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最新专利技术
  • 基板搬运系统以及基板搬运方法
    基板搬运系统以及基板搬运方法_川崎重工业株式会社_202480034274.4
    本基板搬运系统(100)具备检测部(43)，该检测部(43)检测由基板搬运机器人(20)搬运的基板(210)和载置基板(210)的基板载置部(30a)中的至少一个。而且，基板搬运系统(100)具备控制部(60)，该控制部(60)通过机器学习...
    2025-12-24
  • 用于对准平板和薄膜框架的装置、系统及方法
    用于对准平板和薄膜框架的装置、系统及方法_捷普有限公司_202480031206.2
    一种用于提供平板元件对准器的装置、系统及方法。实施方式包括：对准器主体；两个相对的滑座，其至少沿彼此平行的第一轴线设置，每个滑座在远离对准器主体的中心点的远端终止于一侧导引件，并且每个滑座沿对准器主体上部的滑槽滑动；两个相对的校正器，其至少...
    2025-12-24
  • 晶片载放台
    晶片载放台_日本碍子株式会社_202380012895.8
    晶片载放台10具备：在上表面具有晶片载放面22的陶瓷板20、以及设置于陶瓷板20的下表面的冷却板。冷却板由热传导率比Al低的材料形成。冷媒流路32的上表面与晶片载放面22之间的长度有长的部位和短的部位而并非恒定。冷媒流路32的流路截面积有小...
    2025-12-24
  • 半导体制造装置用部件、半导体制造装置及半导体制造装置用部件的制造方法
    半导体制造装置用部件、半导体制造装置及半导体制造装置用部件的制造方法_住友大阪水泥股份有限公司_202480028630.1
    一种半导体制造装置用部件，其具有：一对陶瓷板；及被一对陶瓷板夹持的内部电极，陶瓷板包含绝缘性材料和第1导电性材料，内部电极以第2导电性材料及包含在第1导电性材料中的元素为材料，在内部电极中与陶瓷板接触的部分形成有与内部电极的内部相比元素的含...
    2025-12-24
  • 基板夹持装置及包括该基板夹持装置的基板处理装置
    基板夹持装置及包括该基板夹持装置的基板处理装置_PSK控股公司_202480025660.7
    本发明涉及一种基板夹持装置及包括该基板夹持装置的基板处理装置，更详细地，涉及一种基板夹持装置及包括该基板夹持装置的基板处理装置，其分散用于防止基板的翘曲产生的加压力。根据一实施例，可提供一种基板夹持装置，其包括：支撑部，用于支撑基板，夹持环...
    2025-12-24
  • 包括电荷俘获层的载体、包括这种载体的复合衬底以及相关制造方法
    包括电荷俘获层的载体、包括这种载体的复合衬底以及相关制造方法_索泰克公司_202480011958.2
    一种用于复合衬底的载体(Sprt)，该载体(Sprt)包括与基础衬底(BSprt)接触的电荷俘获层(Trap)，该俘获层包括由相对介电常数比二氧化硅低的材料制成的低介电常数层，并且所述相对介电常数比二氧化硅低的材料为SiOC或SIOCH。
    2025-12-24
  • 自对准接触结构及其制造方法
    自对准接触结构及其制造方法_高通股份有限公司_202480030479.5
    公开了一种自对准接触(SAC)及其制造方法。在一方面，一种场效应晶体管(FET)结构包括：沟道，其将第一源极或漏极(S/D)区域连接到第二S/D区域；栅极结构，其包括位于栅极间隔物之间的多层金属栅极，设置在至少部分地围绕沟道的栅极区域上方；...
    2025-12-24
  • 半导体器件的封装结构
    半导体器件的封装结构_长江存储科技有限责任公司_202480000963.3
    描述了封装结构和用于制造封装结构的方法。示例封装结构包括衬底、设置在衬底的第一表面上的芯片、设置在第一表面的角部区域上的角部结构、以及包封芯片的包封结构，其中，包封结构覆盖芯片的表面和衬底的第一表面的延伸超出芯片的第一区域。衬底包括第一材料...
    2025-12-24
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202380098193.6
    本公开的目的在于向设置在绝缘基板的角部正下方的冷却板上的槽可靠地供给接合材料。半导体装置包括绝缘基板和冷却板。绝缘基板对半导体芯片进行保持。冷却板对绝缘基板进行保持。冷却板包含槽。该槽在俯视下沿绝缘基板的周缘部的至少一部分设置。槽包含槽的底...
    2025-12-24
  • 等温晶体管结构
    等温晶体管结构_任耐特公司_202480033470.X
    公开了一种新颖的等温晶体管结构及形成该等温晶体管结构的方法，该等温晶体管结构及方法使得彼此处于热邻近的两个或更多个晶体管能够等温操作。该结构包括在中道工艺或后道工艺过程中制造的至少两个晶体管，并且包括与至少两个晶体管热相邻并且耗散来自至少两...
