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最新专利技术
  • 一种铜及其合金的焊接方法
    一种铜及其合金的焊接方法_南昌大学_202511600056.5
    本发明提供了一种铜及其合金的焊接方法，该方法包括：获取一基板，所述基板的材质为铜或铜合金，并将所述基板的一面作为熔覆面进行清洁、干燥；通过送粉激光熔覆技术在所述熔覆面制备FeCoCrNi高熵合金熔覆层，所述FeCoCrNi高熵合金熔覆层包括...
    2026-02-26
  • 热处理基体表面激光熔覆不锈钢粉末的加工方法、由其制备得到的材料及应用
    热处理基体表面激光熔覆不锈钢粉末的加工方法、由其制备得到的材料及应用_天津理工大学_202511598002.X
    本发明提供了热处理基体表面激光熔覆不锈钢粉末的加工方法、由其制备得到的材料及应用，属于金属材料表面改性技术领域，本发明的加工方法通过对300M钢以及AISI 420不锈钢熔覆层的改性，从而使强韧基体为熔覆层提供了稳定的力学支撑，避免熔覆过程...
    2026-02-26
  • 一种激光熔覆枪头的控制方法
    一种激光熔覆枪头的控制方法_亚琛联合科技(天津)有限公司_202511596452.5
    本发明涉及激光熔覆技术领域，尤其涉及一种激光熔覆枪头的控制方法，包括如下步骤：在激光熔覆枪头沿螺杆轴向移动的过程中，激光熔覆枪头沿螺杆径向移动，以补偿螺棱外径的变化量；透镜沿竖直方向移动，调整激光在螺棱上形成的光斑面积，以补偿螺棱宽度的变化...
    2026-02-26
  • 一种中熵合金涂层及其制备方法
    一种中熵合金涂层及其制备方法_中国人民解放军陆军装甲兵学院_202511211031.6
    本发明提供一种中熵合金涂层及其制备方法，制备方法包括如下步骤：按照预设比例称取经等摩尔比的CoCrFeNi中熵合金粉末与WC粉末，采用机械混合方式混合均匀，并将混合后的粉末置于真空烘箱中干燥以获取待熔覆粉末；对基体表面进行预处理；熔覆前对基...
    2026-02-26
  • 激光熔覆修复中心及修复方法
    激光熔覆修复中心及修复方法_上海神剑精密机械科技有限公司_202511183502.7
    本发明提供一种激光熔覆修复中心及修复方法，所述激光熔覆中心包括双立柱龙门加工中心、熔覆安装轴、铣削安装轴和修复平台。通过工业CT，识别铸件内部缺陷的三维坐标、尺寸、形状及分布信息；将CT检测结果导入修复中心控制系统，构建含有缺陷的铸件三维数...
    2026-02-26
  • 一种用于金属基体的耐磨蚀激光熔覆层及其制备方法
    一种用于金属基体的耐磨蚀激光熔覆层及其制备方法_陕西延长石油(集团)有限责任公司_202511154380.9
    本发明属于激光熔覆技术领域，涉及一种用于金属基体的耐磨蚀激光熔覆层及其制备方法。本发明提供了一种用于金属基体的耐磨蚀激光熔覆层的制备方法，其包括：采用机械磨削对除油喷砂处理后的金属基体进行机加工减薄，然后采用镍铬锰钼硅合金粉末，进行激光熔覆...
    2026-02-26
  • 一种多孔铜涂层及其制备方法和应用
    一种多孔铜涂层及其制备方法和应用_季华实验室_202511598095.6
    本发明提供了一种多孔铜涂层及其制备方法和应用，涉及多孔铜涂层制备与微通道液体散热技术领域，其制备方法采用含有碳酸根和/或碳酸氢根的可溶性水解盐类作为造孔剂并结合冷喷涂工艺制备得到多孔铜涂层，相比其它工艺，本方法的优点在于制备效率高，能耗低无...
    2026-02-26
  • 镀锌管体的钝化漂洗液动态平衡调节方法
    镀锌管体的钝化漂洗液动态平衡调节方法_天津友发钢管集团股份有限公司_202511546253.3
    本发明提供了一种镀锌管体的钝化漂洗液动态平衡调节方法，钝化箱中至少设置两个连续的独立隔室以用于水漂洗酸钝化后的工件，每个隔室设置包括：球阀、调节阀、pH传感器、温度传感器、液位传感器；工件依次经过钝化箱中的各个隔室并被各隔室内的漂洗槽漂洗清...
    2026-02-26
  • 一种镀锌钢管钝化膜及其制备方法
    一种镀锌钢管钝化膜及其制备方法_钢研工程设计有限公司_202410697547.5
    本发明涉及一种镀锌钢管钝化膜及其制备方法，属于金属表面腐蚀与防护领域，用以解决现有镀锌钢管钝化膜膜层耐黑变性能差和固化不完全的问题。一种镀锌钢管钝化膜的制备方法，包括：镀锌钢管在冷却水槽中通过冷却液A进行冷却，表面形成一层致密的镍层；镀锌钢...
    2026-02-26
  • 铝合金线材及其处理方法
    铝合金线材及其处理方法_浙江丰成智造股份有限公司_202511089394.7
    本发明公开了一种铝合金线材及其处理方法，涉及金属线材处理技术领域。本发明中设计的金属线材的处理方法，通过依次进行脱脂、表面活化、磷化和钝化处理，严格控制处理参数并设计特定配方的脱脂液、活化液、磷化液和钝化液，最终处理完成后会在铝合金线材表面...
