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最新专利技术
  • 一种小儿腹泻辅助加热治疗装置
    一种小儿腹泻辅助加热治疗装置_咸阳市中心医院_202510284030.8
    本发明公开一种小儿腹泻辅助加热治疗装置，包括：箱体、翻盖、影音播放组件、头部限位组件、足部限位组件、加热组件与按摩组件；由所述头部限位组件，所述足部限位组件组合滑动，再配合现有技术中的约束带使用，固定小儿身体；通过设置所述影音播放组件，为小...
    2026-02-02
  • 一种AI人形可视化智能髋关节精确角度仪
    一种AI人形可视化智能髋关节精确角度仪_佛山复星禅诚医院有限公司_202510281968.4
    本发明公开了一种AI人形可视化智能髋关节精确角度仪，所述角度仪用于监测患者髋关节活动时的角度，通过人体骨骼点检测技术，主要是根据骨骼点坐标，把该设备穿戴在患者身上，患者进行自身运动时的髋关节角度变化转接到AI人形图像上，通过手机可视化显示自...
    2026-02-02
  • 一种防治豇豆根腐病的杀菌组合物
    一种防治豇豆根腐病的杀菌组合物_广西壮族自治区农业科学院_202510284442.1
    本发明属于豇豆病害防治技术领域，具体涉及一种防治豇豆根腐病的杀菌组合物。一种杀菌组合物，所述杀菌组合物由植物精油与第二活性成分复配而成，所述植物精油为金银花精油，第二活性成分为小檗碱硫酸盐或双炔酰菌胺。本发明将金银花精油与小檗碱硫酸盐或双炔...
    2026-02-02
  • 一种邻苯二甲醛消毒液
    一种邻苯二甲醛消毒液_上海利康生物高科技有限公司_202510285550.0
    本发明涉及一种邻苯二甲醛消毒液，其组分及其重量百分含量如下：邻苯二甲醛0.1‑1wt％；多元酸盐10‑30wt％；抗氧化剂0.01‑0.05wt％；阻聚剂0.005‑0.05wt％；缓释剂0.1‑0.5wt％；余量为水。本发明的邻苯二甲醛消...
    2026-02-02
  • 离体动物器官的灌注装置及灌注方法
    离体动物器官的灌注装置及灌注方法_上海交通大学医学院附属仁济医院_202510284681.7
    本发明的实施例涉及一种医疗设备，特别涉及一种离体动物器官的灌注装置及灌注方法，灌注装置包括：加热及收纳模组、灌注模组和主控模块；加热及收纳模组用于盛放离体动物器官和灌注液，并对盛放的离体动物器官进行加热；灌注模组用于向加热及收纳模组内的灌注...
    2026-02-02
  • 一种植物保护用灭虫装置
    一种植物保护用灭虫装置_陕西开放大学(陕西工商职业学院)_202510283727.3
    本发明提供的一种植物保护用灭虫装置，涉及灭虫装置技术领域，包括外壳组件，所述外壳组件的下端安装有风力产生组件，且风力产生组件包括风机和风叶，且风机的输出端连接有风叶，所述外壳组件的上方设置有安装组件，且外壳组件的内部安装有灭杀组件，且灭杀组...
    2026-02-02
  • 一种降低冬闲稻田马铃薯涝害的方法
    一种降低冬闲稻田马铃薯涝害的方法_常德市农林科学研究院_202510283146.X
    本发明公开了一种降低冬闲稻田马铃薯涝害的方法，涉及马铃薯栽培技术领域，其技术要点为：包括以下步骤：步骤S1、机械浅耕：播前1个月择晴天机械浅翻20cm耕层土晒田，碎土；步骤S2、整地起垄：小型田园管理机开沟起垄，垄高5‑10cm，垄面宽70...
    2026-02-02
  • 植物工厂集成环境控制设备
    植物工厂集成环境控制设备_四维生态科技(杭州)有限公司_202510284850.7
    本发明公开了一种植物工厂集成环境控制设备，涉及植物工厂技术领域，其中，植物工厂集成环境控制设备，包括机体、流通通道内的蒸发器部与换热器部；本发明的技术方案通过在流通通道内间隔设置蒸发器部与换热器部，在风机墙输出动力且抽离植物工厂内的气体时，...
    2026-02-02
  • 一种用于割草机的电启动机构及园林设备
    一种用于割草机的电启动机构及园林设备_宁波领越智能设备有限公司_202510282724.8
    本发明涉及一种用于割草机的电启动机构及园林设备，电启动机构包括安装板、电池仓、电池包、控制器、启动电机、制动器和启动开关；安装板安装在割草机背部，电池仓卡接在安装板，电池包插接在电池仓内，控制器与电池包之间通过电池仓电性连接，启动电机和制动...
    2026-02-02
  • 一种便于图像采集的种子发芽能力的检测装置
    一种便于图像采集的种子发芽能力的检测装置_湖北金广农业科技有限公司_202510283212.3
    本发明公开了一种便于图像采集的种子发芽能力的检测装置，包括检测箱、图像采集部和培养皿槽，所述检测箱内设置有向上可拆卸的螺旋水肥箱，该螺旋水肥箱和检测箱转动连接，螺旋水肥箱的螺旋上面上设置有若干个沿着螺旋方向均匀分布的培养皿槽，该培养皿槽的底...
