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最新专利技术
  • 多芯片高密度连接的光刻技术实现方法
    多芯片高密度连接的光刻技术实现方法_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202510840451.4
    本申请公开了多芯片高密度连接的光刻技术实现方法、芯片级芯片互连方法、掩膜版线条的制作方法以及光刻设备， 光刻技术实现方法包括：选择第一掩膜版通过第二对准标记与第一原有图形单元对准曝光， 将第一掩膜版图形转移到第一曝光区域；将衬底纵向移动M倍...
    2026-01-23
  • 多芯片高密度连接光刻技术的实现方法
    多芯片高密度连接光刻技术的实现方法_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202510840039.2
    本申请公开了多芯片高密度连接光刻技术的实现方法、用于多芯片互连的光刻技术的实现方法、芯片级芯片互连方法、掩膜版线条的制作方法以及光刻设备， 多芯片高密度连接光刻技术的实现方法包括：选择第一掩膜版通过第二对准标记与第一M×N芯片组中第一原有图...
    2026-01-23
  • 晶圆承载台升降系统与升高晶圆承载台的方法
    晶圆承载台升降系统与升高晶圆承载台的方法_利易达半导体设备股份有限公司_202510253596.4
    本发明涉及一种晶圆承载台升降系统与升高晶圆承载台的方法， 特别是在半导体微影工艺中实现晶圆与光罩精确对齐的系统和方法。该系统包括一晶圆承载台、一光罩承载台、多个线性致动器与测距仪、及一控制器。晶圆承载台用于承载晶圆， 光罩承载台用于承载光罩...
    2026-01-23
  • 一种曝光镜头装置的曝光剂量控制方法
    一种曝光镜头装置的曝光剂量控制方法_源卓微纳科技(苏州)股份有限公司_202410419911.1
    本发明涉及一种曝光镜头装置的曝光剂量控制方法， 所述曝光镜头装置包括依次设置的激光器、数字微镜器件(DMD)和镜头， 数字微镜器件(DMD)包括可根据加工图形变化的工作区域和阻挡光穿过镜头的非工作区域， 通过设置工作区域或者非工作区域的面积...
    2026-01-23
  • 模型的建立方法及系统、版图修正方法、设备及存储介质
    模型的建立方法及系统、版图修正方法、设备及存储介质_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410418609.4
    一种模型的建立方法及系统、版图修正方法、设备及存储介质， 建立方法包括：提供多个测试图形；对测试图形进行实际曝光， 获得实际曝光图形；获取测试图形在实际曝光过程中的光学特性参数；沿实际曝光图形进行刻蚀， 获得实际刻蚀图形；根据实际刻蚀图形和...
    2026-01-23
  • 一种真空吸盘、涂胶显影设备及其控制方法
    一种真空吸盘、涂胶显影设备及其控制方法_华为技术有限公司_202410404788.6
    本申请实施例公开了一种真空吸盘、涂胶显影设备及其控制方法， 涉及半导体设备技术领域， 减小了现有后道制程中显影液对晶背边缘产生损伤的问题。该真空吸盘具有第一盘面。真空吸盘内形成有真空通道和喷气通道， 真空通道用于与抽真空设备连通。并且， 真...
    2026-01-23
  • 套刻偏差测量结构及方法
    套刻偏差测量结构及方法_江苏卓胜微电子股份有限公司_202410391681.2
    本申请公开了一种套刻偏差测量结构及方法， 属于半导体技术领域。该套刻偏差测量结构包括：衬底， 包括有源区， 所述有源区包括沟道区， 以及位于所述沟道区沿第一方向相对两侧的源漏极区；栅极结构， 位于所述沟道区上；电极结构， 位于所述衬底上且沿...
    2026-01-23
  • 光刻胶高速旋涂均匀性优化方法
    光刻胶高速旋涂均匀性优化方法_华虹半导体制造(无锡)有限公司_202510809921.0
    本发明提供一种光刻胶高速旋涂均匀性优化方法， 包括：向旋涂腔体内通入氮气， 以在旋涂腔体内形成氮气环境；在氮气环境下， 对涂覆有光刻胶的晶圆进行旋涂， 并控制旋涂的转速， 使得基于氮气环境计算的雷诺数低于预设的湍流临界雷诺数；以及在旋涂过程...
    2026-01-23
  • 薄膜形成装置及包括其的基板处理装置
    薄膜形成装置及包括其的基板处理装置_细美事有限公司_202510283692.3
    本发明公开了一种薄膜形成装置及包括其的基板处理装置。基板处理装置可以包括第一处理部和第二处理部。所述第一处理部可以包括薄膜形成部和厚度调整部。所述薄膜形成部可以在所述基板的上表面形成具有均匀的厚度的薄膜， 并且所述厚度调整部可以调整所述薄膜...
    2026-01-23
  • 一种光致产酸剂的制备方法
    一种光致产酸剂的制备方法_湖北乐仕电子材料有限公司_202510869985.X
    本发明涉及一种光致产酸剂的制备方法， 属于光致产酸剂制备技术领域， 包括包括以下步骤：S1、中间体合成；S2、光致产酸剂混合；S3、光致产酸剂反应；S4、光致产酸剂分离；S5、光致产酸剂二次反应；S6、光致产酸剂纯化。该光致产酸剂的制备方法...
