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最新专利技术
  • 功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法
    功率半导体器件和制造功率半导体器件的方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202511319641.8
    一种制造功率半导体器件的方法，包括：提供半导体本体，其中半导体本体具有前侧，该前侧具有在半导体本体的有源区和边缘终止区(1‑3)二者上方的基本水平的区域；在前侧(110)处，在有源区(1‑1)和边缘终止区(1‑3)二者上方形成(20)第一绝...
    2026-04-17
  • 包括具有场控制区的基底衬底的绝缘体上半导体器件
    包括具有场控制区的基底衬底的绝缘体上半导体器件_英飞凌科技奥地利有限公司_202511317899.4
    本发明涉及包括具有场控制区的基底衬底的绝缘体上半导体器件，该绝缘体上半导体器件包括：基底衬底(110)，其具有第一导电类型的背景掺杂，其中，互补的第二导电类型的场控制区(250)从前表面(111)延伸到基底衬底(110)中，并且其中，场控制...
    2026-04-17
  • 半导体器件的元胞结构、制备方法和半导体器件
    半导体器件的元胞结构、制备方法和半导体器件_珠海格力电子元器件有限公司_202511901606.7
    本申请提供了一种半导体器件的元胞结构、制备方法和半导体器件，包括：基底，包括衬底和外延层，外延层位于衬底的一侧，基底具有第一掺杂类型；电流扩展层位于外延层背离衬底的一侧；多个第一掺杂区，间隔的位于电流扩展层中，第一掺杂区具有第二掺杂类型；多...
    2026-04-17
  • 超结器件
    超结器件_深圳尚阳通科技股份有限公司_202511936382.3
    本发明公开了一种超结器件，至少在有源区中形成有超结结构，器件单元结构形成于有源区中，各器件单元结构包括栅极单元结构且各栅极单元结构一起组成二维网状栅极结构。二维网状栅极结构且包括多个第一方向延伸的平行排列的第一栅极条形，各相邻的第一栅极条形...
    2026-04-17
  • 超结器件
    超结器件_深圳尚阳通科技股份有限公司_202511936384.2
    本发明公开了一种超结器件，有源区中的器件单元结构的栅极单元结构一起组成二维网状栅极结构。二维网状栅极结构且包括多个第一方向延伸的平行排列的第一栅极条形，第一栅极条形之间的第一栅间隔区中形成有多个第二栅极段和位于各第二栅极段之间的网格区，各器...
    2026-04-17
  • 沟槽型超结器件及其制备方法
    沟槽型超结器件及其制备方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511943079.6
    本发明提供一种沟槽型超结器件及其制备方法，包括对第一外延层进行刻蚀以形成深沟槽，以及在深沟槽内填充第二外延层以形成超结结构的步骤，其中，在深沟槽的形成过程中，需要利用沉积硬掩膜层来进行深沟槽图案的转移，在深沟槽形成之后，以及在第二外延层填充...
    2026-04-17
  • 一种兼具低导通电阻与低热阻的SiC功率器件及制备工艺
    一种兼具低导通电阻与低热阻的SiC功率器件及制备工艺_扬州杰冠微电子有限公司_202610138923.6
    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种兼具低导通电阻与低热阻的SiC功率器件及制备工艺。包括从下往上依次设置的N+衬底和N‑外延层；所述N‑外延层上设有：JFET区，设有多个，分别从所述N‑外延层顶面向下延伸，所述JFET区向下延伸的深度小...
    2026-04-17
  • 具有场板结构的半导体器件
    具有场板结构的半导体器件_英飞凌科技奥地利有限公司_202511376310.8
    公开了具有场板结构的半导体器件，其包括基板(100)、绝缘体层(120)和场板结构(200)。基板(100)具有第一导电类型的背景掺杂和与第一导电类型互补的第二导电类型的第一掺杂区(170)。绝缘体层(120)形成在基板(100)的主表面(...
    2026-04-17
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_上海光通信有限公司_202411299401.1
    本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底具有金属栅极沟槽，所述金属栅极沟槽的底部和侧壁具有功函数层；在所述功函数层上形成扩散阻挡层，包括：采用物理气相沉积工艺并使负偏压功率小于预设功率，以在所述金属栅极沟槽的...
    2026-04-17
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_荣芯半导体(淮安)有限公司_202511792792.5
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法, 制造方法包括：提供衬底，衬底中形成有浅沟槽隔离结构；在衬底上形成栅氧材料层，其覆盖衬底的表面及浅沟槽隔离结构的表面；在栅氧材料层上形成图案化的掩膜层，其覆盖的栅氧材料层作为第一栅氧层，刻蚀露出的栅氧材...
