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  • 本公开涉及一种散热器及其设计方法、散热模组和电子设备, 该方法包括:获取待散热芯片的温度分布图;根据温度分布图获取待散热芯片的第一温度区和第二温度区;其中, 第一温度区的温度大于第二温度区的温度;根据第一温度区和第二温度区设计散热器的第一冷...
  • 一种封装结构以及封装结构的形成方法, 在封装结构通过在导热块顶部和芯片顶部形成散热结构, 还使得芯片顶部产生的热量能够直接被散热结构吸收和传导, 更重要的是, 导热块从芯片侧壁吸收并传导至其顶部的热量, 也能够汇入散热结构中, 也就是说芯片...
  • 本发明涉及QFN封装相关技术领域, 具体为QFN封装结构及其制造方法, 包括封装结构主体、散热片和引脚, 封装结构主体用于对芯片结构进行封装, 封装结构主体的下侧面预留有散热片安装槽, 且封装结构主体的侧边及下侧面的边缘处预留有引脚安装槽,...
  • 本发明公开了一种具有局部散热通道的二极管限幅器及其制备方法, 涉及二极管增幅器技术领域。本发明提供的二极管限幅器, 目的在于提供一种散热能力强、耐功率水平高的二极管限幅器。本发明在限幅器局域热点二极管正下方的衬底上刻蚀出局部散热通道, 在局...
  • 本发明公开一种半导体模块, 包括:多层绝缘基板, 利用相互绝缘的两层以上的金属层和形成为供一个以上的第一半导体部件插入的插入槽构成, 并通过在金属层夹设接合层而使一个以上的第一半导体部件的一表面或另一表面电连接;绝缘材料, 在插入槽内包围第...
  • 本申请实施例提供了一种封装结构和电子设备, 涉及电子设备技术领域。其中, 封装结构包括基板、多层芯片和散热组件。多层芯片层叠设置在基板上。散热组件包括第一散热层、第二散热层和连接部, 第一散热层设于多层芯片中至少一层芯片的靠近基板的一侧, ...
  • 本发明实施例提供了一种晶上系统的封装结构及其制作方法, 涉及系统级超大封装的技术领域。其中, 该封装结构包括:转接板, 背面设置有微通道沟槽、密封结构, 正面设置有第一金属布线层;第一散热模块, 与所述微通道沟槽连通, 以循环冷却液;至少一...
  • 公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括:层间绝缘层, 设置在基底上;多个中部互连件, 设置在层间绝缘层中;垫, 设置在层间绝缘层上;上部互连件, 设置在层间绝缘层上;保护绝缘层, 覆盖垫的边缘、上部互连件以及垫与上部互连件之间的水平的间隙...
  • 本发明提供的塑封芯片封装方法及塑封芯片封装结构, 其包括基板, 基板上沿第一方向依次设置有第一芯片、中间芯片及第二芯片;中间芯片的至少一引脚通过第一引线与第一芯片电连接, 第一芯片通过第二引线与基板电连接;中间芯片的至少另一引脚通过第三引线...
  • 本发明提供一种功率模块。功率模块可以具备:绝缘基板;第一功率半导体, 搭载于绝缘基板;第一导体, 在俯视时至少一部分与第一功率半导体重叠, 与第一功率半导体的第一端子电连接, 沿着绝缘基板的面在第一方向上延伸;电流传感器, 以在俯视时至少一...
  • 封装内的管芯和模制材料上方的气密层。本文中的实施例涉及用于在半导体封装内施加气密层以防止或减轻湿气跨材料的层的迁移的系统、装置或过程。在实施例中, 气密层可以包括氮化物并且可以是介电层。气密层可以被放置在由填充材料围绕的一个或多个管芯的顶部...
  • 本发明公开一种整合式封装结构, 包含集成电路封装结构及电感元件。集成电路封装结构包含基板、芯片、接线端子及包覆材料。芯片设置于基板上, 以倒装封装方式与基板连结, 其中芯片的背部朝上。接线端子设置于基板上。包覆材料包覆于基板上, 且暴露芯片...
  • 本申请实施例提供一种封装模组和基站, 封装模组包括封装载板, 设置在所述封装载板上的半导体衬底, 设置在所述半导体衬底上的功放电路和环行器, 以及包覆所述封装载板、所述半导体衬底、所述功放电路和所述环行器的塑封体, 所述功放电路与所述环行器...
  • 本申请提供了一种芯片、电子组件和电子设备, 该电子组件包括芯片和电路板。芯片朝向电路板的表面包括中心区域和边缘区域, 边缘区域位于中心区域的周侧, 上述边缘区域位于中心区域朝向边缘的一侧。上述芯片的边缘区域通过第一焊点与电路板连接, 中心区...
  • 本发明涉及包括叠置件的部件承载件、用于制造部件承载件的方法以及包括部件承载件的封装件, 其中, 叠置件包括电传导层结构和阻焊层结构, 电传导层结构和阻焊层结构沿叠置方向布置。阻焊层结构包括至少一个开口, 至少一个电传导层结构的部分通过至少一...
  • 本发明属于晶圆切割技术领域, 公开了一种晶圆的激光切割方法, 包括以下步骤:在晶圆的正面依次涂覆保护胶和保护液, 得到晶圆A;将晶圆A的背面贴在UV膜上, 然后进行激光切割, 得到晶圆B;对晶圆B进行第一水流冲洗, 得到晶圆C;对晶圆C进行...
  • 本发明抑制扩展后的芯片布局的破坏。本发明的一方式的扩展环, 其周缘固定于环状部件并对粘贴有晶圆的片材施加张力以将所述片材拉伸, 扩展环包括:环主体, 外径比所述环状部件的内径小;以及唇部, 从所述环主体的外周上缘朝向外侧下方延伸设置, 并且...
  • 描述了具有保护环结构的半导体装置。在一些实例中, 半导体装置(201)包含半导体衬底(209)、所述半导体衬底(209)上方的III‑N层(210)。所述III‑N层(210)延伸越过所述半导体衬底(209)的装置区(202)。所述半导体装...
  • 本公开涉及一种具有高电压稳健性的集成电路IC。一种半导体装置(300)包括:半导体衬底(301), 其具有第一切割侧(309A)和相对的第二切割侧(309B);电路(305), 其形成于所述半导体衬底(301)中或上方位于所述第一切割侧(3...
  • 本发明公开了一种减少晶圆崩边的分离方法, 首先, 使用激光光束对晶圆的正面进行激光切割操作, 切割深度小于所述晶圆的厚度, 然后在晶圆的正面的非切割区域形成第一掩膜, 并在晶圆的背面形成第二掩膜, 从而对晶圆进行保护, 避免了后续的湿法刻蚀...
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