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最新专利技术
  • SRAM存储单元、静态随机存取存储器及其制备方法
    SRAM存储单元、静态随机存取存储器及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511676034.7
    本发明公开了一种SRAM存储单元、静态随机存取存储器及其制备方法，属于半导体领域，本发明将两个传输栅极晶体管的沟道方向设置为第一方向，两个上拉晶体管的沟道方向设置为第二方向，两个下拉晶体管的沟道方向设置为第三方向，第三方向与第一方向为同族晶...
    2025-12-31
  • SRAM存储单元、SRAM器件及其制备方法
    SRAM存储单元、SRAM器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511676037.0
    本发明公开了一种SRAM存储单元、SRAM器件及其制备方法，属于半导体领域，本发明首先将NMOS和PMOS的有源区分别设置在各自最佳方向上，然后将PMOS进行下沉设置，使得两种晶体管的有源区错开设置以提高散热能力；并且本发明为了制作上述结构...
    2025-12-31
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202410750292.4
    本公开内容涉及用于管理半导体装置中的接触结构的方法、装置、系统和技术。示例性半导体装置包括第一半导体结构。所述第一半导体结构包括：沿第一方向彼此交替的导电层和隔离层的第一堆叠体；沿所述第一方向彼此交替的导电层和隔离层的第二堆叠体；沿所述第一...
    2025-12-31
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202410757552.0
    本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：提供基底结构，所述基底结构包括半导体层和位于所述半导体层中沿第一方向延伸的多个第一沟槽；通过所述第一沟槽对所述半导体层进行第一次离子注入，以在所述第一沟槽的底部形成第一掺...
    2025-12-31
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202410758789.0
    本公开实施例涉及半导体领域，提供了一种半导体结构及其制备方法，包括：衬底，衬底包括存储区和外围区，存储区内设置有位线结构和位于位线结构之间的接触插塞；着陆垫，间隔设置于对应的接触插塞上，并与接触插塞电连接；第一隔离层，位于着陆垫之间，且覆盖...
    2025-12-31
  • 存储器装置与其制造方法
    存储器装置与其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411598193.5
    一种存储器装置的制造方法包括在基板中形成沟槽，形成沿着沟槽的表面的栅极介电层；在沟槽中与栅极介电层上方形成字元线；蚀刻栅极介电层，使得栅极介电层的顶部末端低于基板的顶表面；在栅极介电层的顶部末端上方形成着陆垫；形成介电层，从而覆盖字元线、着...
    2025-12-31
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510774988.5
    一种包括上绝缘层的半导体器件。在单元区域中，上绝缘层可以与单元盖图案接触，在核心区域中，上绝缘层布置为穿透绝缘薄层以与核心盖图案、绝缘间隔物和绝缘薄层中的每个接触。
    2025-12-31
  • 存储器的制备方法、存储器及电子设备
    存储器的制备方法、存储器及电子设备_北京大学_202511119507.3
    本申请提供一种存储器的制备方法、存储器及电子设备，方法包括：在半导体衬底上形成叠层结构，叠层结构包括第一叠层结构、第一隔离结构和第二叠层结构；刻蚀第二叠层结构、第一隔离结构和第一叠层结构，以形成第一凹槽；在第一凹槽内，依次形成第一沟道结构和...
    2025-12-31
  • 存储器的制备方法、存储器及电子设备
    存储器的制备方法、存储器及电子设备_北京大学_202511119816.0
    本申请提供一种存储器的制备方法、存储器及电子设备，方法包括：形成衬底以及衬底上的堆叠结构，其中，堆叠结构包括在第一方向上依次堆叠的第一有源结构和第二有源结构；在衬底上的第一区域内，基于第一有源结构，形成第一存储器；第一存储器包括第一晶体管，...
    2025-12-31
  • 存储器的制备方法、存储器及半导体器件
    存储器的制备方法、存储器及半导体器件_北京大学_202511289097.7
    本申请提供一种存储器的制备方法、存储器及半导体器件。方法包括：在衬底上形成多个堆叠结构，每个堆叠结构包括：在第一方向上依次堆叠的第一有源结构和第二有源结构，第一有源结构相比于第二有源结构远离衬底，第一有源结构和第二有源结构沿第一方向自对准；...
    2025-12-31
  • 一种4F2存储单元、存储器及4F2存储单元的制备方法
    一种4F2存储单元、存储器及4F2存储单元的制备方法_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511308488.9
    本申请涉及存储设备技术领域，公开了一种4F2存储单元、存储器及4F2存储单元的制备方法，该4F2存储单元，包括：衬底；在所述衬底一侧表面沿厚度方向外延生长的半导体材料柱；覆盖所述半导体材料柱表面的中间介质层；覆盖所述中间介质层远离所述衬底一...
