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最新专利技术
  • 一种多孔的磁控溅射电致变色薄膜及其制备方法和应用
    一种多孔的磁控溅射电致变色薄膜及其制备方法和应用_浙江大学_202511226376.9
    本发明公开了一种多孔的磁控溅射电致变色薄膜及其制备方法和在制作电致变色储能器件中的应用，可解决目前存在的电致变色薄膜变色的响应时间长、循环稳定性低等问题。制备方法包括：化学浴沉积形成氧化钨前驱体薄膜，氧化钨前驱体薄膜220℃以下烘干后即用于...
    2026-02-26
  • 用于反应器系统的激光器对准夹具
    用于反应器系统的激光器对准夹具_ASMIP私人控股有限公司_202511129227.0
    一种用于反应器系统的激光器对准夹具，可以用于对准反应器系统的部件以允许将薄膜均匀沉积到衬底上。激光器对准夹具可以包括：盖组件；以及多个激光器和传感器组件。激光器对准夹具可以对准至少：流动控制环、基座，以及反应器系统的侧壁。
    2026-02-26
  • 一种薄膜沉积微纳加工装置及工艺
    一种薄膜沉积微纳加工装置及工艺_信阳市谷麦光电子科技有限公司_202511223291.5
    本发明属于薄膜沉积技术领域，尤其公开了一种薄膜沉积微纳加工装置及工艺。加工装置包括沉积箱，所述沉积箱的底部内壁上固定安装有安装台，所述安装台的顶部中心位置转动安装有靶座，所述安装台的底部安装有电机。本发明通过设有喷气清理组件，在靶材使用前，...
    2026-02-26
  • 一种发动机叶片用大功率电子束物理气相沉积的进料系统
    一种发动机叶片用大功率电子束物理气相沉积的进料系统_四川省机械研究设计院(集团)有限公司_202511577584.3
    本发明涉及电子束气相沉积技术领域，具体涉及一种发动机叶片用大功率电子束物理气相沉积的进料系统，包括：转架，转动连接若干工装座，发动机叶片设于工装座上并同步自转；公转组件，包括公转驱动器和公转杆，公转杆连接转架并带动转架公转；自转组件，包括自...
    2026-02-26
  • 可实现原位退火处理的PVD设备及其控制方法
    可实现原位退火处理的PVD设备及其控制方法_浙江晟霖益嘉科技有限公司_202511187556.0
    本发明公开了一种可实现原位退火处理的PVD设备及其控制方法，所述PVD设备包括装载腔、加热除气腔、预清洗腔、工艺腔、中转腔和冷却腔，所述装载腔、加热除气腔、清洗腔、工艺腔和冷却腔围绕中转腔布置，并通过共享真空系统维持基础真空，所述冷却腔中设...
    2026-02-26
  • 聚酰亚胺材料的沉积
    聚酰亚胺材料的沉积_ASMIP私人控股有限公司_202510698812.6
    本公开涉及用于制造半导体器件的方法和装置。更具体地，本公开涉及用于在衬底上沉积聚酰亚胺材料层的方法和装置。该方法包括在反应室中提供衬底，在反应室中提供第一气相前体，以及在反应室中提供第二气相前体。
    2026-02-26
  • 晶圆表面处理方法及等离子体增强原子层沉积设备
    晶圆表面处理方法及等离子体增强原子层沉积设备_浙江求是创芯半导体设备有限公司_202511134522.5
    本申请公开了一种晶圆表面处理方法及等离子体增强原子层沉积设备，晶圆表面处理方法包括如下步骤：加热反应室至第一温度，对晶圆表面进行干燥；通入氩气，对氩气进行电离，生成氩的等离子体；通入含氢气体，对含氢气体进行电离，生成氢的等离子体；待反应室压...
    2026-02-26
  • 沉积掩模以及电子装置或电气装置
    沉积掩模以及电子装置或电气装置_三星显示有限公司_202510680124.7
    提供了一种沉积掩模以及电子装置或电气装置。沉积掩模包括：基底，包括多个单元区域、将多个单元区域分隔的掩模唇缘区域和在多个单元区域外部的外框区域；掩模膜，包括与多个单元区域对应地在基底上的第一无机膜；以及翘曲补偿图案，包括与外框区域对应地在基...
    2026-02-26
  • 新能源汽车电动压缩机核心部件表面梯度强化制备工艺
    新能源汽车电动压缩机核心部件表面梯度强化制备工艺_江苏蒙恩涵能源科技有限公司_202511280770.0
    本发明公开了新能源汽车电动压缩机核心部件表面梯度强化制备工艺，涉及新能源汽车制造领域，该工艺包括以下组成部分：活塞基体预处理、过渡层制备、工作层制备和激光微织构加工；本发明通过多维度的创新技术手段，全面提升了新能源汽车电动压缩机核心部件的性...
    2026-02-26
  • 一种石墨烯-金刚石复合涂层及其制备方法
    一种石墨烯-金刚石复合涂层及其制备方法_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202511605709.9
    本发明公开了一种石墨烯‑金刚石复合涂层及其制备方法，该石墨烯‑金刚石复合涂层的制备方法，包括：对衬底表面进行研磨粗化处理，在粗化后的衬底上超声植晶，然后通过CVD方法形成金刚石涂层；通过磁控溅射方法在金刚石涂层表面沉积一层过渡金属层，所述过...
