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最新专利技术
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_琳得科株式会社_202511102897.3
    本发明提供一种即使在形成有保护膜的芯片等工件的加工品进一步被树脂密封的情况下，也能够提高密封树脂与保护膜之间的粘合可靠性的半导体装置的制造方法。该方法具有：将用于形成保护膜的保护膜形成膜、或保护膜形成用复合片的保护膜形成膜贴附于工件背面的工...
    2025-12-01
  • 一种针对小芯片晶圆的切割方法
    一种针对小芯片晶圆的切割方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202511042043.0
    本发明涉及晶圆切割技术领域，具体地说是一种针对小芯片晶圆的切割方法。包括如下步骤：S1，提供一个晶圆，通过激光对晶圆正面进行切割；S2，对激光半切后的晶圆，在正面贴保护膜；S3，晶圆正面朝下，通过研磨一体机，对晶圆背面进行减薄，减薄至晶圆分...
    2025-12-01
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511046964.4
    本发明提供了一种半导体器件及形成方法，包括：在顶层硅的表面形成硬掩膜层；在硬掩膜层、顶层硅和埋氧层内形成第一凹槽以及位于第一凹槽侧壁的第一隔离结构；在硬掩膜层的表面形成第一多晶硅材料层和第二隔离结构材料层，第一多晶硅材料层延伸至第一凹槽内并...
    2025-12-01
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511046954.0
    本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：在顶层硅的表面形成栅氧化层；刻蚀栅氧化层、顶层硅和埋氧层，以在栅氧化层、顶层硅和埋氧层内形成第一凹槽；在第一凹槽的侧壁形成第一隔离结构，第一凹槽露出部分底层硅的表面；在栅氧化层的表面形成第一多晶硅...
    2025-12-01
  • 改善接触刻蚀停止层氮化硅面内中心厚度掉低的方法
    改善接触刻蚀停止层氮化硅面内中心厚度掉低的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511002325.8
    本发明提供一种改善接触刻蚀停止层氮化硅面内中心厚度掉低的方法，用于通过原子层沉积形成接触刻蚀停止层氮化硅，且原子层沉积的每一循环包括如下步骤：向一包括晶圆的反应腔室中通入硅源，以在晶圆的表面上进行吸附；在完成通入硅源之后、且在通入氮源之前，...
    2025-12-01
  • 改善接触刻蚀停止层氮化硅面内中心厚度均匀性的方法
    改善接触刻蚀停止层氮化硅面内中心厚度均匀性的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511002308.4
    本发明提供一种改善接触刻蚀停止层氮化硅面内中心厚度均匀性的方法，包括：在将待处理的晶圆置于反应腔室后，对晶圆进行氨气预处理；以及在氨气预处理之后，通过原子层沉积工艺在晶圆上沉积氮化硅层，其中，在原子层沉积工艺的每个循环中，采用脉冲通入和持续...
    2025-12-01
  • 一种半导体隔离结构及形成方法
    一种半导体隔离结构及形成方法_杭州富芯半导体有限公司_202511099536.8
    本申请公开了一种半导体隔离结构及形成方法，包括提供基底；对所述基底进行第一刻蚀处理，形成第一沟槽；对所述第一沟槽进行第二刻蚀处理，形成第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽贯通以形成深沟槽，所述第一沟槽的最大横向尺寸大于所述第二沟槽的横向尺寸...
    2025-12-01
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202511047428.6
    本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供剥离处理后的键合晶圆；对键合晶圆执行气相刻蚀工艺，以去除键合晶圆的表面的晶格损伤层；对键合晶圆执行加固热处理工艺。通过对键合晶圆执行气相刻蚀工艺，可以有效去除键合晶圆的表面的晶格损伤层，并且由于...
    2025-12-01
  • 晶圆承载装置和半导体工艺腔室
    晶圆承载装置和半导体工艺腔室_北京北方华创微电子装备有限公司_202511101315.X
    本发明提供了一种晶圆承载装置和半导体工艺腔室，其中，本发明提供的半导体工艺腔室包括：加热基座和晶圆承载盘；晶圆承载盘包括内圈部和外圈部，外圈部位于内圈部外周，外圈部承载于加热基座，内圈部与加热基座之间存在间隙；晶圆承载盘背离加热基座的一侧设...
    2025-12-01
  • 一种料梭机构及输送装置
    一种料梭机构及输送装置_盛欣科智能装备(江苏)有限公司_202511058151.7
    本发明属于芯片测试技术领域，公开了一种料梭机构及输送装置。料梭机构包括载具组件、集装块、正压接头和负压接头，载具组件包括承托件和支撑件，承托件设置于支撑件的一端，放置于承托件上的芯片与承托件之间具有清洁空间，载具组件具有第一清洁通道和第二清...
    2025-12-01
  • 晶圆盒稳定装置及传片设备
    晶圆盒稳定装置及传片设备_上海新昇半导体科技有限公司_202511029575.0
    本发明涉及半导体技术领域，提供了一种晶圆盒稳定装置及传片设备，所述晶圆盒稳定装置包括：承载主体和稳定单元；所述承载主体具有一承载面；所述稳定单元包括运动件、夹持组件和联动组件；所述运动件被配置为：所述晶圆盒压于所述运动件，使得所述运动件由所...