    2026-02-26
  • 一种提高不锈钢表面疏水性的处理方法
    一种提高不锈钢表面疏水性的处理方法_重庆臻宝半导体材料有限公司_202511222225.6
    本发明涉及一种不锈钢表面的处理方法，具体包括以下步骤：先对不锈钢表面预改性处理，使不锈钢表面羟基化；再浸入十二烷基硫酸钠水溶液中，用水清洗后干燥后浸入硬脂酸和NN‑二环己基碳二亚胺混合的乙醇溶液中反应；再依次经正己烷、丙酮、去离子水清洗，烘...
    2026-02-26
  • 一种高磷化学镀镍磷的工艺及其制备的超耐腐蚀和耐磨的阀门
    一种高磷化学镀镍磷的工艺及其制备的超耐腐蚀和耐磨的阀门_温州聚恩辈实业有限公司_202511304662.2
    本公开涉及化学镀领域，具体为一种高磷化学镀镍磷的工艺及其制备的超耐腐蚀和耐磨的阀门；该工艺包括以下步骤：步骤1：对工件进行打磨，得到经打磨后的工件；步骤2：对打磨后的工件进行预处理，得到经预处理后的工件；步骤3：制备高磷化学镀镍磷的镀液；步...
    2026-02-26
  • 镀镍镁锂合金及镁锂合金表面处理方法
    镀镍镁锂合金及镁锂合金表面处理方法_航天科工防御技术研究试验中心_202511008901.X
    本申请提供一种镀镍镁锂合金及镁锂合金表面处理方法。镁锂合金表面处理方法，包括：提供镁锂合金；镁锂合金由以下质量百分比的物质组成：9.5‑10.5％的Li；2.5‑3.5％的Al；2.5‑3.5％或0.8‑1.8％的Zn；0.50％以内的Si...
    2026-02-26
  • 一种表面粗化的镀镍导电微球及其制备方法和应用
    一种表面粗化的镀镍导电微球及其制备方法和应用_合肥中聚和成光电材料股份有限公司_202511596867.2
    本发明属于导电微球制备技术领域，具体涉及一种表面粗化的镀镍导电微球及其制备方法和应用。制备过程包括前处理使聚合物微球表面含镍离子、镍离子还原为镍纳米颗粒、微球活化以及化学镀步骤。本发明采用在微球表面还原镍纳米颗粒的方式增大导电微球的比表面积...
    2026-02-26
  • 一种蒙烯单晶铜丝材料及其制备方法
    一种蒙烯单晶铜丝材料及其制备方法_北京石墨烯研究院_202511604157.X
    本发明提供一种蒙烯单晶铜丝材料及其制备方法。利用立式卷对卷技术，将铜丝紧固于下方放卷腔室的放卷转轴，使其始端自下而上穿过管式炉体并固定于上方收卷腔室的收卷转轴，在收卷端施加特定范围的张力，以10 mm/min‑100 mm/min的卷绕速度...
    2026-02-26
  • 一种VCSEL芯片附带变容积功能的干式真空系统
    一种VCSEL芯片附带变容积功能的干式真空系统_华芯半导体科技有限公司_202511596204.0
    本发明公开了一种VCSEL芯片附带变容积功能的干式真空系统，本发明涉及干式真空设备技术领域，该干式真空系统包括地台、机箱、柔性金属管、真空机构和辅助机构，真空机构包括箱体和底脚，机箱、底脚、辅助机构均与地台固定连接，箱体上设有气孔，辅助机构...
    2026-02-26
  • 一种光伏用连续镀膜系统
    一种光伏用连续镀膜系统_江苏中胜微科技有限公司_202511221409.0
    本申请涉及一种光伏用连续镀膜系统。涉及光伏领域，特别涉及进舟腔、预热腔、本征腔、掺杂腔、冷却腔，进舟腔、冷却腔一端均设有大气门阀；分别设于进舟腔、预热腔、本征腔、掺杂腔、冷却腔之间的隔离阀；分别开设于进舟腔、本征腔、掺杂腔、冷却腔上的排气口...
    2026-02-26
  • 薄膜沉积设备
    薄膜沉积设备_江苏首芯半导体科技有限公司_202511206172.9
    本申请涉及半导体技术领域，提供一种薄膜沉积设备，至少有利于在晶圆上形成质量较高且厚度较厚的膜层。薄膜沉积设备包括：腔体，腔体包括相互连接的上腔体和下腔体；载台，载台设置于腔体内，载台的表面用于放置晶圆；隔离部件，隔离部件设置于腔体内，隔离部...
    2026-02-26
  • 射频控制装置和方法、半导体工艺设备
    射频控制装置和方法、半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410661694.7
    本发明提供一种射频控制装置和方法、半导体工艺设备，该装置包括射频连接单元，用于将射频源的射频端和接地端与半导体工艺设备的工艺腔室中的晶舟电连接，且使晶舟中各相邻的两个舟片的极性相反；阻抗控制单元，连接在射频连接单元与射频源的接地端之间，且能...
    2026-02-26
  • 衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置
    衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置_株式会社国际电气_202510241358.1
    本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。提供能抑制成膜中的规定元素的脱离、将膜中的规定元素维持在所希望组成比率的技术。将包含下述(a)(b)(c)(d)并且在(a)及(b)之后且(d)之前执行(c)的循环执行规...
    2026-02-26
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