    2026-02-26
  • 一种新型碳化铬涂层设备及方法
    一种新型碳化铬涂层设备及方法_成都工具研究所有限公司_202511290797.8
    本发明涉及化学气相沉积设备技术领域，公开了一种新型碳化铬涂层设备及方法，其设备包括加热系统、反应沉积系统、气体控制系统、压力控制系统、气体搅拌分散系统和氯化反应罐；所述反应沉积系统包括带压力检测组件与温度检测组件的反应沉积室；所述反应沉积室...
    2026-02-26
  • 一种连续纤维增强陶瓷基复合材料的激光化学气相增材制造设备及其制造方法
    一种连续纤维增强陶瓷基复合材料的激光化学气相增材制造设备及其制造方法_西北工业大学宁波研究院_202510957616.6
    本发明公开了一种连续纤维增强陶瓷基复合材料的激光化学气相增材制造设备及其制造方法；制造方法中，前驱体原料经蒸发与气体混合后送入气相反应腔体，连续激光聚焦于腔体内纤维衬底，实现陶瓷基体的原位沉积；工作台通过多轴移动实现分层构建，逐层沉积制得三...
    2026-02-26
  • 一种提升12寸LTO背封膜厚均一性的方法
    一种提升12寸LTO背封膜厚均一性的方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202510968442.3
    本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种提升12寸LTO背封膜厚均一性的方法，包括以下步骤：(1)加工前将已完成双面抛光加工的硅晶片洗净备用；(2)将硅晶片送入机台进行SiO2成膜反应，反应过程中保证O2充分甚至过量，使SiH4完全反应；...
    2026-02-26
  • 进气系统及炉管设备
    进气系统及炉管设备_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202410685462.5
    本申请公开了一种进气系统及炉管设备，涉及半导体设备技术领域，一种进气系统，包括：第一进气管路；预流管路；第二进气管路，与所述第一进气管路和所述预流管路通过第一管路切换装置连接，所述第一管路切换装置配置为使得所述第二进气管路能够与所述第一进气...
    2026-02-26
  • 进气结构、温度控制方法及半导体设备
    进气结构、温度控制方法及半导体设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410692942.4
    本申请公开了一种进气结构、温度控制方法及半导体，涉及半导体领域。一种进气结构，包括：进气块、顶盘、加热组件和冷却组件，顶盘设在工艺腔室的上盖上，顶盘具有进气通道，且顶盘内设有第一冷却通道；进气块设于顶盘上，且进气块内设有第二冷却通道，进气块...
    2026-02-26
  • 气体分配装置和半导体工艺腔室
    气体分配装置和半导体工艺腔室_北京北方华创微电子装备有限公司_202410693799.0
    本发明公开一种气体分配装置和半导体工艺腔室，所述气体分配装置包括输气组件和装置本体，所述装置本体为环状结构，所述装置本体的第一端口的内径大于所述装置本体的第二端口的内径，所述第一端口与所述第二端口相背，在所述第二端口的中心至所述第一端口的中...
    2026-02-26
  • 喷淋头组件、包括其的半导体处理系统及相关方法
    喷淋头组件、包括其的半导体处理系统及相关方法_ASMIP私人控股有限公司_202510686339.X
    公开了喷淋头组件和包括喷淋头组件的半导体处理系统。所公开的喷淋头组件包括盖、喷淋头板和设置在盖和喷淋头板之间的环形流动环。公开了用于在执行过程时调节进出反应室的气体流的方法。所公开的方法包括将环形流动环定位在第一位置和第二位置处。
    2026-02-26
  • 一种晶圆薄膜沉积工艺及设备
    一种晶圆薄膜沉积工艺及设备_江苏纳沛斯半导体有限公司_202511214866.7
    本发明公开了一种晶圆薄膜沉积工艺及设备，利用ALD技术生长一个超薄、均匀的底层，为后续沉积提供理想的成核表面，然后利用PECVD技术快速沉积主体薄膜，最终通过一个原位等离子体处理步骤来进一步增强薄膜性能。该方法兼具ALD的优异覆盖性和PEC...
    2026-02-26
  • 化学气相沉积法制备TaC涂层用前驱体进料系统及方法
    化学气相沉积法制备TaC涂层用前驱体进料系统及方法_湖南顶立科技股份有限公司_202511553518.2
    本发明公开了一种化学气相沉积法制备TaC涂层用前驱体进料系统及方法。该系统包括内壁均设有保温层且串联连接的前驱体罐、一级缓冲罐和二级缓冲罐，其中，前驱体罐内通过添加导热惰性材料改善前驱体TaCl5粉末的导热均匀性，实现稳定升华；一级缓冲罐内...
    2026-02-26
  • 衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置
    衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置_株式会社国际电气_202510241358.1
    本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。提供能抑制成膜中的规定元素的脱离、将膜中的规定元素维持在所希望组成比率的技术。将包含下述(a)(b)(c)(d)并且在(a)及(b)之后且(d)之前执行(c)的循环执行规...
    2026-02-26
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