    2026-04-17
  • 金属栅极的形成方法及金属栅极
    金属栅极的形成方法及金属栅极_海光云芯集成电路设计(上海)有限公司_202511958512.3
    本发明提供一种金属栅极的形成方法，包括：在基底和多晶硅伪栅的表面沉积氮化硅，形成接触蚀刻停止层；在接触蚀刻停止层上第一次沉积二氧化硅，形成层间介质，基底上TSV净空区上方的层间介质形成有凹陷；在凹陷处填充光刻胶，所填充的光刻胶覆盖TSV净空...
    2026-04-17
  • 半导体元件
    半导体元件_鸿海精密工业股份有限公司_202411330015.4
    一种半导体元件包括基材结构、源极结构、漏极结构以与栅极结构。源极结构、漏极结构以与栅极结构位于基材结构的半导体层上方且沿着第一方向排列。栅极结构位于源极结构与漏极结构之间。漏极结构包括多个第一岛状结构与多个第二岛状结构沿着第二方向交替地排列...
    2026-04-17
  • 半导体元件
    半导体元件_鸿海精密工业股份有限公司_202411330312.9
    一种半导体元件包括基材结构、源极结构、漏极结构及栅极结构。源极结构、漏极结构及栅极结构位于基材结构上方且沿第一方向排列。漏极结构包括多个第一电极单元与多个第二电极单元沿第二方向交替地排列。第二方向与第一方向实质上垂直。每个第一电极单元包括p...
    2026-04-17
  • 半导体元件
    半导体元件_鸿海精密工业股份有限公司_202411332468.0
    一种半导体元件包括基材结构、源极结构、漏极结构以与栅极结构。基材结构包括半导体层。源极结构、漏极结构以与栅极结构位于基材结构的半导体层上方且沿着第一方向排列。栅极结构位于源极结构与漏极结构之间。漏极结构包括多个第一岛状结构与多个第二岛状结构...
    2026-04-17
  • 半导体元件
    半导体元件_鸿海精密工业股份有限公司_202411332705.3
    一种半导体元件包括基材结构、源极结构、漏极结构以与栅极结构。源极结构、漏极结构以与栅极结构位于基材结构的半导体层上方且沿着第一方向排列。栅极结构位于源极结构与漏极结构之间。漏极结构包括多个第一电极单元与多个第二电极单元沿着第二方向交替地排列...
    2026-04-17
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202411328987.X
    一种显示面板，该显示面板包括栅极部、源极部和漏极部，漏极部沿列方向位于源极部的两侧，漏极部在衬底基板上的正投影的面积变小，因此漏极部的电容减小。夹在两个漏极部中间的源极部的两端均沿行方向延伸至超出栅极部的边沿，即使源极部相对于栅极部在行方向...
    2026-04-17
  • 一种栅氧结构和半导体器件
    一种栅氧结构和半导体器件_湖南大学_202511575772.2
    本发明公开了一种栅氧结构和半导体器件，该栅氧结构包括半导体层和栅极，所述半导体层为n型SiC或氢终端金刚石衬底，还包括介电层，所述介电层包括BeO层，所述BeO层的一个表面与所述栅极连接，所述BeO层相对的另一个表面包括O终端；所述BeO层...
    2026-04-17
  • 半导体器件
    半导体器件_重庆奕能科技有限公司_202610062867.2
    本申请公开了一种半导体器件，包括：外延层；多个沟槽栅结构；源区；体区；遮蔽层，包括多个第一屏蔽区，所述多个第一屏蔽区呈阵列排布，所述阵列排布的第一屏蔽区至少部分地位于所述沟槽栅结构下方和/或两侧。本申请在沿第一方向延伸的沟槽下方形成多个呈阵...
    2026-04-17
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511922368.8
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：基底，包括衬底和外延层，外延层位于衬底的一侧，基底具有第一掺杂类型；多个掺杂区，间隔的位于外延层中，且掺杂区背离衬底的一侧表面位于外延层背离衬底的一侧表面中，掺杂区具有第二掺杂类型；多...
    2026-04-17
  • 一种混合拓扑功率模块
    一种混合拓扑功率模块_斯达半导体股份有限公司_202511995028.8
    本发明涉及功率半导体封装与电力电子变换技术领域，具体涉及一种混合拓扑功率模块，包括散热基板、外壳、绝缘基板、功率端子、碳化硅芯片及硅基功率芯片组。碳化硅芯片位于桥式拓扑的外管位置，发挥其高频低损耗优势以提升效率和功率密度；硅基功率芯片组位于...
    2026-04-17
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