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  • 本发明涉及LED技术领域,具体涉及一种改善光提取效率的反极性LED外延片及其制备方法。该反极性LED外延片从下往上依次包括GaAs衬底、缓冲层、腐蚀截止层、N型欧姆接触层、电极保护层、粗化层、第一折射率缓变层、N型限制层、第二折射率缓变层、...
  • 本发明涉及LED封装技术领域,具体提供了一种无机封装的LED显示单元及其封装方法,包括:一次透镜,设置于基板具有焊盘的一侧,焊盘上设置有LED芯片组件,一次透镜设置于LED芯片组件的外部,并与基板固定连接;光窗封盖,包括:侧盖和二次透镜;二...
  • 本发明提供一种边发射Micro‑LED芯片结构,属于光互连技术领域。Micro‑LED芯片结构包括量子阱发光层、氮化镓载流子注入层和衬底组件。氮化镓载流子注入层包括n、p掺杂氮化镓层,n、p掺杂氮化镓层分别电连接于量子阱发光层的相对两侧。衬...
  • 一种用于迷你/微型LED显示器的量子点色彩转换(QDCC)子像素层的制造方法,包括 : 合成具有特定激发颜色的QDCC溶液和具有提高颜色纯度的滤色(CF)溶液;在透明基板上形成QDCC薄膜;使用紫外(UV)激光刻划机对QDCC薄膜进行刻划以...
  • 公开了制造显示装置的方法和电子装置。在制造显示装置的方法中,所述方法包括:提供包括载体晶片和多个发光元件的载体模块;在多个发光元件之间形成平坦化层;在平坦化层上形成透明电极层;检查多个发光元件;以及去除平坦化层和透明电极层。
  • 本发明公开了基于面向高密度LED封装的动态热压整平控制方法及良率提升系统,涉及LED封装技术领域。通过对位预热与选择性热激活形成一个粘塑性流动区域,结合柔性整平装置与LED芯片阵列表面建立接触压力,对锡膏加热至粘塑性流动状态,柔性整平装置对...
  • 本揭示提供一种显示装置。显示装置包括基板、发光单元以及扩散板。发光单元设置在基板上。扩散板设置在发光单元上方且包括基底以及凸部。凸部与基底连接且设置在发光单元与基底之间。凸部包括入光面以及第一侧面。入光面对应于发光单元且连接于第一侧面。在剖...
  • 本发明提供一种高色域LED封装器件及其制作方法,涉及半导体器件技术领域,LED封装器件包括:支架、倒装BG芯片、白胶层、荧光胶层;两倒装BG芯片串联设置在支架上;白胶层设置于支架未被两倒装BG芯片覆盖的区域上;荧光胶层覆盖在白胶层以及两倒装...
  • 本发明提供了一种基于量子点的蓝色microLED显示装置及其驱动方法,旨在提高显示画面的均匀性、降低生产成本和提升显示效果。该装置采用统一尺寸和颜色的蓝色microLED阵列作为基础光源,覆盖量子点膜,量子点膜包含CdZnSeS/ZnS绿色...
  • 本申请涉及一种显示面板及其制备方法。显示面板包括:基板,具有相背的第一表面和第二表面,及连接第一表面和第二表面的第一侧面;第一连接端子,位于第一表面且靠近第一侧面;第二连接端子,位于第二表面且靠近第一侧面;金属镀膜层,至少位于第二连接端子远...
  • 本申请提供一种发光模组,包括:多个第一发光元件和多个第二发光元件间隔设置于基板上,每一第一发光元件用于发射第一光,每一第二发光元件用于发射第二光;多个第一微透镜结构和多个第二微透镜结构设置于基板上,每一第一微透镜结构完全覆盖对应的一第一发光...
  • 本申请公开了Micro‑LED显示器件及其制备方法,该设备包括彼此键合的显示基板和驱动基板,显示基板包括发光外延层和像素电极,发光外延层包括第一半导体层、有源层与第二半导体层,像素电极设置于第一半导体层一侧且与第一半导体层电连接,驱动基板包...
  • 本申请公开了Micro‑LED显示器件及其制备方法,该制备方法包括:提供显示基板,显示基板包括第一基板主体和发光外延层;发光外延层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层,发光外延层背离第一基板主体的一侧设置第一过孔,显示基板包括填充于第一过...
  • 本发明涉及MIP器件技术领域,解决了现有技术中存在单像素MIP器件引脚数量多、屏体对比度低及制造成本高的问题,提供了一种多合一MIP器件及其制备方法,所述制备方法包括:获取待处理的所述基板,在基板的第二表面上沉积形成焊盘和共极线;在第二表面...
  • 本公开涉及显示装置和电子装置。显示装置包括其中设置第一像素和第二像素的显示区域。第一像素和第二像素中的每个包括第一发光区域至第三发光区域。第一光阻挡层设置在显示区域中并且与第二像素对应。多个滤色器设置在第一光阻挡层上。第二光阻挡层设置在滤色...
  • 本发明涉及LED封装结构技术领域,具体为一种高光效LED封装结构以及封装工艺,包括:基板,其特征在于:所述框装支架上开设有密封槽,密封槽中活动插接有密封条,密封条的顶端抵在透明盖板的底端,框装支架上开设有若干组安装槽,透明盖板上固定有若干组...
  • 本发明涉及MIP器件技术领域,解决了现有技术中未针对多合一MIP器件设计专用基板结构,导致难以同时满足高密度互连、低热阻和结构稳定性的问题,提供了一种用于多合一MIP器件的基板结构及其制备方法,所述制备方法包括:在基板本体正面沉积形成正极焊...
  • 本发明公开了一种高效率半透明钙钛矿电池及其制备方法,属于电池技术领域。自上而下,包括封装层、光学调控层、透明顶电极、空穴传输层、界面钝化层、活化层和基底;所述活化层包括300‑500nm的Gua0.05Cs0.05FA0.7MA0.15Pb...
  • 本发明涉及薄膜制备技术领域,具体涉及一种双胍分子修饰宽带隙钙钛矿太阳能电池及其制备方法。电池包括导电玻璃层、空穴传输层、宽带隙钙钛矿吸光层、界面修饰层、电子传输层、电子阻挡层和金属电极。其中,宽带隙钙钛矿吸光层为FA0.8Cs0.2Pb(I...
  • 本发明涉及叠层光伏组件技术领域,具体为一种三结钙钛矿‑钙钛矿‑晶体硅叠层光伏组件及其制备方法,一种三结钙钛矿‑钙钛矿‑晶体硅叠层光伏组件从向光面开始,依次包括透明导电玻璃、第一结钙钛矿子电池、连接层、第二结钙钛矿子电池、阻水阻氧封装层、第三...
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