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最新专利技术
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202511064124.0
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供炉管设备，炉管设备包括炉管腔体和位于炉管腔体内的晶舟；提供键合晶圆，将键合晶圆放置于晶舟上，确定键合晶圆的键合起始点，键合起始点位于靠近键合晶圆的边缘且靠近晶舟的位置；通过炉管设备对键合晶圆进行...
    2025-12-06
  • 一种焊盘覆盖层的刻蚀方法
    一种焊盘覆盖层的刻蚀方法_上海华力微电子有限公司_202511044675.0
    本发明公开了一种焊盘覆盖层的刻蚀方法，属于半导体技术领域，该焊盘覆盖层的刻蚀方法，包括以下步骤：提供焊盘，通过刻蚀依次去除所述焊盘表面的金属层、氧化层和第二层间介质层，在刻蚀后使用Ar处理所述焊盘；使用N111试剂对所述焊盘进行湿法清洗，使...
    2025-12-06
  • 一种混合键合结构及其制备方法、金属焊盘表面应力的原位检测方法
    一种混合键合结构及其制备方法、金属焊盘表面应力的原位检测方法_武汉大学_202510989699.7
    本申请公开了一种混合键合结构及其制备方法、金属焊盘表面应力的原位检测方法，该混合键合结构包括：相对设置的第一基体和第二基体，第一基体包括：第一基板、第一介电层、第一阻挡层、第一种子层、第一金属焊盘；第二基体包括：第二基板、第二介电层、第二阻...
    2025-12-06
  • 一种激光辅助混合键合互连方法
    一种激光辅助混合键合互连方法_广东工业大学_202510942281.0
    本发明涉及混合键合技术领域，尤其涉及一种激光辅助混合键合互连方法，S1、对晶圆表面进行处理，使晶圆的待键合面平整；S2、对晶圆的待键合面进行清洁，去除有机污染物和氧化层；S3、将两块晶圆的待键合面进行对准和贴合；之后，S4、所述待键合面包括...
    2025-12-06
  • 一种形成取向趋于一致的金属间化合物的微凸点构建方法
    一种形成取向趋于一致的金属间化合物的微凸点构建方法_江苏科技大学_202510879267.0
    本发明公开了一种形成取向趋于一致的金属间化合物的微凸点构建方法，包括如下步骤：(1)在两个待连接位点处分别通过电镀法制备至少一个金属焊盘，再在金属焊盘上采用直流电沉积法制备凸点下金属化层；其中，凸点下金属化层为<111>择优取向的纳米孪晶N...
    2025-12-06
  • 一种玻璃钝化工艺
    一种玻璃钝化工艺_扬州晶新微电子有限公司_202511124198.9
    本发明涉及半导体器件芯片制造技术领域，具体涉及一种玻璃钝化工艺，制玻璃粉乳液，松油醇：玻璃粉=1：2.2(重量比)，搅拌均匀。将玻璃粉乳液刮涂在晶圆表面，使玻璃粉乳液填满台面槽；经150℃热板烘烤，擦去台面槽之外多余的玻璃粉；将晶圆送进钝化...
    2025-12-06
  • 一种小型集成传感器封装方法
    一种小型集成传感器封装方法_深圳市深刻半导体有限公司_202510963914.6
    本申请提供了一种小型集成传感器封装方法，涉及传感器封装技术领域。本申请采用等离子体清洗技术对小型集成传感器芯片表面进行活化处理，并结合特定配比的化学清洗与超声物理清洗，能有效去除小型集成传感器芯片表面杂质与污染物，同时增强小型集成传感器芯片...
    2025-12-06
  • 驱动背板的制作方法、驱动背板、显示面板及拼接屏
    驱动背板的制作方法、驱动背板、显示面板及拼接屏_成都辰显光电有限公司_202410565254.1
    本申请提供一种驱动背板的制作方法、驱动背板、显示面板及拼接屏，涉及驱动背板技术领域，所述驱动背板的制作方法包括提供一驱动背板，驱动背板包括第一区域及位于第一区域至少一侧的第二区域；设置覆盖第一区域并暴露出第二区域的保护膜；设置导电层，导电层...
    2025-12-06
  • 一种多处理器集成电路封装结构的制备方法及封装结构
    一种多处理器集成电路封装结构的制备方法及封装结构_江苏万邦微电子有限公司_202511479360.9
    本申请涉及半导体器件技术领域，提出一种多处理器集成电路封装结构的制备方法及封装结构。该方法在预固化处理之后和完全固化处理之前，增加了对预固化封装结构进行翘曲测量、结构形态确定，以及对异常形态进行返工处理的步骤。本申请能够在粘接结构尚未完全固...
    2025-12-06
  • 引线框架封装方法和封装结构
    引线框架封装方法和封装结构_甬矽电子(宁波)股份有限公司_202511476211.7
    本发明提供了一种引线框架封装方法和封装结构，涉及芯片封装技术领域，该方法首先提供引线框，然后在多个引脚的正面形成容置凹槽。然后将导电环沿引脚的正面贴装在多个容置凹槽中，其中导电环上还设置有多个支撑部，每个支撑部恰好嵌设在相邻两个引脚之间。然...