    2025-12-24
  • 半导体封装膜及其制造方法
    半导体封装膜及其制造方法_三星显示有限公司_202480034568.7
    根据本发明的实施方式的半导体封装膜包括具有链轮孔的基础膜，链轮孔在边缘区域中在第一方向上布置，边缘区域在主区域的周围，其中边缘区域在与第一方向相交的第二方向上与主区域相邻。此外，本发明包括：布置在主区域中的电路线、以及布置在基础膜上并且在边...
    2025-12-24
  • 具有用树脂安装在封装基板的芯的腔中的电子组件的封装基板
    具有用树脂安装在封装基板的芯的腔中的电子组件的封装基板_高通股份有限公司_202480028567.1
    在一方面，公开了一种电子器件，该电子器件包括基板，该基板包括具有上平面表面和下平面表面的芯，其中该芯包括延伸穿过芯的腔；电子组件，其至少部分地被布置在腔中，其中该电子组件具有上平面表面，该上平面表面具有一个或多个电子组件端子；第一经固化树脂...
    2025-12-24
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202480025247.0
    一种半导体装置，具备：基板；第一至第四导电部，设置在基板上；第一晶体管，具有连接于第一导电部的漏极及连接于第二导电部的源极；及第二至第三晶体管，分别具有连接于第二导电部的漏极、连接于第三导电部的源极及连接于第四导电部的栅极；第二导电部包含分...
    2025-12-24
  • 半导体装置以及使用其的电力转换装置
    半导体装置以及使用其的电力转换装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480030451.1
    本发明提供一种在具有基于使用了多个半导体元件的桥电路的电力转换功能的半导体装置中高效率的半导体装置。其特征在于，具备：第一半导体元件和第二半导体元件，其各自的一端相互连接的；第三半导体元件和第四半导体元件，其与所述第一半导体元件以及第二半导...
    2025-12-24
  • 光电器件和用于光学数据通信的系统
    光电器件和用于光学数据通信的系统_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202480034376.6
    本发明涉及光电器件，特别是组合的µ‑LED和µ‑检测器，包括载体基板和布置在载体基板上的半导体层堆叠。半导体层堆叠包括第一层、第二层、第三层、第一层与第二层之间的第一有源区以及第二层与第三层之间的第二有源区。第一层和第二层包括第一导电类型的...
    2025-12-24
  • 正极和包括该正极的全固态电池
    正极和包括该正极的全固态电池_株式会社LG新能源_202480033442.8
    本发明涉及一种包含正极活性材料层的正极和包含该正极的全固态电池，所述正极活性材料层包括正极活性材料、硫化物类固体电解质、导电复合材料和纤维化粘合剂，导电复合材料包括芯部和涂覆部，所述芯部包括碳基导电材料，所述涂覆部位于所述芯部的至少一部分上...
    2025-12-24
  • 非水电解质二次电池
    非水电解质二次电池_松下知识产权经营株式会社_202480033356.7
    提供能够提高非水电解质二次电池的电池容量和输出特性的正极活性物质。该非水电解质二次电池具备正极、负极和非水电解质，正极包含作为正极活性物质的锂过渡金属复合氧化物和通式I所示的磺酸化合物，锂过渡金属复合氧化物相对于除Li以外的金属元素的总摩尔...
    2025-12-24
  • 负极材料和使用其的电池
    负极材料和使用其的电池_松下知识产权经营株式会社_202480033882.3
    本公开的负极材料(1000)具备负极活性物质(111)、硫化物固体电解质(100)和导电助剂(110)。负极活性物质(111)包含锂钒氧化物，负极活性物质(111)的体积与负极活性物质(111)和硫化物固体电解质(100)的合计体积的比率为...
    2025-12-24
  • 二次电池用负极及包括其的锂二次电池
    二次电池用负极及包括其的锂二次电池_SK新能源株式会社_202480034120.5
    根据示例性实施例的二次电池用负极可以包括：负极集流体；第一负极活性物质层，形成在负极集流体的至少一面上，并且包含第一负极活性物质，所述第一负极活性物质包含第一碳基活性物质和第一硅基活性物质中的至少一种；以及第二负极活性物质层，形成在第一负极...
    2025-12-24
  • 负极和包含其的锂二次电池
    负极和包含其的锂二次电池_株式会社LG新能源_202480031862.2
    本申请涉及一种负极，包含负极活性材料层，所述负极活性材料层含有硅系活性材料，其中，定义所述负极活性材料层的彼此相对的第一表面和第二表面之间的距离为总厚度，则基于所述总厚度，当分别在距离所述第一表面对应于总厚度的25%、50%和75%的位置处...
    2025-12-24
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