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最新专利技术
  • 集成电路和制造集成电路的方法
    集成电路和制造集成电路的方法_三星电子株式会社_202510224091.5
    提供了集成电路和制造集成电路的方法。所述集成电路包括：标准单元；第一电力线， 在第一方向上延伸并且向标准单元提供第一电源电压；以及第二电力线， 在第一方向上延伸并且向标准单元提供第二电源电压， 第一电力线和第二电力线在与第一方向垂直的第二方...
    2025-11-07
  • 包括对角线电源图案的集成电路及其制造方法
    包括对角线电源图案的集成电路及其制造方法_三星电子株式会社_202510216204.7
    一种集成电路， 包括：标准单元；电力轨， 在第一布线层中在第一方向上延伸并被配置为向标准单元供电；以及上部电源图案， 设置在第一布线层上方的第二布线层中。上部电源图案包括在第一方向上延伸的多个矩形上部电源贴片， 并被配置为向电力轨供电。多个...
    2025-11-07
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社日本显示器_202510278971.0
    本发明涉及半导体装置及其制造方法。实现即使是微细的像素电路也不会对电路动作造成不良影响的半导体装置。半导体装置具有：半导体层；与前述半导体层对置、并且具有第1阶差部的栅电极；前述半导体层与前述栅电极之间的栅极绝缘层；前述栅电极之上的第1绝缘...
    2025-11-07
  • 固态断路器
    固态断路器_深圳平湖实验室_202511277185.5
    本公开提供的固态断路器， 包括P型晶体管， P型晶体管包括4H‑SiC衬底， 位于4H‑SiC衬底的硅面所在侧的第一3C‑SiC层， 以及位于第一3C‑SiC层远离4H‑SiC衬底的一侧的第一栅极、第一源极和第一漏极；N型晶体管， N型晶体...
    2025-11-07
  • 包括鳍形有源区的集成电路器件
    包括鳍形有源区的集成电路器件_三星电子株式会社_202411927529.8
    一种集成电路器件包括鳍形有源区。成对的下沟道区设置在有源区上。成对的上沟道区设置在下沟道区的上部上。下源极/漏极区形成在有源区上， 并且接触成对的下沟道区。上源极/漏极区形成在下源极/漏极区上， 并且接触成对的上沟道区。上源极/漏极区包括接...
    2025-11-07
  • 半导体装置和制造半导体装置的方法
    半导体装置和制造半导体装置的方法_三星电子株式会社_202510400690.8
    提供了一种半导体装置和制造半导体装置的方法， 所述半导体装置包括具有在FEOL工艺中形成的硅化物层的背侧接触结构。所述方法包括：在基底上形成沟道结构；在基底中形成占位结构；在占位结构上形成硅化物层；基于沟道结构在硅化物层上形成源极/漏极区域...
    2025-11-07
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202411810683.7
    本申请公开了半导体器件结构及其形成方法。该结构包括：从衬底延伸的衬底部分、设置在衬底部分之上的半导体层、围绕半导体层的至少部分的栅极结构、以及设置在半导体层上的第一电介质间隔件和第二电介质间隔件。栅极结构的部分设置在第一电介质间隔件和第二电...
    2025-11-07
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202411590282.5
    一种半导体器件包括：衬底；在衬底上的有源图案， 有源图案包括彼此间隔开并且垂直堆叠在彼此上的多个沟道图案；在所述多个沟道图案的至少一侧上的源极/漏极图案；围绕所述多个沟道图案的栅电极， 栅电极包括在所述多个沟道图案中的相邻沟道图案之间的下部...
    2025-11-07
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510128686.0
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：在衬底之上形成第一多层堆叠和第二多层堆叠。第一和第二多层堆叠包括：多个间隔开的纳米片， 沿堆叠的第一方向布置；以及电介质间隔件， 设置在相邻纳米片之间。在第一多层堆叠和第二多层堆叠...
    2025-11-07
  • 半导体器件和制造该半导体器件的方法
    半导体器件和制造该半导体器件的方法_三星电子株式会社_202411810895.5
    一种制造半导体器件的方法， 包括：形成有源结构；在有源结构上形成初步栅极介电层；在初步栅极介电层上形成包括第一偶极子材料的第一偶极子层和包括第二偶极子材料的第二偶极子层；去除有源结构的除第一区域之外的区域中的第一偶极子层和第二偶极子层；去除...
    2025-11-07
  • 具有嵌入式光子桥管芯的半导体器件和制造具有嵌入式光子桥管芯的半导体器件的方法
    具有嵌入式光子桥管芯的半导体器件和制造具有嵌入式光子桥管芯的半导体器件的方法_星科金朋私人有限公司_202510431845.4
    具有嵌入式光子桥管芯的半导体器件和制造具有嵌入式光子桥管芯的半导体器件的方法。一种半导体器件具有包括光子电路的桥管芯。光学环氧树脂沉积在光子电路上方。桥管芯设置在第一互连结构上方。密封剂沉积在桥管芯和第一互连结构上方。密封剂的一部分被移除以...