    2025-12-06
  • 一种功率半导体模块的制备方法
    一种功率半导体模块的制备方法_惠州市广大碳基半导体有限公司_202511309337.5
    本发明提供一种功率半导体模块的制备方法，与传统陶瓷基板相比，本方案实现了模块的显著减薄与散热性能提升。该功率半导体模块的制备方法，包括：获取金属基板，并在所述金属基板表面进行预处理；设定特定溅镀参数，基于所述特定溅镀参数在预处理后的所述金属...
    2025-12-06
  • 一种半导体器件组件的焊接封装工艺
    一种半导体器件组件的焊接封装工艺_成都赛力康电气有限公司_202511162372.9
    本发明公开了一种半导体器件组件的焊接封装工艺，属于半导体器件制备的技术领域，包括：在铝底板上表面刷一层焊锡膏；缩减覆铜陶瓷片尺寸；将多个单管器件、多个覆铜陶瓷片和铝底板进行组装，得到单管组件；将单管组件放入高温焊接炉进行焊接处理；焊接完成后...
    2025-12-06
  • 一种基于单管并联的功率组件制备方法
    一种基于单管并联的功率组件制备方法_成都赛力康电气有限公司_202511162370.X
    本发明公开了一种基于单管并联的功率组件制备方法，包括：在铝底板上表面的不同区域喷涂铜层；对铝底板进行预弯处理；在铜层的表面印刷一层焊膏；在DBC绝缘片的上表面印刷复合焊膏层；将器件的管脚进行折弯处理；将多个器件、多个DBC绝缘片依次放置在铝...
    2025-12-06
  • 控制硅片中体金属的扩散方法及装置
    控制硅片中体金属的扩散方法及装置_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511110415.9
    本发明提供了一种控制硅片中体金属的扩散方法及装置，属于半导体制造技术领域。该方法包括：将第一硅片放置于第一温度值的环境中，在所述第一硅片的第一表面上生成氧化硅层，得到氧化后的第一硅片；根据所述氧化后的第一硅片中体金属的目标扩散值，确定与所述...
    2025-12-06
  • 硅片中体金属的去除方法及装置
    硅片中体金属的去除方法及装置_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511110372.4
    本发明提供了一种硅片中体金属的去除方法及装置，属于半导体制造技术领域。该方法包括：获取多个第一硅片集合，并且设定大小依次排序的多个温度值；依次基于所述多个温度值中每个温度值，对所述多个第一硅片集合进行加热处理，得到多个体金属扩散结果；根据所...
    2025-12-06
  • 厚铝制备方法、装置及机台
    厚铝制备方法、装置及机台_广东芯粤能半导体有限公司_202511139407.7
    本申请提供了一种厚铝制备方法、装置及机台，涉及半导体制造技术领域，本申请首先根据工艺要求确定待加工晶圆的工艺参数，根据工艺参数，确定工艺策略；最后根据工艺策略，对晶圆的金属层进行循环加工，直至达到循环次数，且每次的加工步骤包括光刻、刻蚀及去...
    2025-12-06
  • 制造半导体层的方法和晶体管
    制造半导体层的方法和晶体管_三星显示有限公司_202510313839.9
    本公开提供了制造半导体层的方法和晶体管。所述制造半导体层的方法包括：制备包括氧化硅的绝缘层；在所述绝缘层上形成金属掩模；在所述金属掩模上执行氧等离子体工艺；去除所述金属掩模；以及将所述绝缘层装载到腔室中以形成所述半导体层。
    2025-12-06
  • 硼扩散方法、TOPCon电池及其制备方法
    硼扩散方法、TOPCon电池及其制备方法_云南润阳世纪光伏科技有限公司_202511111025.3
    本申请公开一种硼扩散方法、TOPCon电池及其制备方法，升温至第一温度进行表面沉积维持第一预设时间可以在硅片表面沉积硼源物质作为后续硼原子向硅片内部迁移的硼源，随后降温至比第一温度更低的第二温度进行第二预设时间的扩散推进，实现硼原子向硅片内...
    2025-12-06
  • 晶圆键合方法
    晶圆键合方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511471726.8
    本申请涉及一种晶圆键合方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆后，将硅酸酯和醇溶剂的混合液采用旋涂工艺分别旋涂在所述第一晶圆和第二晶圆的待键合面；进行所述旋涂工艺后，将所述第一晶圆和所述第二晶圆分别静置处理，所述硅酸酯和醇溶剂的混合液发生反应，在...
    2025-12-06
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511478213.X
    本申请涉及一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括基底和位于所述基底上的光阻结构，所述光阻结构包括暴露所述基底的开口，所述开口包括靠近所述基底一侧的第一部分和远离所述基底一侧的第二部分，沿垂直射入所述基底的表面的方向上，所述第一部分...
    2025-12-06
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