    2025-12-31
  • 半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统
    半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统_三星电子株式会社_202510408373.0
    提供了半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置，包括：导电层；堆叠结构，包括在第一方向上堆叠的栅电极，并且堆叠结构在第一区域和与第一区域相邻的第二区域中在第一方向上堆叠；沟道结构，在第一方向上穿透堆叠结构；接触结构，包括穿透...
    2025-12-31
  • 二比特浮栅型分栅闪存器件及其制造方法
    二比特浮栅型分栅闪存器件及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511200931.0
    本发明提供一种二比特浮栅型分栅闪存器件及其制造方法。器件的控制栅包括厚度大于内侧部分的外侧部分，金属硅化物层形成于所述控制栅的所述外侧部分的上表面和外侧面上。该形成方法包括：采用各向同性与各向异性相结合的刻蚀方式，形成所述具有非对称厚度的控...
    2025-12-31
  • 在浮栅闪存工艺中集成非自对准高压CMOS器件的方法
    在浮栅闪存工艺中集成非自对准高压CMOS器件的方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511205371.8
    本发明提供一种在浮栅闪存工艺中集成非自对准高压CMOS器件的方法，该方法包括：提供衬底；形成浮栅材料层；将高压CMOS器件区域内的浮栅材料层图案化，形成具有梯形截面的硬掩膜；利用该硬掩膜对衬底进行倾斜离子注入，以形成轻掺杂漏极区。其中，该梯...
    2025-12-31
  • 应用于闪存器件制作中的工艺方法
    应用于闪存器件制作中的工艺方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511205629.4
    本申请公开了一种应用于闪存器件制作中的工艺方法，包括：在正面氮化物层上形成保护氧化物层，正面氮化物层形成于浮栅多晶硅层上，浮栅多晶硅形成于耦合氧化物层上，耦合氧化物层形成于衬底正表面，衬底背表面上形成有背面氧化物层，背面氧化物层上形成有背面...
    2025-12-31
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202511332568.8
    一种半导体结构及其形成方法，方法包括：以第一掩膜层为掩膜，对栅极材料层进行刻蚀，形成栅极结构对，栅极结构对沿第一方向的一侧与衬底围成第一开口，一栅极结构对包括2个沿第一方向依次排列的栅极结构，一栅极结构对的2个栅极结构之间形成第二开口；在第...
    2025-12-31
  • 半导体装置
    半导体装置_旺宏电子股份有限公司_202410906164.4
    本发明提供一种半导体装置。半导体装置包含基板、在基板上的堆叠结构、介于基板与堆叠结构之间的互连结构、以及贯穿堆叠结构的柱元件。柱元件包含通道层、围绕通道层的存储层与围绕通道层的介电层。介电层与存储层包含不同材料。
    2025-12-31
  • 包含导电触点及支撑结构的存储器装置
    包含导电触点及支撑结构的存储器装置_美光科技公司_202510760157.2
    本申请案涉及包含导电触点及支撑结构的存储器装置。一些实施例包含设备及形成所述设备的方法。所述设备中的一者包含存储器装置，其包含：第一区，其包含与第一层阶的介电材料交错的第一层阶的导电材料，及第一存储器单元，所述第一存储器单元包含延伸穿过所述...
    2025-12-31
  • 一种页缓冲器、存储器、三维存储器和存储器系统
    一种页缓冲器、存储器、三维存储器和存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202511117343.0
    本申请公开了一种页缓冲器、存储器、三维存储器和存储器系统，其中，页缓冲器包括沿第一方向交替排布的第一晶体管区域和第二晶体管区域；所述第一晶体管区域包括沿第二方向排布的至少两个第一子区域，所述第二晶体管区域包括沿第二方向排布的至少两个第二子区...
    2025-12-31
  • 一种三维存储器的叠层结构及其制备方法
    一种三维存储器的叠层结构及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511329564.4
    本申请公开了一种三维存储器的叠层结构及其制备方法，该结构包括：衬底、多个隔离层、多个金属层、沟槽以及存储层；在第一方向上，一个隔离层叠置于衬底的第一侧，隔离层与金属层交替叠置；沟槽沿第一方向贯穿多个金属层与多个隔离层；沟槽侧壁具有位于金属层...
    2025-12-31
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