-27
  • 工件保持装置
    工件保持装置_创意科技股份有限公司_202480027284.5
    提供工件保持装置，即便是较重工件也能可靠保持，而且能不施加负荷地拆卸所保持的工件。工件保持装置在可弹性变形的带状片(1)的一个面安装具有自粘性的粘附保持材料(2)，该带状片(1)使粘附保持材料(2)朝外并卡固在具有卡固部(4)的台座块(5)...
    2025-11-27
  • 真空腔室、电子器件的制造装置以及电子器件的制造方法
    真空腔室、电子器件的制造装置以及电子器件的制造方法_佳能特机株式会社_202480022191.3
    提供一种能够降低成本的真空腔室、电子器件的制造装置以及电子器件的制造方法。其特征在于，具备：相机(301)，其拍摄形成于基板(S)的第一对准标记(S1)及第二对准标记(S2)；调整机构，其基于由相机(301)拍摄到的图像数据来调整基板(S)...
    2025-11-27
  • 供电部件及晶片载放台
    供电部件及晶片载放台_日本碍子株式会社_202380011724.3
    供电部件50用于对植入于陶瓷基材的电极进行供电。供电部件50具备：电极侧端子51，其由含高熔点金属材料形成，且接合于电极；中间部件52，其由含Cu材料形成，且没有借助焊料而与电极侧端子51直接接合；电缆支撑部件53，其由含Cu材料形成，且与...
    2025-11-27
  • 静电基板支撑
    静电基板支撑_应用材料公司_202480025673.4
    静电夹盘(ESC)包括具有第一表面的陶瓷主体，其中在所述第一表面上界定的两个或多个区域在所述第一表面上相对于彼此同心地布置。每个区域包括在所述第一表面上布置并且界定所述区域的外边缘的保持环、及在所述第一表面上并且在所述区域内布置的结构，所述...
    2025-11-27
  • 蚀刻高深宽比结构的方法
    蚀刻高深宽比结构的方法_应用材料公司_202480027406.0
    本文公开了一种用于在半导体处理腔室中蚀刻高深宽比结构的方法和系统。在一个示例中，图案化基板的方法包括蚀刻基板以形成凹槽，在凹槽的侧壁上沉积钝化层，处理钝化层，以及蚀刻凹槽至第二深度。基板蚀刻形成凹槽至第一深度，基板具有安置在其上的掩模层。钝...
    2025-11-27
  • 用于将基板夹持在单极静电吸盘上来沉积光刻胶膜的设备
    用于将基板夹持在单极静电吸盘上来沉积光刻胶膜的设备_应用材料公司_202480028136.5
    本文公开了用于将基板夹持在单极静电吸盘上来沉积光刻胶膜的设备。在一个示例中，一种升降杆组件包括：第一金属弹簧；第一金属，所述第一金属在所述第一金属弹簧上方并耦接到所述第一金属弹簧；第二金属弹簧，所述第二金属弹簧在所述第一金属上方并耦接到所述...
    2025-11-27
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