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  • 本发明涉及太阳能电池领域, 尤其是指一种基于近场光学的晶硅电池金属化区域表征方法及系统, 所述方法包括:产生波长可调节的激光光源, 将所述激光光源分离成泵浦光和参考光;将所述泵浦光聚焦至针尖, 使针尖靠近样品的金属化区域表面, 在其表面和针...
  • 本申请的实施例公开了一种TSV安全距离确定方法、装置、电子设备及存储介质, 涉及半导体技术领域, 便于测试验证被测器件与TSV的安全距离。所述方法包括:将TSV以矩形阵列方式排布为TSV阵列;在所述TSV阵列周围, 将被测器件排布为多个矩形...
  • 一种半导体结构的缺陷测试方法, 包括:提供衬底, 所述衬底上具有若干开口;在所述衬底上形成测试涂层, 且所述测试涂层填充满所述开口;设定所述测试涂层在开口内的标准厚度;根据开口内所述测试涂层厚度与所述标准厚度, 获取所述开口内是否具有缺陷。...
  • 本发明提供一种测试结构及形成方法, 其中测试结构包括:基底;位于所述基底上的若干分立排布的栅极结构, 所述栅极结构沿着第一方向延伸;位于所述基底上的至少一个栅极切断层, 所述栅极切断层沿着第二方向位于至少一个所述栅极结构内, 所述第一方向与...
  • 本发明涉及芯片封装技术领域, 公开了一种高密度封装体层间导通互联方法及结构, 包括:步骤S100:在载板的一面或两面制作线路层, 所述线路层上包括金属框体、若干个第一连接筋和若干个封装区, 所述封装区设置于所述金属框体内, 所述封装区内设有...
  • 本发明公开了一种半导体器件及其结晶缺陷去除方法、电子设备, 属于半导体技术领域, 该半导体器件的结晶缺陷去除方法, 包括提供铝焊盘, 所述铝焊盘上覆盖有多个介质层;在所述介质层上涂覆光刻胶, 通过曝光、显影和刻蚀形成所需的光刻胶图案, 以所...
  • 本发明涉及电容封装技术领域, 尤其涉及一种电容3D封装工艺方法;技术问题:在日常使用电容封装工艺在3D封装中存在的基板面积利用率低、层间焊接不良及后处理复杂的问题;技术方案:一种电容3D封装工艺方法, 包括基板预处理、第一层电容焊接、第二层...
  • 本申请提供一种半导体结构及其制作方法、电子设备, 半导体结构的制作方法用于制作多个并联芯片的叠层半导体结构, 制作时由于并未使用倒装芯片工艺(Flip Chip Bonding, 简称FC), 因此减少了高温暴露次数, 避免FC工艺中多次高...
  • 本发明公开一种高可靠性封装方法及其封装产品, 高可靠性封装方法包括以下步骤:在金属板上蚀刻出若干异形金属片, 通过绝缘件对所述异形金属片进行固定, 得到金属片复合件;在芯片上具有焊盘的一面涂覆绝缘层, 绝缘层上形成有凹槽, 凹槽与焊盘一一对...
  • 本申请提供一种半导体封装结构及其制作方法, 方法包括:提供第一重布线层;在所述第一重布线层的一侧连接至少一个桥接芯片;提供目标芯片封装结构;将所述导电柱远离所述第二重布线层一侧的端面与所述第一重布线层电连接, 以使所述目标芯片封装结构与所述...
  • 本申请的实施例公开了封装件及其形成方法。形成封装件的方法包括在介电层上形成第一光刻胶层;使用第一光刻掩模在第一光刻胶层上执行第一曝光工艺, 其中在第一曝光工艺期间, 阻挡第一光刻胶层的第一区域被曝光, 曝光第一光刻胶层的第二区域, 并曝光第...
  • 本发明提供一种基于液态金属连接芯片和基板的新型封装方法, 核心组件包括一种基于液态金属连接芯片和基板的新型封装方法。该方法的核心组件主要由环氧树脂(1)、芯片(2)、聚酰亚胺模具(3)、硅胶(4)和PCB基板(5)组成。其中, 芯片底部设计...
  • 本发明提供一种基于深度学习的键合铜丝工艺调控方法及系统, 涉及电子封装技术领域。该一种基于深度学习的键合铜丝工艺调控方法及系统, 包括S1:基于铜丝键合生产线, 采用多传感器数据采集方法, 并通过数据清洗与归一化处理对实时采集的温度、压力、...
  • 本发明公开了一种连接器和半导体组件, 连接器包括连接板, 连接板具有本体和多个柱状触点, 每个柱状触点均包括导电段和焊接段, 导电段与本体相连, 焊接段包括第一子段和第二子段, 第一子段连接于导电段远离本体的一端, 第二子段连接于第一子段远...
  • 形成重构晶圆, 其包括彼此互连的中介层管芯的二维阵列和半导体管芯组的二维阵列。中介层管芯的二维阵列包括由介电负型光刻胶材料组成并嵌入远端重分布布线互连件的远端重分布介电层。光刻曝光工艺依序对介电负型光刻胶材料的区域进行光刻曝光。每个照明区域...
  • 本发明涉及半导体器件和制造晶圆级基板的方法。一种半导体器件具有嵌入条和沉积在该嵌入条上的封装材料。后部研磨该封装材料的第一表面, 以暴露嵌入条。在该封装材料的第一表面上形成第一积层互连结构。在该封装材料的第二表面上形成第二积层互连结构。
  • 本发明公开了一种高功率芯片封装结构及封装方法, 该封装方法包括以下步骤:在硅晶圆的正面上制备重布线层;在所述重布线层上临时键合增厚支撑层, 所述增厚支撑层通过临时键合胶固定;对硅晶圆的背面进行减薄处理至目标厚度;在减薄后的硅晶圆背面制备介电...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域, 具体为电磁屏蔽结构制作方法和封装结构, 包括:提供设有第一元件的衬底, 利用3D打印技术在衬底上形成屏蔽部, 所述屏蔽部由柔性电磁屏蔽材料与纳米导电材料复合构成, 并设于第一元件的外围;该步骤包括构建三维模型...
  • 本发明公开了一种基于晶圆键合的微纳模具制造方法, 属于模具制造技术领域, 包括以下步骤:S1、模具成形端面制备:采用微纳加工技术在单晶材料上加工出具有微纳结构的模具成形端面;S2、模具基底制备:选用多晶材料加工成模具基底, 并对基底表面进行...
  • 一种集成电路结构件式3D扇出封装方法及其封装结构, 属于集成电路封装技术领域。采用分块一次模块化集成, 将两颗集成电路芯粒背对背粘接成双芯粒堆叠组件, 将铜柱通过是电绝缘保护结构制成TXV结构件, 将TXV结构件与单颗集成电路芯粒互连形成单...
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