    2025-12-01
  • 一种晶圆支撑装置、安装方法及工艺腔室
    一种晶圆支撑装置、安装方法及工艺腔室_拓荆科技(上海)有限公司_202511029312.X
    本发明提供了一种晶圆支撑装置、一种晶圆支撑装置的安装方法，以及一种工艺腔室。所述晶圆支撑装置包括：伸缩部，其第一端与工艺腔室内的加热盘的背面密封连接，而其第二端与所述工艺腔室的底面密封连接，其中，所述加热盘上开设有多个第一通孔，所述伸缩部具...
    2025-12-01
  • 承载装置及晶圆清洗设备
    承载装置及晶圆清洗设备_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510851918.5
    本公开涉及承载装置及晶圆清洗设备。在一方面中，提供了一种承载装置, 其包括梳齿结构，梳齿结构包括多个齿部，多个齿部成一列布置以在相邻齿部之间承载晶圆，其中，每个齿部均设置有穿孔，以形成贯穿多个齿部的供清洗液通过的通道，并且每个齿部均在其底部...
    2025-12-01
  • 一种半导体硅晶片平洗装置
    一种半导体硅晶片平洗装置_青岛金汇源电子有限公司_202511087708.X
    本发明涉及晶片平洗装置技术领域，具体是一种半导体硅晶片平洗装置，包括机架，机架上滑动设置有承置板，承置板上固定有用于对硅晶片进行吸附的真空吸盘，真空吸盘的上方设置有水平横梁，水平横梁上转动设置有水平纵梁，水平纵梁的底部固定有多个喷头，机架上...
    2025-12-01
  • 一种晶圆处理装置
    一种晶圆处理装置_冠礼控制科技(上海)有限公司_202511046044.2
    本申请涉及半导体生产领域，且公开了一种晶圆处理装置，包括安装座，安装座的中部开设有转动槽，安装座的上表面固定安装有连接座，驱动机构设置在安装座右侧面的中部。通过使限位座与活塞之间的距离减少，以减小弹性件伸缩长度，进而通过将晶圆吸附在孔板底面...
    2025-12-01
  • 一种适用于环形振动平板行波的驻波比调节方法
    一种适用于环形振动平板行波的驻波比调节方法_哈尔滨工业大学_202511006240.7
    本发明涉及超声近场悬浮领域，更具体的说是一种适用于环形振动平板行波的驻波比调节方法，确定超声悬浮传输装置需求的纵向振动模式下的机械谐振频率；对换能器1#和换能器2#分别施加两路机械谐振频率相同频率的激励信号；对环形振动平板上各点的振动位移A...
    2025-12-01
  • 晶圆承载结构及晶圆测试装置
    晶圆承载结构及晶圆测试装置_苏州苏自通德自动化有限公司_202510889867.5
    本发明公开了晶圆承载结构及晶圆测试装置，涉及晶圆测试技术领域。本发明包括：承载框，所述承载框一侧为开口且内部竖直阵列安装有多个承载盘，所述承载盘上滑动安装有多个滑板，所述滑板上安装有喷气件，所述喷气件向上喷射出环形倒锥形气流，多个喷气件形成...
    2025-12-01
  • 基于磁悬浮的加热盘对中装置、方法及薄膜沉积设备
    基于磁悬浮的加热盘对中装置、方法及薄膜沉积设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511248419.3
    本发明公开了一种基于磁悬浮的加热盘对中装置、方法及薄膜沉积设备，该装置包括：加热盘、第一永磁体、第二永磁体、磁悬浮组件、位移检测单元和控制器，加热盘包括盘柄，第一永磁体固设于盘柄的外壁，第二永磁体设于盘柄的外周且沿盘柄的径向与第一永磁体间隔...
    2025-12-01
  • 一种用于减少振动的运输车轨道分歧合流装置
    一种用于减少振动的运输车轨道分歧合流装置_成都思越智能装备股份有限公司_202511431303.3
    本发明涉及搬运装置领域，公开了一种用于减少振动的运输车轨道分歧合流装置，包括：天车本体，以及与天车本体配合运行的轨道结构，轨道结构包括：合流前的两条并行直线轨道a，两段分别连接在两条并行直线轨道a与一条合流后轨道之间的转弯轨道，两段转弯轨道...
    2025-12-01
  • 基于喷墨旋转供胶技术的晶圆输送系统
    基于喷墨旋转供胶技术的晶圆输送系统_青岛天仁微纳科技有限责任公司_202511098272.4
    本发明公开了基于喷墨旋转供胶技术的晶圆输送系统，属于半导体晶圆生产技术领域，是采用双向同步自动上料，配合转向输送组件以周缘定位吸附方式对晶圆无损定向输送，具体为：设置沿操作台轴心正反转90°的环形导以及与晶圆外缘结构相适配且沿环形导轨正反向...
    2025-12-01
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