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最新专利技术
  • 半导体器件形成方法
    半导体器件形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410482536.5
    一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底；形成位于所述基底上的半导体鳍；在所述半导体鳍表面覆盖栅极结构层；形成覆盖所述栅极结构层的掩膜层；在所述掩膜层中形成沟槽；在所述沟槽底部和侧壁上覆盖补偿层；去除所述沟槽底部的补偿层和栅极结构层，形成贯...
    2025-11-22
  • 源区均流调控IGBT结构及其制备方法
    源区均流调控IGBT结构及其制备方法_江苏长晶科技股份有限公司_202511103256.X
    本发明涉及源区均流调控IGBT结构及其制备方法。源区均流调控IGBT结构包括依次层叠的集电极金属电极、集电极层、场截止层、漂移区、电荷存储层、体区、层间介质层、均流电极和钝化层；体区上具有多个间隔的发射极和均流掺杂柱；均流电极包括多个延伸部...
    2025-11-22
  • 半导体结构的制备方法及砷化镓双极晶体管
    半导体结构的制备方法及砷化镓双极晶体管_江苏卓胜微电子股份有限公司_202510909433.7
    本申请公开了一种半导体结构的制备方法及砷化镓双极晶体管，属于半导体技术领域。半导体结构的制备方法，包括：在衬底的第一侧依次形成集电极层、基极层、发射极层和发射极台面；采用干法刻蚀从发射极层表面的第一区域对发射极层、基极层和集电极层的第一深度...
    2025-11-22
  • 一种氮化镓高压横向二极管及制备方法
    一种氮化镓高压横向二极管及制备方法_乐山希尔电子股份有限公司_202510867816.2
    本发明公开了一种氮化镓高压横向二极管及制备方法，涉及半导体技术领域，该二极管，包括依次设置的衬底层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，分别设置于AlGaN势垒层上方的阳极电极和阴极电极，设置于AlGaN势垒层上方并与阳极电极电连接的阳极电极头...
    2025-11-22
  • 一种双向触发二极管及其制备方法
    一种双向触发二极管及其制备方法_山东浪潮慧芯微电子科技有限公司_202510909541.4
    本发明涉及一种双向触发二极管及其制备方法，属于电子配件技术领域。本发明所提供的双向触发二极管制备方法是采用夹磷纸双面同时扩散磷源的方式形成N结，且使磷元素从高浓度向低浓度扩散，从而达到表面电压一致性，使得工作时电流到击穿点所需穿过的浓度梯度...
    2025-11-22
  • 高可靠性芯片及其制造工艺
    高可靠性芯片及其制造工艺_安徽芯旭半导体有限公司_202511048011.1
    本发明提供一种高可靠性芯片及其制造工艺，涉及半导体芯片技术领域。本发明提出了一种高可靠性芯片及其制造工艺，通过在光刻时采用特制光罩，使得在后续的蚀刻、切割后，形成下台面为多边形，上台面表面为形成圆形的芯片，能够兼顾电气性能优化和生产成本。
    2025-11-22
  • 高可靠性玻璃封装二极管及制造工艺
    高可靠性玻璃封装二极管及制造工艺_安徽安美半导体有限公司_202511048010.7
    本发明提供一种高可靠性玻璃封装二极管及制造工艺，涉及半导体技术领域。本发明提供一种高可靠性玻璃封装二极管及制造工艺，该二极管其封装的GPG芯片为电性功能齐全具备反向耐压芯片，另外，该芯片较圆形芯片来说，其欧姆衬底层为多边形，在芯片制造过程中...
    2025-11-22
  • 电容器及其制作方法
    电容器及其制作方法_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202511035561.X
    本申请公开了一种电容器及其制作方法，该制作方法包括：以绝缘介质层为掩膜刻蚀扩散阻挡材料层，以使金属材料层的部分表面裸露，剩余的扩散阻挡材料层形成第一扩散阻挡层，金属材料层沿与第一方向相反的第二方向分布有第一部分和第二部分，第二部分的厚度小于...
    2025-11-22
  • 图像传感器、金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法
    图像传感器、金属-绝缘体-金属电容器及其形成方法_半导体元件工业有限责任公司_202410946117.2
    用于图像传感器的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器及其形成方法，以及包括有MIM电容器的图像传感器。MIM电容器包括：限定多个沟槽的介电层；和覆盖在该介电层上并且内衬于该多个沟槽的侧面的导电材料底板。该MIM电容器还包括：直接覆盖在该底板上...
    2025-11-22
  • 一种GaAs变容二极管芯片结构及其制备方法
    一种GaAs变容二极管芯片结构及其制备方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511001274.7
    本发明提供一种GaAs变容二极管芯片结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该芯片结构包括：GaAs半绝缘衬底、N型欧姆接触台、N型欧姆接触电极、N型肖特基接触台和N型肖特基接触电极；GaAs半绝缘衬底上设置N型欧姆接触台，N型欧姆接触台...