    2026-01-23
  • 抗蚀剂组成物及图案形成方法
    抗蚀剂组成物及图案形成方法_信越化学工业株式会社_202510406146.4
    本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题是提供在使用高能射线的光学光刻中， 感度及分辨率优良的非化学增幅抗蚀剂组成物， 以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物， 含有：下式(1)表示的超原子价...
    2026-01-23
  • 抗蚀剂图案形成方法
    抗蚀剂图案形成方法_信越化学工业株式会社_202510398331.3
    本发明涉及抗蚀剂图案形成方法。本发明提供抗蚀剂图案形成方法；使用非化学增幅抗蚀剂组成物， 将曝光后的抗蚀剂膜用干蚀刻进行显影形成正型或负型的抗蚀剂图案， 该非化学增幅抗蚀剂组成物在使用高能射线的光学光刻中， 感度及极限分辨率优良。一种抗蚀剂...
    2026-01-23
  • 抗蚀剂图案形成方法
    抗蚀剂图案形成方法_信越化学工业株式会社_202510397817.5
    本发明涉及抗蚀剂图案形成方法。本发明提供抗蚀剂图案形成方法；使用非化学增幅抗蚀剂组成物， 将曝光后的抗蚀剂膜利用干蚀刻进行显影来形成正型或负型的抗蚀剂图案， 该非化学增幅抗蚀剂组成物在使用高能射线的光学光刻中， 感度及极限分辨率优良。一种抗...
    2026-01-23
  • 抗蚀剂组成物及图案形成方法
    抗蚀剂组成物及图案形成方法_信越化学工业株式会社_202510397812.2
    本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题是提供在使用高能射线的光学光刻中， 感度及分辨率优良的非化学增幅抗蚀剂组成物， 以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物， 含有：下式(1)表示的超原子价...
    2026-01-23
  • 抗蚀剂组成物及图案形成方法
    抗蚀剂组成物及图案形成方法_信越化学工业株式会社_202510388329.8
    本发明涉及抗蚀剂组成物及图案形成方法。本发明的课题为提供在使用高能射线的光学光刻中， 感度、分辨度及LWR优良、稳定且操作也容易的抗蚀剂组成物， 以及提供使用该抗蚀剂组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂组成物， 含有由金属原子...
    2026-01-23
  • 一种感光干膜及制备方法
    一种感光干膜及制备方法_江苏双星彩塑新材料股份有限公司_202411729274.4
    本发明公开了一种感光干膜及制备方法， 所述感光干膜， 由PET基膜、中间的感光层以及覆盖在感光层的外侧的保护膜组成， 其中， 所述感光层由如下重量份的原料制备而成：环氧丙烯酸酯树脂40‑50重量份， 纳米粒子复合光引发剂5‑8重量份， 三羟...
    2026-01-23
  • 一种光刻胶组合物
    一种光刻胶组合物_万华化学集团股份有限公司_202410383920.X
    本发明公开了一种光刻胶组合物， 包括对聚合物树脂、光致产酸剂、酸扩散抑制剂、苄基溴化铵化合物、表面活性剂和溶剂本发明的光刻胶组合物可以降低光刻胶在光刻过程中刻蚀部分边缘的粗糙度， 进而提高光刻胶的刻蚀质量。
    2026-01-23
  • 量子点直接光刻的加工方法及其应用
    量子点直接光刻的加工方法及其应用_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202511160766.0
    本发明公开了一种量子点直接光刻的加工方法及其应用。所述加工方法包括：提供量子点母液， 涂覆并挥发溶剂形成光刻量子点湿膜；进行图案化光照得到光刻薄膜；以显影液进行清洗显影， 得到图案化量子点层；其中， 量子点母液中含有量子点和交联剂， 所述交...
    2026-01-23
  • 一种气压式纳米压印设备的自动脱模装置
    一种气压式纳米压印设备的自动脱模装置_璞璘科技(杭州)有限公司_202511122473.3
    本发明涉及纳米压印光刻技术领域， 具体是一种气压式纳米压印设备的自动脱模装置， 包括夹持机构、直线升降模块、基底吸盘、翻转轴承及脱模控制机构。夹持机构通过真空吸附固定模板；直线升降模块控制模板与基底的精密间距， 翻转轴承提供0°‑15°倾角...
    2026-01-23
  • 一种光罩最适拆膜温度计算及粘合剂清洗方法
    一种光罩最适拆膜温度计算及粘合剂清洗方法_青岛方益技术有限公司_202511083406.5
    本申请提供一种光罩最适拆膜温度计算及粘合剂清洗方法， 定义光罩与保护膜之间的粘合剂的剥离力在预设温度下与拆膜温度呈线性关系， 预设温度介于20℃～200℃， 常温对应的剥离力为初始剥离力， 当剥离力为初始剥离力的2/3时， 得到拆膜温度为最...
    2026-01-23
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