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最新专利技术
  • 存储器装置中的存储器单元的多电平模拟编程收敛控制
    存储器装置中的存储器单元的多电平模拟编程收敛控制_美光科技公司_202510657001.1
    本公开涉及存储器装置中的存储器单元的多电平模拟编程收敛控制。一种存储器装置包含具有形成于多个字线与多个位线的相应相交点处的多个存储器单元的存储器阵列。所述存储器装置进一步包含耦合到所述存储器阵列的页缓冲电路，所述页缓冲电路具有多个动态锁存电...
    2025-12-01
  • 动态写入增强停用
    动态写入增强停用_美光科技公司_202510648178.5
    本申请涉及动态写入增强停用。存储器系统可确定存储到所述存储器系统的数据量是否满足第一阈值。在一些实例中，所述存储器系统的存储器单元块可被分配给写入增强游标。所述存储器系统可响应于确定所述数据量满足所述第一阈值而停用写入增强模式的操作。因而，...
    2025-12-01
  • 存储器及其操作方法、存储系统、电子设备
    存储器及其操作方法、存储系统、电子设备_华为技术有限公司_202410635276.0
    本申请实施例公开一种存储器及其操作方法、存储系统、电子设备，涉及半导体技术领域。存储器包括外围电路和多个存储阵列。外围电路包括存储阵列控制器和第一选通器，且存储阵列控制器与第一选通器连接。多个存储阵列沿外围电路的厚度方向层叠设置，且多个存储...
    2025-12-01
  • 一种忆阻器阵列优化方法
    一种忆阻器阵列优化方法_广东工业大学_202510982049.X
    本发明公开了一种忆阻器阵列优化方法。该方法包括以下步骤：获取待计算的布尔函数，待优化忆阻器阵列；利用遗传算法对所述待计算的布尔函数进行处理，得到最优二元决策图；根据所述最优二元决策图，对所述忆阻器阵列进行优化，得到最优忆阻器阵列。该方法的计...
    2025-12-01
  • 存储器件及执行行访问计数操作的方法
    存储器件及执行行访问计数操作的方法_爱思开海力士有限公司_202411393606.6
    本公开涉及存储器件及执行行访问计数操作的方法。一种存储器件，包括：存储体，配置为存储在激活操作被执行时与每条字线被访问的次数相对应的行计数值；以及列控制电路，配置为在由预充电命令设置的列选择操作被执行的时段期间执行计数读取操作和计数写入操作...
    2025-12-01
  • 一个压控型忆阻器电路
    一个压控型忆阻器电路_盐城工学院_202511114188.7
    本发明公开了一个压控型忆阻器电路，包括N沟道场效应管M0和M2，P沟道场效应管M1。输入vi与M0的“D”端相连，M0的“S”端接地，M0的“B”端接M1的“D”端，M0的“G”端接M2的“D”端。M1的“G”端接M2的“B”端，M1的“S...
    2025-12-01
  • MUX触发电路、MUX结构及SRAM写辅助电路
    MUX触发电路、MUX结构及SRAM写辅助电路_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511054391.X
    本发明公开了一种MUX触发电路、MUX结构及SRAM写辅助电路, 所述MUX触发电路，其用于触发SRAM写辅助启动，当SRAM写入失效发生时，SRAM两路字线电平降为低，MUX触发电路输出置高电平；MUX触发电路输出信号用于启动写辅助电路。...
    2025-12-01
  • 数字内存中计算处理系统中的计算权重数据的随机数据极性反转
    数字内存中计算处理系统中的计算权重数据的随机数据极性反转_意法半导体国际公司_202510784335.5
    本公开涉及数字内存中计算处理系统中的计算权重数据的随机数据极性反转。通过随机选择的极性反转将用于内存中计算操作的计算权重数据写入存储器阵列中的存储器单元。在内存中计算操作的执行期间，从存储器阵列中的存储器单元读取计算权重数据。当读取的计算权...
    2025-12-01
  • 用于在存储视频时减少字线到字线短路的影响的数据存储设备和方法
    用于在存储视频时减少字线到字线短路的影响的数据存储设备和方法_桑迪士克科技股份有限公司_202411618217.9
    公开了一种用于在存储视频时减少字线到字线短路的影响的数据存储设备和方法。在一个实施方案中，提供了一种包括存储器和一个或多个处理器的数据存储设备，该存储器包括多个字线。该一个或多个处理器单独地或组合地被配置为：从主机接收用于存储在该存储器中的...
    2025-12-01
  • 一种存储器装置及其操作方法、存储器系统
    一种存储器装置及其操作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410642395.9
    本公开实施例提供了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统，所述存储器装置包括：存储单元阵列；外围电路，耦合至所述存储单元阵列，所述外围电路被配置为：根据目标编程电压，确定目标压差；根据所述目标编程电压和所述目标压差之差，确定沟道升压电压；在...