    2026-02-02
  • 一种基于植物生命周期的小叶章退化湿地修复技术
    一种基于植物生命周期的小叶章退化湿地修复技术_黑龙江省科学院自然与生态研究所_202510285600.5
    一种基于植物生命周期的小叶章退化湿地修复技术，属于小叶章退化湿地修复技术领域。本发明通过在小叶章返青期、开花结实期和根茎芽分化期施用不同浓度的腐殖酸，并结合补水措施，促进其生长、种子成熟和芽分化。本发明的有益效果：1、生态兼容性好：根据小叶...
    2026-02-02
  • 一种N型掺杂的碳纳米管、碳纳米管MOSFET器件及制备方法
    一种N型掺杂的碳纳米管、碳纳米管MOSFET器件及制备方法_南京大学_202510288500.8
    本发明公开了一种N型掺杂的碳纳米管、碳纳米管MOSFET器件及制备方法，属于半导体技术领域。上述N型掺杂的碳纳米管为在碳纳米管内部填充功函数低于碳纳米管的金属材料，上述碳纳米管MOSFET器件包括衬底、半导体层、栅介质层、源极、漏极和栅极，...
    2026-02-02
  • 一种速率检测的晶振结构及方法
    一种速率检测的晶振结构及方法_湖畔光芯半导体(江苏)有限公司_202510286648.8
    本发明适用于晶振检测技术领域，提供了一种速率检测的晶振结构及方法，所述速率检测的晶振结构包括底托，所述底托上设置有用于放置晶振检测片的承载机构；以及用于对承载机构上的晶振检测片进行按压的柔性连接结构，所述柔性连接结构上连接有导线，本发明能够...
    2026-02-02
  • 一种显示面板及显示装置
    一种显示面板及显示装置_厦门天马显示科技有限公司_202510292949.1
    本发明实施例公开了一种显示面板及显示装置，该显示面板包括显示区；显示面板还包括：第一衬底、像素驱动电路、像素电路、信号传输层以及驱动结构；信号传输层包括多条信号传输走线；像素驱动电路和像素电路均位于显示区，且像素电路位于像素驱动电路远离第一...
    2026-02-02
  • 一种氮化镓基红光发光二极管及其制备方法
    一种氮化镓基红光发光二极管及其制备方法_东莞市宇腾半导体科技有限公司_202510290610.8
    本发明属于半导体光电子技术领域，提供了一种氮化镓基红光发光二极管及其制备方法，所述氮化镓基红光发光二极管的外延结构从下至上依次为：蓝宝石衬底、低温GaN成核层、高温非掺杂GaN缓冲层、n型GaN层、复合应力释放层、Inx
    2026-02-02
  • 氧化铝氮化硅叠层钝化薄膜及其制备方法、晶体硅电池
    氧化铝氮化硅叠层钝化薄膜及其制备方法、晶体硅电池_常州比太科技有限公司_202510286476.4
    本发明属于晶体硅太阳能电池边缘钝化薄膜技术领域，具体涉及一种氧化铝氮化硅叠层钝化薄膜及其制备方法、晶体硅电池，包括如下步骤：步骤S1，对电池片进行切割并堆叠使电池分片的切割面处于同一平面；步骤S2，将电池分片真空预热处理；步骤S3，依次引入...
    2026-02-02
  • 栅槽结构、晶体管及其制造方法
    栅槽结构、晶体管及其制造方法_烟台睿创微纳技术股份有限公司_202510290423.X
    本申请提供一种栅槽结构、晶体管及其制造方法，栅槽结构包括依次叠加设置的衬底、外延层和叠加介质层；叠加介质层上开设有栅槽，栅槽远离衬底一侧的宽度大于靠近衬底一侧的宽度，且栅槽贯穿整个叠加介质层；叠加介质层包括叠加设置的至少两个薄膜层，且各薄膜...
    2026-02-02
  • Fin FET结构及其制备方法
    Fin FET结构及其制备方法_上海积塔半导体有限公司_202510294054.1
    本发明提供一种Fin FET结构及其制备方法，通过先采用外延工艺于衬底上形成整面的有源层，相较于现有技术中在沟槽内外延形成有源层，整面的有源层的外延质量较高，外延形貌也不会受到沟槽的影响，从而使有源层具有较高的双轴内应力，然后采用光刻刻蚀工...
    2026-02-02
  • 一种二维场效应晶体管的极性调控方法
    一种二维场效应晶体管的极性调控方法_东南大学_202510290425.9
    本发明公开了一种二维场效应晶体管的极性调控方法，在旋涂光刻胶前，利用氧等离子体处理沟道材料表面，使第一极性场效应晶体管变为第二极性场效应晶体管；其中，所述第一极性场效应晶体管为n型场效应晶体管；所述第二极性场效应晶体管为双极性场效应晶体管或...
    2026-02-02
  • IGBT器件及其制备方法
    IGBT器件及其制备方法_上海积塔半导体有限公司_202510293905.0
    本发明涉及一种IGBT器件及其制备方法。所述IGBT器件的制备方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括初始衬底和位于所述初始衬底的正面上的正面器件结构；自所述初始衬底的背面注入第一离子注入深度的第一掺杂离子至所述初始衬底内，经第一退火处理后...
    2026-02-02
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