    2025-11-22
  • 一种三维芯片堆叠器件及其制备方法
    一种三维芯片堆叠器件及其制备方法_深圳修远电子科技有限公司_202511085011.9
    本申请提供一种三维芯片堆叠器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括依次堆叠设置的多层三维叠层扇出封装器件；三维叠层扇出封装器件包括预支撑电连接架以及在由预支撑电连接架界定出的芯片容置区域内堆叠的至少一层第一芯片和至少一层第二芯片，第一芯片...
    2025-11-22
  • 存储阵列及其形成方法
    存储阵列及其形成方法_芯盟科技有限公司_202511093070.0
    一种存储阵列及其形成方法，包括：至少一个第一导电层位于至少一个开关器件沿第一方向的一侧；与至少一个第一导电层电连接的存储层位于至少一个第一导电层沿与第一方向相交的第二方向的一侧；至少一个第二导电层位于沿第二方向、存储层远离至少一个第一导电层...
    2025-11-22
  • 存储装置及其制作方法
    存储装置及其制作方法_清华大学_202511092910.1
    一种存储装置及其制作方法。存储装置包括衬底结构、第一金属结构、第二金属结构和介电层。阻变存储器，包括沿第一方向层叠设置的第一电极、阻变反应层和第二电极。介电层包括电极孔，电极孔的侧壁围绕形成在第一方向上相对的第一开口和第二开口，第一开口暴露...
    2025-11-22
  • 电阻式随机存取存储元件及其制作方法
    电阻式随机存取存储元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410608091.0
    本发明公开一种电阻式随机存取存储元件及其制作方法，其中电阻式随机存取存储元件包含：基底；第一层间介电层，设置于该基底上；第一互连结构，设置于该第一层间介电层中；盖层，设置于该第一互连结构和该第一层间介电层上；中间介电层，设置于该盖层上；导电...
    2025-11-22
  • 一种分裂栅极U型沟道铁电场效应晶体管存储器
    一种分裂栅极U型沟道铁电场效应晶体管存储器_湘潭大学_202511055486.3
    本发明公开了一种分裂栅极U型沟道铁电场效应晶体管存储器，涉及存储器技术领域，包括：通过U型沟道结构克服平面FeFET增加AIL/AFE面积比时需额外非自对准MFM图案化的设计限制，实现AIL>AFE高面积比，使铁电层分压显著增大，在相同总栅...
    2025-11-22
  • 半导体存储器
    半导体存储器_铠侠股份有限公司_202511041213.3
    根据一个实施例，一种半导体存储器装置包含第一存储器芯片、电路芯片及位于所述第一存储器芯片的表面上的外部连接电极。所述第一存储器芯片包括经由绝缘体堆叠的第一导体，及穿过所述第一导体的第一柱。所述电路芯片包括衬底、控制电路及连接到所述控制电路的...
    2025-11-22
  • NAND型闪速存储器及其制造方法
    NAND型闪速存储器及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202510151359.7
    本发明提供一种能够减低相邻的存储单元间的电容耦合的NAND型闪速存储器及其制造方法。本发明的NAND型闪速存储器包括：有源区，在硅衬底内以沿位线方向延伸形成；槽隔离区，用以限定有源区；电荷蓄积层，在有源区上对应每个存储单元而形成，且层叠有被...
    2025-11-22
  • 半导体装置
    半导体装置_华邦电子股份有限公司_202510153337.4
    本发明提供一种将NOR型存储单元阵列与NAND型存储单元阵列集成而成的半导体装置。本发明的闪速存储器包括：存储单元阵列，由NOR型存储单元阵列与NAND型存储单元阵列集成而成；字线，与存储单元各者连接；以及位线，与NOR型存储单元阵列及NA...
    2025-11-22
  • NOR型闪速存储器及其制造方法
    NOR型闪速存储器及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202510151463.6
    本发明提供一种抑制非选择单元的漏电流，且与NAND型闪速存储器具有相容性的NOR型闪速存储器及其制造方法。本发明的NOR型闪速存储器包括：有源区，在硅衬底内沿位线方向延伸形成；槽，与有源区相邻；电荷蓄积层，在有源区上对应每个存储单元而形成；...
    2025-11-22
  • 闪存及其形成方法
    闪存及其形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511046930.5
    本发明提供一种闪存及其形成方法，字线两侧的衬底上方分别形成有堆叠的浮栅、间隔层和控制栅；在垂直于衬底的截面上，浮栅上表面呈弧形状；控制栅的正上方不再有侧墙，在闪存统一制作接触孔的时候，能直接将控制栅引出来，利用同一光罩在一次刻蚀工艺中形成接...
    2025-11-22
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