    2025-11-07
  • 一种塑封双层封装结构及其产品制作方法
    一种塑封双层封装结构及其产品制作方法_北京新雷能科技股份有限公司_202511035644.9
    本发明提供了一种塑封双层封装结构及其产品制作方法， 涉及注塑封装技术领域。封装基板上设置有封装基板底面焊盘、封装基板正面焊盘， 封装基板底面焊盘上设置有BGA焊球， 封装基板正面焊盘上焊接有第一层元器件、PCB支架、裸芯片；第一层元器件、P...
    2025-11-07
  • 一种异形分裂栅极复合结构的SiC MOSFET
    一种异形分裂栅极复合结构的SiC MOSFET_深圳市杜因特半导体有限公司_202510686353.X
    本申请属于半导体技术领域， 具体公开了一种异形分裂栅极复合结构的SiC MOSFET， 该SiC MOSFET包括：SiC衬底；形成位于SiC衬底上的外延层；形成在外延层上的多分支异形栅极结构， 该栅极结构包括主沟槽和从主沟槽中部水平延伸的...
    2025-11-07
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202411451570.2
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：形成在衬底中的沟槽；间隙填充沟槽的一部分的埋置导电层；以及在埋置导电层之上间隙填充沟槽的剩余部分的覆盖结构， 该覆盖结构包括含碳材料。在半导体器件中， 可以通过降低覆盖层的拉伸应力来最小...
    2025-11-07
  • 一种氮-磷共掺杂的SiC衬底或SiC外延片及其制备方法
    一种氮-磷共掺杂的SiC衬底或SiC外延片及其制备方法_深圳麒磷晶源半导体有限公司_202510872498.9
    本申请属于半导体材料技术领域， 具体涉及一种氮‑磷共掺杂的SiC衬底或SiC外延片及其制备方法。本申请所述氮‑磷共掺杂的SiC衬底或SiC外延片， 所述碳化硅衬底中磷原子的掺杂浓度大于氮原子的掺杂浓度；所述SiC外延片包括衬底层和SiC外延...
    2025-11-07
  • 衬底结构、衬底结构的制备方法和半导体结构
    衬底结构、衬底结构的制备方法和半导体结构_珠海格力电子元器件有限公司_202511295872.X
    本申请提供了一种衬底结构、衬底结构的制备方法和半导体结构， 该衬底结构包括：衬底本体；多个周期性排布的沟槽结构， 多个沟槽结构位于衬底本体中， 任意相邻的两个沟槽结构接触；多个填充层， 填充层一一对应地位于沟槽结构中， 填充层的表面与衬底本...
    2025-11-07
  • 薄膜晶体管
    薄膜晶体管_应用材料公司_202511070771.2
    本文的多个实施方式包括薄膜晶体管(TFT)， 所述薄膜晶体管包括具有不同迁移率的层的沟道层堆叠物。由于高迁移率沟道层和/或多个高迁移率沟道层中的载流子密度更高， 本文公开的TFT通过低迁移率和高迁移率沟道层传输更高的总电流， 这样增加了TF...
    2025-11-07
  • 功率半导体装置和生产功率半导体装置的方法
    功率半导体装置和生产功率半导体装置的方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202510438772.1
    本公开涉及功率半导体装置和生产功率半导体装置的方法， 其包括：半导体主体， 被配置为在第一负载端子和第二负载端子之间传导正向负载电流；主要控制端子；辅助控制端子， 与主要控制端子隔离；控制电极结构， 包括：主要控制电极， 按照电气方式连接到...
    2025-11-07
  • 半导体器件和实施此类半导体器件的金属氧化物半导体场效应晶体管
    半导体器件和实施此类半导体器件的金属氧化物半导体场效应晶体管_安世有限公司_202510425056.X
    本公开涉及一种半导体器件， 特别是用于金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的半导体器件， 所述半导体器件具有适合于电流切换和信号处理目的的RESURF架构。本公开的优点是提供了一种半导体单元， 特别是用于金属氧化物半导体场效应晶体管MO...
    2025-11-07
  • 用于具有增强电绝缘性的GaN HEMT的外延晶圆及其制造方法
    用于具有增强电绝缘性的GaN HEMT的外延晶圆及其制造方法_威弗洛得有限公司_202510409111.6
    根据本发明的实施方式提供了一种用于具有增强电绝缘性的GaN HEMT的外延晶圆及其制造方法， 所述外延晶圆包括：生长基底；成核区域， 所述成核区域生长在所述生长基底上；具有高电阻特性的高电阻区域， 所述高电阻区域包括高电阻单元区域， 所述高...
    2025-11-07
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