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最新专利技术
  • 基于非手性微纳结构的圆偏振光探测方法及光电探测器
    基于非手性微纳结构的圆偏振光探测方法及光电探测器_北京大学_202410660480.8
    本发明公开了一种基于非手性介质微纳结构的圆偏振光探测方法及光电探测器。由于x偏振光与y偏振光在微纳结构中激发的反对称模式与对称模式相互干涉，左旋光和右旋光激发的近场模式光强可分别集中在微纳结构的两侧。在微纳结构两侧设置电极，利用光热电效应或...
    2026-01-01
  • 一种基于铬掺杂氧化铟的高温热流传感器及其制备方法
    一种基于铬掺杂氧化铟的高温热流传感器及其制备方法_西安交通大学_202511018054.5
    本发明公开了一种基于铬掺杂氧化铟的高温热流传感器及其制备方法，采用丝网印刷技术，通过优化浆料配方和印刷工艺参数，在耐高温陶瓷基板上实现热电堆结构的精确成型，再经过热电堆与热阻层分步高温烧结处理，确保薄膜与基板之间的牢固结合和微观结构的致密化...
    2026-01-01
  • 基于全流程监测的高温PZT制备监测方法及系统
    基于全流程监测的高温PZT制备监测方法及系统_东莞传晟光电有限公司_202511468787.9
    本发明公开了一种基于全流程监测的高温PZT制备监测方法及系统，包括：获取的原始制备全流程监测数据并进行预处理，得到制备全流程监测信息；基于制备全流程监测信息进行单模态特征提取和特征融合，生成多模态制备监测融合特征；利用多模态制备监测融合特征...
    2026-01-01
  • 一种压电环形叠堆
    一种压电环形叠堆_宁波健立电子有限公司_202511378055.0
    本申请公开了一种压电环形叠堆，其至少包括第一压电片和第二压电片，第一压电片的中部设置有第一通孔，第一压电片具有第一表面和第二表面，第一表面上同时具有第一电极和第二电极，第一电极或第二电极中至少其中一个通过第一通孔延伸至第二表面，第二压电片具...
    2026-01-01
  • 压电元件及其制造方法
    压电元件及其制造方法_中原大学_202411185661.6
    一种压电元件及其制造方法，其中压电元件包括压电复合材料与至少一极化功能区，其中压电复合材料由压电陶瓷粉末及热塑性弹性体组成，其中压电陶瓷粉末与热塑性弹性体经一混炼程序形成压电混合胚料，且压电混合胚料经射出与热塑程序后形成压电复合材料，对压电...
    2026-01-01
  • 一种自供电痛觉感受器及其制备方法
    一种自供电痛觉感受器及其制备方法_无锡学院_202511121890.6
    本发明提供了一种自供电痛觉感受器，包括：SiO2/Si衬底，所述SiO2/Si衬底上生长有Si3N4层作为电子隧穿层，所述Si3N4层上生长有二维有机半导体层，所述二维有机半导体层为C8‑BTBT材料，所述二维有机半导体层上固定有N型掺杂电...
    2026-01-01
  • 一种压电式压力传感器及其制备方法
    一种压电式压力传感器及其制备方法_武汉敏声新技术有限公司_202511195138.6
    本发明公开了一种压电式压力传感器及其制备方法。该压电式压力传感器包括：衬底；压电驱动层，位于所述衬底的一侧；第一空腔，沿第一方向，所述第一空腔贯穿至少部分所述衬底；所述第一方向为所述衬底的厚度方向；限位结构，位于所述第一空腔中，且与所述压电...
    2026-01-01
  • 用于片上超声模组的封装结构及方法
    用于片上超声模组的封装结构及方法_杭州荷声科技有限公司_202511195720.2
    本发明提供了一种用于片上超声模组的封装结构及方法，包括CMOS裸片；塑封结构，用于塑封CMOS裸片；塑封结构上贯穿设置有用于对CMOS裸片进行扇出的所述金属柱，塑封结构上具有用于压电陶瓷换能器阵列进行收发信号的通道；第一再分布层，第一再分布...
    2026-01-01
  • 兼容CMOS工艺的MEMS致动冷却芯片及制作方法
    兼容CMOS工艺的MEMS致动冷却芯片及制作方法_广东工业大学_202511559204.3
    本申请提供了兼容CMOS工艺的MEMS致动冷却芯片及制作方法, 涉及半导体冷却领域，包括致动器、反向振动结构和支撑结构，反向振动结构包括反向振动板，反向振动板上集成有CMOS驱动电路，CMOS驱动电路分别与致动器和反向振动板电连接并输出相位...
    2026-01-01
  • 原子级宽度可调的NiI2纳米带及其制备方法与应用
    原子级宽度可调的NiI2纳米带及其制备方法与应用_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202510941007.1
    本发明公开了一种原子级宽度可调的NiI2纳米带及其制备方法与应用。所述制备方法包括：提供直径为1～2.7nm的单壁碳纳米管，对其进行开口和纯化，得到开口且纯化后的单壁碳纳米管；将包含开口且纯化后的单壁碳纳米管、NiI2粉体的混合物置于真空化...