    2025-12-01
  • 存储器及其操作方法、存储器系统
    存储器及其操作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410638243.1
    本公开实施例提供一种存储器及其操作方法、存储器系统。所述存储器包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多条字线；以及耦接至所述存储单元阵列的外围电路，被配置为：在第一存储模式下，将所述字线放电至第一放电电压；在第二存储模式下，将所述字线放电...
    2025-12-01
  • 存储器装置及其操作方法、存储器系统
    存储器装置及其操作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410637459.6
    本公开提供了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统，所述存储器装置包括存储阵列、与所述存储阵列耦接的外围电路、与所述存储阵列中的存储单元耦接的目标字线以及与所述目标字线相邻的第一字线；所述外围电路被配置为：在对与所述目标字线耦接的存储单元执...
    2025-12-01
  • 具有随机时钟交错和输出绑定的块内存中计算处理系统
    具有随机时钟交错和输出绑定的块内存中计算处理系统_意法半导体国际公司_202510784106.3
    本公开涉及具有随机时钟交错和输出绑定的块内存中计算处理系统。第一内存中计算(IMC)处理块和第二IMC处理块存储用于响应于特征数据而执行的内存中计算操作的计算权重数据。第一IMC处理块由第一时钟信号计时以控制内存中计算操作的执行，并且第二I...
    2025-12-01
  • 存储器性能管理
    存储器性能管理_美光科技公司_202510641592.3
    本申请涉及存储器性能管理。存储器系统可例如根据所述存储器系统的目标数据速率来限制性能。例如，所述存储器系统可实施一或多个定时器。响应于接收到存取命令，所述存储器系统可启动定时器，且可延迟(例如，抑制)执行其它存取命令，直到所述定时器到期为止...
    2025-12-01
  • 时钟控制电路、存储器以及时钟控制方法
    时钟控制电路、存储器以及时钟控制方法_长鑫科技集团股份有限公司_202410651361.6
    本公开实施例提供一种时钟控制电路、存储器以及时钟控制方法，时钟控制电路包括：延时调整电路，被配置为，接收第一相位时钟信号，第二相位时钟信号，第三相位时钟信号，第四相位时钟信号和判断结果信号，在存储器处于占空比调整训练模式下，根据判断结果信号...
    2025-12-01
  • 存储器装置、存储器系统及其操作方法
    存储器装置、存储器系统及其操作方法_长江存储科技有限责任公司_202410634733.4
    一种操作存储器装置的方法包括：将第一编程电压施加到与目标存储器单元组相对应的选定字线，将第一验证电压施加到与所述目标存储器单元组相对应的选定字线，将预定数量的编程脉冲施加到与所述目标存储器单元组的所述第二存储器单元相对应的选定字线，以及在将...
    2025-12-01
  • 一种EFLASH数据预取电路
    一种EFLASH数据预取电路_浙江智行微电子有限公司_202511109213.2
    本发明提供一种EFLASH数据预取电路，包括基础状态与初始态模块，错误处理分支模块，维持模块，发送正常响应模块，判断模块，收到数据模块。本发明中，在接收到ahb的读请求时，先将ahb总线的hready信号拉低，让ahb总线进行等待，然后开始...
    2025-12-01
  • 缓冲裸片和包括该缓冲裸片的堆叠存储器装置
    缓冲裸片和包括该缓冲裸片的堆叠存储器装置_三星电子株式会社_202411575931.4
    提供了一种设置在晶圆中的缓冲裸片和堆叠存储器装置。该缓冲裸片包括：写入选通信号生成电路，其被配置为基于在对缓冲裸片的晶圆级测试中被使能，生成具有180度相位差的第一写入选通信号和第二写入选通信号；分频和转换电路，其被配置为生成具有90度相位...
    2025-12-01
  • 电平转换电路、存储器、存储器系统及电子设备
    电平转换电路、存储器、存储器系统及电子设备_长江存储科技有限责任公司_202410627675.2
    本公开实施例提供一种电平转换电路、存储器、存储器系统及电子设备。该电平转换电路包括依次耦接的输入电路、转换电路和输出电路；其中，输入电路被配置为：响应于第一电平信号，生成第一输入信号；调节电路，分别耦接输入电路和转换电路；其中，调节电路被配...
    2025-12-01
  • 逐次补偿灵敏放大器
    逐次补偿灵敏放大器_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511054395.8
    本发明公开了一种逐次补偿灵敏放大器，其工作过程划分为补偿模式确定和读取；补偿模式确定：对灵敏放大器进行一次空摆后，根据空摆输出信号对灵敏放大器进行一次以上补偿，根据每次补偿后获得的补偿输出信号，判断适合该灵敏放大器的补偿大小并记录在锁存器中...
    2025-12-01
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