    2026-01-01
  • 一种用于隧道结自由层的复合结构、隧道结及制备方法
    一种用于隧道结自由层的复合结构、隧道结及制备方法_中国科学院微电子研究所_202511218542.0
    本发明涉及一种用于隧道结自由层的复合结构、隧道结及制备方法，属于半导体器件技术领域，解决了现有的磁存储器能耗高的问题。该复合结构包括惰性金属团簇和铁磁金属，相邻的惰性金属团簇之间相互分离，铁磁金属填充相邻的惰性金属团簇之间相互分离的区域。
    2026-01-01
  • 一种基于斯格明子弹簧振荡器的神经元器件
    一种基于斯格明子弹簧振荡器的神经元器件_晋中学院_202511200952.2
    本发明涉及神经形态计算技术领域，公开了一种基于斯格明子弹簧振荡器的神经元器件，所述神经元器件采用二维纳米结构，包括中部的斯格明子弹簧振荡区和两端的多功能电极区，该基于斯格明子弹簧振荡器的神经元器件依托斯格明子拓扑保护特性，抗干扰能力与可靠性...
    2026-01-01
  • 超导二极管及其制备方法
    超导二极管及其制备方法_北京量子信息科学研究院_202511024740.3
    本申请提出一种超导二极管及其制备方法。制备方法包括：对高温超导约瑟夫森结器件进行调制，包括：将第一电极连接至电源、第二电极和第三电极连接至电压测量装置、第四电极接地；将高温超导约瑟夫森结器件的环境温度降温至低于超导转变温度的预定温度；对第一...
    2026-01-01
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_晶芯成(北京)科技有限公司_202511569345.3
    本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，制造方法包括：在衬底上形成隔离层和对准标记；在隔离层上形成第一金属层、第一抗反射层和第一光阻层；经由所述第一光阻层对所述第一金属层进行刻蚀以形成第一导电层，所述第一导电层的表面被自然氧化形成第一氧化层...
    2026-01-01
  • 一种天然抵抗磁通噪声的频率可调超导量子耦合器
    一种天然抵抗磁通噪声的频率可调超导量子耦合器_中国人民解放军国防科技大学_202511142806.9
    天然抵抗磁通噪声的频率可调超导量子耦合器，超导量子耦合器的组成包括一个DC‑SQUIDs，即包含两个约瑟夫森结组成超导环和调节SQUIDs临界电流的偏置控制线，以及适配于调节耦合参数的电容或电感电路元器件；DC‑SQUIDs是一个平面内环路...
    2026-01-01
  • 一种基于全低温溶液法的高可靠性氧化铪聚乙烯醇忆阻器及其制备方法
    一种基于全低温溶液法的高可靠性氧化铪聚乙烯醇忆阻器及其制备方法_贵州师范大学_202511076414.7
    本发明涉及忆阻器领域，具体涉及一种基于全低温溶液法的高可靠性氧化铪聚乙烯醇忆阻器及其制备方法，本发明包括底电极、顶电极和功能层，功能层位于底电极与顶电极之间，功能层材料包括氧化铪和聚乙烯醇。采用本发明的技术方案，能够全流程≤300℃溶液旋涂...
    2026-01-01
  • 一种基于二硫化钼的垂直结构忆阻器及其制备方法
    一种基于二硫化钼的垂直结构忆阻器及其制备方法_电子科技大学_202511168368.3
    本发明公开了一种基于二硫化钼的垂直结构忆阻器及其制备方法，包括自下而上依次组成的底电极、中间介质层和顶电极，本发明的忆阻器以惰性金属金(Au)为底层电极材料，以化学气相沉积法(CVD)制备的大面积二硫化钼(MoS2)作为中间介质层材料，以活...
    2026-01-01
  • 一种复合薄膜及其制备方法和应用
    一种复合薄膜及其制备方法和应用_武汉科技大学_202511163291.0
    本发明提供了一种复合薄膜，其包括ITO薄膜、SrRuO3单晶氧化物薄膜和SrTiO3单晶氧化物薄膜；所述SrRuO3单晶氧化物薄膜设于所述ITO薄膜表面，并且，所述SrRuO3单晶氧化物薄膜与所述ITO薄膜之间存在欧姆接触界面，所述欧姆接触...
    2026-01-01
  • 相变存储器的相变材料层的蚀刻方法
    相变存储器的相变材料层的蚀刻方法_北京时代全芯存储技术股份有限公司_202511292623.5
    本发明提供一种相变存储器的GST层的蚀刻方法，属于半导体集成电路制造领域。本发明的蚀刻方法包括：积层体形成步骤，在半导体衬底上形成积层体，积层体包括从下至上依次形成的GST层，TiN层，SiN层，ARC层，以及PR层，其中，SiN层的厚度小...
    2026-01-01
  • 电容器结构及其制造方法
    电容器结构及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202410783149.5
    一种电容器结构及其制造方法。所述电容器结构包括基底、第一电极、第一支撑层、第二支撑层、电容介电层以及第二电极。基底具有设置于表面处的导电组件。第一电极包括第一部分以及与所述第一部分连接的第二部分，其中所述第一部分设置于所述导电组件上，且所述...
    2026-01-01
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